一种显示面板的制作方法

本发明涉及显示面板的制造，尤其涉及到一种显示面板。

背景技术：

1、随着显示技术的不断发展提高，人们对显示面板的显示品质及效果均提出了更高的要求，以增强使用体验。

2、微发光二极管(micro light emitting diode，micro-led)显示面板是将传统的发光二极管微缩化后形成的一种微米级间距的发光二极管阵列面板。该微发光二极管显示面板可达到超高密度像素分辨率。相比有机发光二极管(organiclight-emitting diode，oled)和液晶显示面板(liquid crystal display，lcd)而言，micro-led的显示色彩更容易准确的调试，且具有更长的发光寿命和更高的亮度及显示效果，同时更具轻薄及省电优势。但是，现有技术中在制备形成上述微发光二极管显示面板时，通常通过在氮化镓(gan)基底上外延生长形成不同的发光功能层，并最终制备得到全彩结构的发光器件。但是，传统技术制备得到的微发光二极管显示面板，在制备过程中未考虑到不同颜色的发光功能层对应的像素具有不同的发光性能及效果，而导致整个微发光二极管显示面板的出光效率不理想，降低了显示面板的显示效果。

3、综上所述，现有技术中，制备得到的micro-led显示面板在发光显示时，显示面板的出光效率不理想，发光效果较差，不能满足人们的使用需求。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种显示面板，以有效的改善现有技术中制备的微发光二极管显示面板在发光显示时的出光效率，并提高微发光二极管的显示效果。

2、为解决上述技术问题，本发明实施例的第一方面，提供一种显示面板，包括：

3、基板以及设置于所述基板上的多个发光器件，所述发光器件至少包括：

4、金属电极层，设置于所述基板上；

5、发光功能层，设置于所述金属电极层上，所述发光功能层包括缓冲层、设置于所述缓冲层上的至少一n型生长层、设置于所述n型生长层上的量子阱层、设置于所述量子阱层上的p型生长层；以及，

6、布拉格反射层，设置于所述发光功能层远离所述基板的一侧；

7、其中，所述发光器件还包括微腔调整层，所述微腔调整层设置于所述布拉格反射层与所述发光功能层之间，且不同颜色的所述发光功能层对应的所述微腔调整层的厚度不同。

8、根据本发明一实施例，所述发光器件包括第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件，所述第一颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度小于所述第二颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度，所述第二颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度小于所述第三颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度；

9、所述第一颜色发光器件发出的光线的波长小于所述第二颜色发光器件发出的光线的波长，且所述第二颜色发光器件发出光线的波长小于所述第三颜色发光器件发出的光线的波长。

10、根据本发明一实施例，所述金属电极层以及所述发光功能层均设置于所述微腔调整层在所述基板的正投影区域内。

11、根据本发明一实施例，所述微腔调整层远离所述发光功能层一侧的表面上还设置有微结构。

12、根据本发明一实施例，所述布拉格反射层在不同颜色的所述发光器件对应区域内设置为不同的膜层厚度。

13、根据本发明一实施例，所述布拉格反射层包括依次交替并层叠设置低折射层和高折射层，且所述低折射层的膜层厚度大于所述高折射层的膜层厚度。

14、根据本发明一实施例，所述发光功能层的截面形状设置为梯形，且所述n型生长层的宽度大于所述量子阱层的宽度，所述量子阱层的宽度大于所述p型生长层的宽度。

15、根据本发明一实施例，所述缓冲层的材料包括iii-v化合物材料，所述n型生长层包括依次层叠设置的底层氮化镓铟层、中间层氮化镓铟层、顶层氮化镓铟层，所述p型生长层包括p型氮化镓铟层，且所述底层氮化镓铟层设置于靠近所述缓冲层的一侧。

16、根据本发明一实施例，所述金属电极层包括靠近所述发光功能层一侧设置的透明导电层、设置于所述透明导电层远离所述发光功能层一侧的反射金属层、设置于所述反射金属层远离所述发光功能层一侧的键合金属层。

17、本发明实施例的有益效果：相比现有技术，本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及设置于其上的发光器件，发光器件至少包括金属电极层、发光功能层、布拉格反射层以及微腔调整层。其中，发光功能层包括依次设置的缓冲层、n型生长层、量子阱层以及p型生长层，且微腔调整层设置在布拉格反射层与发光功能层之间，不同颜色的发光功能层对应的所述微腔调整层的厚度设置为不同的厚度。本申请实施例中，通过在该发光功能层出光侧设置一微腔调整层，且不同颜色的发光功能层对应的微腔调整层设置为不同的厚度，这样，通过微腔调整层使得不同颜色的像素具有不同的微腔腔长，进而利用微腔效应，有效的提升显示面板的出光效率，并改善显示面板的显示效果及综合性能。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括第一颜色发光器件、第二颜色发光器件以及第三颜色发光器件，所述第一颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度小于所述第二颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度，所述第二颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度小于所述第三颜色发光器件对应的所述微腔调整层的厚度；

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述金属电极层以及所述发光功能层均设置于所述微腔调整层在所述基板的正投影区域内。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述微腔调整层远离所述发光功能层一侧的表面上还设置有微结构。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述布拉格反射层在不同颜色的所述发光器件对应区域内设置为不同的膜层厚度。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述布拉格反射层包括依次交替并层叠设置低折射层和高折射层，且所述低折射层的膜层厚度大于所述高折射层的膜层厚度。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述微腔调整层的材料包括siox，sinx，sioxny中的任意一种或者至少两种组合，x、y均为正数。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层的截面形状设置为梯形，且所述n型生长层的宽度大于所述量子阱层的宽度，所述量子阱层的宽度大于所述p型生长层的宽度。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅层或介电金属氧化物层中的任意一种，所述n型生长层包括依次层叠设置的底层氮化镓铟层、中间层氮化镓铟层、顶层氮化镓铟层，所述p型生长层包括p型氮化镓铟层，且所述底层氮化镓铟层设置于靠近所述缓冲层的一侧。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属电极层包括靠近所述发光功能层一侧设置的透明导电层、设置于所述透明导电层远离所述发光功能层一侧的反射金属层、设置于所述反射金属层远离所述发光功能层一侧的键合金属层。

技术总结
本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及设置于其上的发光器件，发光器件至少包括金属电极层、发光功能层、布拉格反射层以及微腔调整层。其中，发光功能层包括依次设置的缓冲层、N型生长层、量子阱层以及P型生长层，且微腔调整层设置在布拉格反射层与发光功能层之间，不同颜色的发光功能层对应的所述微腔调整层的厚度设置为不同的厚度。通过在该发光功能层出光侧设置一微腔调整层，且不同颜色的发光功能层对应的微腔调整层设置为不同的厚度，通过微腔调整层使得不同颜色的像素具有不同的微腔腔长，进而利用微腔效应，有效的提升显示面板的出光效率，并改善显示面板的显示效果。

技术研发人员：刘卫来,孙亮
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17