电容器及集成电路的制作方法

本技术涉及半导体，具体地，涉及一种电容器及集成电路。

背景技术：

1、现有mmic(monolithic microwave integrated circuit，单片微波集成电路)设计中，常使用mim(metal-insulator-metal，金属-绝缘体-金属)电容作为电容使用。mim电容的容值受制于绝缘介质的厚度与材料，在不改变耐压及材料的前提下，很难提升mim电容的容值密度，且为了提升mim电容的容值密度，常常会使得成本增加，这些原因限制了mmic芯片面积的小型化。

2、在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本技术实施例提供了一种电容器及集成电路，以易于以较低成本获得容值密度较高的电容器。

2、根据本技术实施例的第一个方面，提供了一种电容器，该电容器包括：mim电容；耦合电容模块，包括至少一个耦合电容，每个耦合电容分别与mim电容并联；每个耦合电容的各极板在mim电容厚度方向上处于不同高度。

3、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括：至少一层金属层和至少一层场板层，至少一层场板层和一层金属层形成耦合电容。

4、在本技术一个可选的实施例中，与距离mim电容最近的一层金属层与mim电容的极板形成耦合电容。

5、在本技术一个可选的实施例中，在有多层场板层的情况下，相邻的场板层形成耦合电容。

6、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块还包括：栅极金属层，距离栅极金属层最近的一层场板层与栅极金属层形成耦合电容。

7、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括一层金属层和一层场板层；金属层和mim电容的极板形成耦合电容；场板层和金属层形成耦合电容。

8、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括一层金属层、两层场板层和一层栅极金属层；所述金属层和所述mim电容的极板形成耦合电容；距离所述金属层最近的场板层和所述金属层形成耦合电容；两层场板层形成耦合电容；距离所述栅极金属层最近的场板层和所述栅极金属层形成耦合电容。

9、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括两层场板层和一层栅极金属层；两层场板层形成耦合电容；距离所述栅极金属层最近的场板层和所述栅极金属层形成耦合电容。

10、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括一层金属层、两层场板层和一层栅极金属层；所述金属层和所述mim电容的极板形成耦合电容；距离所述金属层最近的场板层和所述金属层形成耦合电容；相邻的两层场板层分别形成耦合电容；距离所述栅极金属层最近的场板层和所述栅极金属层形成耦合电容。

11、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括：第一顶层金属层，位于mim电容上方，第一顶层金属层通过第一导电通孔连接mim电容的上极板；第一金属层，位于mim电容的下方；第一金属层内设有第二金属层，第二金属层位于第一金属层沿厚度方向挖空的区域内，第二金属层与第一金属层之间由空隙隔开；第二金属层通过第二导电通孔连接mim电容的下极板；第一金属层通过第一导电结构连接第一顶层金属层，第一金属层与mim电容的下极板之间设置有电容介质，使得第一金属层、下极板及其之间的电容介质形成第一耦合电容；第一场板层，位于第一金属层下方；第一场板层通过第三导电通孔连接第二金属层；第一场板层与第一金属层之间设置有电容介质，使得第一场板层、第一金属层及其之间的电容介质形成第二耦合电容；第二场板层，位于第一场板层下方；第二场板层通过第四导电通孔连接第一金属层；第二场板层与第一场板层之间设置有电容介质，使得第一场板层、第二场板层及其之间的电容介质形成第三耦合电容；第一栅极金属层，位于第二场板层下方；第一场板层和第二场板层分别沿厚度方向挖空形成第一空腔和第二空腔，第五导电通孔穿过第一空腔和第二空腔将第一栅极金属层和第二金属层进行连接；第一栅极金属层和第二场板层之间设置有电容介质，使得第一栅极金属层、第二场板层及其之间的电容介质形成第四耦合电容。

12、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括：第二顶层金属层，位于mim电容上方，第二顶层金属层通过第六导电通孔连接mim电容的上极板；第三金属层，位于mim电容的下方；第三金属层通过第七导电通孔连接mim电容的下极板；第三场板层，位于第三金属层下方；第三场板层通过第八导电通孔连接第三金属层；第四场板层，位于第三场板层下方；第四场板层通过第二导电结构连接第二顶层金属层；第四场板层与第三场板层之间设置有电容介质，使得第三场板层、第四场板层及其之间的电容介质形成第五耦合电容；第二栅极金属层，位于第二场板层下方；第三场板层和第四场板层分别沿厚度方向挖空形成第三空腔和第四空腔，第九导电通孔穿过第三空腔和第四空腔将第二栅极金属层和第三金属层进行连接；第二栅极金属层和第四场板层之间设置有电容介质，使得第二栅极金属层、第四场板层及其之间的电容介质形成第六耦合电容。

13、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括：第三顶层金属层，位于mim电容上方，第三顶层金属层通过第十导电通孔连接mim电容的上极板；第四金属层，位于mim电容的下方；第四金属层内设有第五金属层，第五金属层位于第四金属层沿厚度方向挖空的区域内，第五金属层与第四金属层之间由空隙隔开；第五金属层通过第十一导电通孔连接mim电容的下极板；第四金属层通过第三导电结构连接第三顶层金属层，第四金属层与mim电容的下极板之间设置有电容介质，使得第四金属层、下极板及其之间的电容介质形成第七耦合电容；第五场板层，位于第四金属层下方；第五场板层通过第十二导电通孔连接第四金属层；第六场板层，位于第五场板层下方；第六场板层通过第十三导电通孔连接第五金属层；第六场板层与第五场板层之间设置有电容介质，使得第五场板层、第六场板层及其之间的电容介质形成第八耦合电容；第七场板层，位于第六场板层下方；第七场板层通过第十四导电通孔连接第四金属层；第七场板层与第六场板层之间设置有电容介质，使得第六场板层、第七场板层及其之间的电容介质形成第九耦合电容；第三栅极金属层，位于第七场板层下方；第六场板层和第七场板层分别沿厚度方向挖空形成第六空腔和第七空腔，第十五导电通孔穿过第六空腔和第七空腔将第三栅极金属层和第五金属层进行连接；第三栅极金属层和第七场板层之间设置有电容介质，使得第三栅极金属层、第七场板层及其之间的电容介质形成第十耦合电容。

14、在本技术一个可选的实施例中，耦合电容模块包括：

15、第四顶层金属层，位于mim电容上方，第四顶层金属层通过第十六导电通孔连接mim电容的上极板；第六金属层，位于mim电容的下方；第六金属层内设有第七金属层，第七金属层位于第六金属层沿厚度方向挖空的区域内，第七金属层与第六金属层之间由空隙隔开；第七金属层通过第十七导电通孔连接mim电容的下极板；第六金属层通过第四导电结构连接第四顶层金属层，第六金属层与mim电容的下极板之间设置有电容介质，使得第六金属层、下极板及其之间的电容介质形成第十一耦合电容；第八场板层，位于第六金属层下方；第八场板层通过第十八导电通孔连接第七金属层；第八场板层与第六金属层之间设置有电容介质，使得第八场板层、第六金属层及其之间的电容介质形成第十二耦合电容。

16、根据本技术实施例的第二个方面，提供了一种集成电路，包括衬底；外延层，设置在衬底上；上述电容器，设置在外延层上。

17、在本技术一个可选的实施例中，电容器和外延层之间还设置有场氧层。

18、在本技术一个可选的实施例中，集成电路还包括：ldmos器件；ldmos器件包括至少一个金属场板；电容器的耦合电容模块中至少一个极板利用制作金属场板的掩膜制成。

19、本技术实施例由于采用以上技术方案，具有以下技术效果：

20、通过形成耦合电容并使耦合电容与mim电容并联，提高了电容器容值密度。多层金属场板是许多ldmos器件的通用设计，由于每个耦合电容的各极板在mim电容厚度方向上处于不同高度，因此可以利用制作ldmos器件的金属场板所使用的掩膜制作耦合电容的极板，能够在不增加器件掩膜的前提下提升电容密度。因此，本技术易于以较低成本获得容值密度较高的电容器。