晶圆对准设备及晶圆清洁装置的制作方法

本技术涉及半导体，尤其涉及一种晶圆对准设备及晶圆清洁装置。

背景技术：

1、在干法刻蚀工艺中，吸盘通过静电吸附的方式吸附晶圆背面，并可以提供氦气对晶圆进行降温。此时，如果晶圆背面有颗粒物质，且吸盘提供的氦气流量大于一定值时，吸盘将无法有效吸附晶圆，容易出现自动报警，甚至导致晶圆返工及设备宕机的问题，从而影响设备的产能。

2、因此，如何在干法刻蚀前清除晶圆背面的颗粒物质，是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种晶圆对准设备及晶圆清洁装置，以在干法刻蚀前有效清除晶圆背面的颗粒物质。

2、本申请实施例提供了一种晶圆对准设备，包括：基座；对准转盘，与基座可转动连接，用于吸附晶圆的背面；以及，晶圆清洁装置，设置于基座上，并位于对准转盘的周侧，用于在对准转盘携带晶圆同步转动时，对晶圆的背面进行清洁。

3、本申请实施例中，晶圆对准设备采用如上结构，以于晶圆进入干法刻蚀设备前对晶圆背面进行清洁。在上述晶圆对准设备中，通过对准转盘带动晶圆转动以检测晶圆的圆心及凹口(或切边)进而实现晶圆对准，通过将晶圆清洁装置加装在对准转盘的周侧，使得在对准转盘携带晶圆同步转动时，可以在不影响晶圆转动的前提下，对晶圆的背面进行清洁。也即，上述晶圆对准设备可以利用对准转盘转动实现晶圆对准(也即对位)的时间对晶圆的背面进行清洁，故不增加额外的传片时间，提高了清洁晶圆的效率。如此，在后续晶圆进入干法刻蚀设备时，可以减小干法刻蚀设备由于晶圆背面的异物导致报警的几率，进而提高干法刻蚀设备的产能。

4、可选地，晶圆清洁装置包括：送风管路，具有用于朝向晶圆的出风口；回风管路，具有用于朝向晶圆的回风口；其中，出风口用于提供气流形成风刀，以对晶圆的背面进行清洁；回风口位于出风口的旁侧，用于吸取清洁产生的异物。

5、本申请实施例中，回风口位于出风口的旁侧，如此，当出风口提供的风刀使得晶圆背面的异物脱落时，位于出风口的旁侧回风口可以及时将异物吸取，以实现对晶圆背面异物的及时清洁，确保不污染晶圆对准设备中其他装置或组件的环境。

6、可选地，晶圆清洁装置还包括：超声波发射装置，设置于送风管路靠近出风口的端部且与出风口相连通，用于提供超声波，以与风刀同步对晶圆的背面进行清洁。

7、本申请实施例中，超声波发射装置提供的超声波与出风口相连通，使得风刀对晶圆背面进行清洁的同时，超声波同步对晶圆背面进行清洁，提高了晶圆清洁装置对晶圆背面异物的清洁效率和清洁能力。

8、可选地，出风口包括：沿对准转盘的径向延伸的线性出风口；回风口包括：以线性出风口为中心对称设置于线性出风口两侧的第一线性回风口和第二线性回风口，且第一线性回风口和第二线性回风口的延伸方向平行于线性出风口的延伸方向。

9、可选地，晶圆清洁装置还包括：具有第一腔室、第二腔室、第三腔室及箱体；其中，送风管路由第一腔室构成；回风管路由第二腔室构成；超声波发射装置设置于第三腔室内。

10、可选地，出风口和回风口位于同一平面，平面平行于对准转盘的上表面且与上表面之间具有间隔。

11、本申请实施例中，出风口和回风口的上表面与对准转盘的上表面之间的间隔，可以保证出风口和回风口对晶圆背面异物的作用距离足够大，进而保证晶圆清洁装置对晶圆背面异物的清洁效果。

12、可选地，送风管路远离出风口的一端与高压气源相连接；回风管路远离回风口的一端与真空装置相连接。

13、本申请实施例中，送风管路远离出风口的一端与高压气源相连接，有利于为风刀清洁晶圆背面提供充足的动力。同样地，回风管路远离回风口的一端与真空装置相连接，保证了可以提供充足的动力以吸取清洁产生的异物。

14、可选地，晶圆清洁装置在对准转盘的径向上的尺寸与对准转盘的半径之和为目标尺寸；目标尺寸等于或大致等于晶圆的半径。

15、本申请实施例中，目标尺寸等于或大致等于晶圆的半径，可以保证晶圆的背面充分被晶圆清洁装置清洁，进而提高了清洁效果。

16、可选地，晶圆清洁装置的数量为至少两个；各晶圆清洁装置以对准转盘为圆心均匀分布于对准转盘的周侧。

17、本申请实施例中，晶圆清洁装置的数量为至少两个，且晶圆清洁装置以对准转盘为圆心均匀分布于对准转盘的周侧。如此，使得在对准转盘携带晶圆同步转动一周时，即可对晶圆背部进行至少两次清洁，故提高了清洁效率。

18、基于同样的实用新型构思，本申请还提供了一种如前述任一方案所述的晶圆清洁装置。

19、本申请实施例中，晶圆清洁装置所能实现的技术效果与前述实施例中晶圆清洁装置所能具有的技术效果相同，此处不再详述。

技术特征：

1.一种晶圆对准设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置还包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆对准设备，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置还包括：具有第一腔室、第二腔室及第三腔室的箱体；

6.根据权利要求2所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述出风口和所述回风口位于同一平面，所述平面平行于所述对准转盘的上表面且与所述上表面之间具有间隔。

7.根据权利要求2所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述送风管路远离所述出风口的一端与高压气源相连接；所述回风管路远离所述回风口的一端与真空装置相连接。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的晶圆对准设备，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的晶圆对准设备，其特征在于，

10.一种晶圆清洁装置，其特征在于，所述晶圆清洁装置设置于基座上，并位于对准转盘的周侧，用于在所述对准转盘携带晶圆同步转动时，对所述晶圆的背面进行清洁；其中，所述对准转盘与所述基座可转动连接，用于吸附所述晶圆的背面。

技术总结
本技术涉及一种晶圆对准设备及晶圆清洁装置。所述晶圆对准设备包括：基座；对准转盘，与基座可转动连接，用于吸附晶圆的背面；以及，晶圆清洁装置，设置于基座上，并位于对准转盘的周侧，用于在对准转盘携带晶圆同步转动时，对晶圆的背面进行清洁。上述晶圆对准设备可以减小干法刻蚀设备由于晶圆背面的异物导致报警的几率，进而提高干法刻蚀设备的产能。

技术研发人员：郭茨良,张军,谢强
受保护的技术使用者：上海鼎泰匠芯科技有限公司
技术研发日：20230112
技术公布日：2024/1/13