垂直腔面发射激光器及电子设备的制作方法

本技术涉及激光器，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及电子设备。

背景技术：

1、vcsel(vertical-cavitysurface-emittinglaser，垂直腔面发射激光器)是一种半导体激光器，其在衬底的垂直方向上形成谐振腔，沿垂直方向上出射激光。vcsel激光器，尤其是包括多个vcsel单元的vcsel阵列和包括多个vcsel单元的vcsel芯片，在包括消费电子、工业、医疗等行业得到广泛应用。目前的垂直腔面发射激光器如果要提高单管器件的输出功率，则需要增大其出射光孔的面积，由于掺杂p型半导体的载流子存在聚集效应与电流的趋肤效应，会观察到工作电流会集中于电极的周沿处，使得激光出射的光容易出现密度分布不均匀，呈现为中心弱、边沿强，导致激光的出射光斑为环状，并且出射光斑形成为环状时容易出现中心区域不发光，激光的出射功率和出射光斑的均匀度较差。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种垂直腔面发射激光器，包括：

2、外延结构；

3、第一电极，所述第一电极形成于所述外延结构上，并在所述外延结构上构成至少一个位于中心区域的第一出光孔，以及环绕于所述第一出光孔的外圆周上的多个第二出光孔，且多个所述第二出光孔呈间隔设置。

4、优选地，所述第一电极包括：

5、环形电极，多个所述环形电极之间相互环绕设置；

6、径向电极，所述径向电极沿多个所述环形电极的径向方向将多个所述环形电极依次连接，并与多个所述环形电极之间构成所述第二出光孔。

7、优选地，所述第一电极与所述第二出光孔之间的宽度比例为0.8-1.3:1.8-2.3。

8、优选地，所述环形电极与所述径向电极的交叉点分别被构造成弧形倒角，且所述弧形倒角位于所述第二出光孔的角点。

9、优选地，至少一个所述环形电极上具有电极焊盘，且所述电极焊盘延伸至多个所述环形电极外。

10、优选地，所述外延结构与所述第一电极之间具有反相层，所述反相层被构造成与所述第一电极结构相同。

11、优选地，所述外延结构包括：

12、有源区；

13、第一反射器，所述第一反射器形成于所述有源区上，并与所述反相层底部贴合设置；

14、第二反射器，所述第二反射器形成于所述有源区底部；

15、氧化限制层，所述氧化限制层形成于所述有源区与所述第一反射器之间。

16、优选地，还包括：

17、第二电极，所述第二电极形成于所述第二反射器底部；

18、衬底，所述衬底形成于所述第二电极与所述第二反射器之间。

19、本实用新型的另一个目的在于提出一种电子设备，包括如上所述的垂直腔面发射激光器。

20、本实用新型的上述方案至少包括以下有益效果：

21、本实用新型提供的垂直腔面发射激光器，通过将外延结构上的第一电极设置成网格状，使第一电极的中心区域形成有第一出光孔，以及具有环绕于第一出光孔的外圆周上的多个第二出光孔，使得激光出射后出现密度分布更均匀，且中心区域能够均匀出光，提高了激光的出射功率和出射光斑的均匀度。

22、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极包括：

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极与所述第二出光孔之间的宽度比例为0.8-1.3:1.8-2.3。

4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述环形电极与所述径向电极的交叉点分别被构造成弧形倒角，且所述弧形倒角位于所述第二出光孔的角点。

5.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，至少一个所述环形电极上具有电极焊盘，且所述电极焊盘延伸至多个所述环形电极外。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述外延结构与所述第一电极之间具有反相层，所述反相层被构造成与所述第一电极结构相同。

7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述外延结构包括：

8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的垂直腔面发射激光器。

技术总结
本技术公开了一种垂直腔面发射激光器及电子设备，该垂直腔面发射激光器包括：外延结构及第一电极，所述第一电极形成于所述外延结构上，并在所述外延结构上构成至少一个位于中心区域的第一出光孔，以及环绕于所述第一出光孔的外圆周上的多个第二出光孔，且多个所述第二出光孔呈间隔设置。本技术能够使得激光出射后出现密度分布更均匀，且中心区域能够均匀出光，提高了激光的出射功率和出射光斑的均匀度。

技术研发人员：陈永泽,熊金华
受保护的技术使用者：深圳市恒天伟焱科技股份有限公司
技术研发日：20230201
技术公布日：2024/1/13