半导体功率模块的制作方法

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体功率模块。

背景技术：

1、相关技术中，半导体功率模块的布局设计对于提升芯片间的均流能力和能否有效地抑制半导体芯片在开关过程中产生的栅极振荡现象具有决定性的作用。不合理的模块布局设计容易使得个别芯片由于分配相对多的电流而导致局部过热，或者由于栅极振荡而产生过高的电磁干扰。

2、针对相关技术中半导体功率模块由于栅极振荡产生的电磁干扰以及由于分配电流不均导致个别芯片过热的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种半导体功率模块，以解决相关技术中半导体功率模块由于栅极振荡产生的电磁干扰以及由于分配电流不均导致个别芯片过热的问题。

2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体功率模块。该模块包括：散热器，散热器下方设置有针翅；基板，基板覆盖在散热器上方，其中，基板为金属基板；多个芯片，设置在基板上方，每个芯片包括源极区域、栅极区域和漏极区域，每个芯片的漏极区域与基板连接；多个栅极电阻，设置在基板上方，每个栅极电阻设置在一个芯片的第一预设范围内，并与芯片的栅极区域连接；多个铜夹，设置在基板上方，并与芯片的源极区域连接。

3、可选地，半导体功率模块还包括热敏电阻，热敏电阻覆盖在基板上，并设置在预设芯片的第二预设范围内。

4、可选地，热敏电阻设置在直流端子的第三预设范围内。

5、可选地，多个铜夹包括两片铜夹，每片铜夹包含预设数量的引脚，每个引脚分别与一个芯片的源极区域连接。

6、可选地，多个芯片以对称分布的方式布局在基板上方。

7、可选地，多个芯片中各个芯片的栅极区域相连。

8、可选地，多个栅极电阻以对称分布的方式布局在基板上方。

9、可选地，半导体功率模块还包括多个端子，多个端子包括直流端子、交流端子、源极端子、栅极端子和漏极端子，多个端子与基板连接。

10、可选地，每个芯片的源极区域与源极端子连接，每个芯片的栅极区域与栅极端子连接。

11、可选地，半导体功率模块还包括塑封壳，散热器、基板、多个芯片、多个栅极电阻和多个铜夹设置在塑封壳内部。

12、通过本申请提供的半导体功率模块，通过散热器，散热器下方设置有针翅；基板，基板覆盖在散热器上方，其中，基板为金属基板；多个芯片，设置在基板上方，每个芯片包括源极区域、栅极区域和漏极区域，每个芯片的漏极区域与基板连接；多个栅极电阻，设置在基板上方，每个栅极电阻设置在一个芯片的第一预设范围内，并与芯片的栅极区域连接；多个铜夹，设置在基板上方，并与芯片的源极区域连接，解决了相关技术中半导体功率模块由于栅极振荡产生的电磁干扰以及由于分配电流不均导致个别芯片过热的问题。通过带有针翅的散热器提升了半导体功率模块的散热能力，在每个芯片的第一预设范围内设置栅极电阻增加不同芯片栅极区域间的阻抗，进而达到了抑制栅极振荡现象从而提升半导体功率模块的抗干扰能力，降低模块失效风险，在保证爬电距离和电气间隙的基础上降低了模块高度，降低了损耗，提高半导体功率模块的散热能力的效果。

技术特征：

1.一种半导体功率模块，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块还包括热敏电阻(60)，所述热敏电阻(60)覆盖在所述基板(20)上，并设置在预设芯片(301)的第二预设范围内。

3.如权利要求2所述的半导体功率模块，其特征在于，所述热敏电阻(60)设置在直流端子(70)的第三预设范围内。

4.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述多个铜夹(50)包括两片铜夹(50)，每片铜夹(50)包含预设数量的引脚(501)，每个引脚(501)分别与一个芯片(30)的所述源极区域连接。

5.如权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，所述多个芯片(30)以对称分布的方式布局在所述基板(20)上方。

6.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述多个芯片(30)中各个芯片(30)的栅极区域相连。

7.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述多个栅极电阻(40)以对称分布的方式布局在所述基板(20)上方。

8.如权利要求3所述的半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块还包括多个端子，所述多个端子包括所述直流端子(70)、交流端子(80)、源极端子(90)、栅极端子(100)和漏极端子(110)，所述多个端子与所述基板(20)连接。

9.如权利要求8所述的半导体功率模块，其特征在于，每个芯片(30)的所述源极区域与所述源极端子(90)连接，每个芯片(30)的所述栅极区域与所述栅极端子(100)连接。

10.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块还包括塑封壳，所述散热器(10)、所述基板(20)、所述多个芯片(30)、所述多个栅极电阻(40)和所述多个铜夹(50)设置在所述塑封壳内部。

技术总结
本申请公开了一种半导体功率模块。该模块包括：散热器，散热器下方设置有针翅；基板，基板覆盖在散热器上方，其中，基板为金属基板；多个芯片，设置在基板上方，每个芯片包括源极区域、栅极区域和漏极区域，每个芯片的漏极区域与基板连接；多个栅极电阻，设置在基板上方，每个栅极电阻设置在一个芯片的第一预设范围内，并与芯片的栅极区域连接；多个铜夹，设置在基板上方，并与芯片的源极区域连接。通过本申请，解决了相关技术中半导体功率模块由于栅极振荡产生的电磁干扰以及由于分配电流不均导致个别芯片过热的问题。

技术研发人员：曹云岳,肖斌
受保护的技术使用者：北京亿马先锋汽车科技有限公司
技术研发日：20230309
技术公布日：2024/1/14