本技术涉及电池,具体为一种topcon电池背面se结构。
背景技术:
1、随着光伏技术不断的发展,将太阳能转化为电能的产品也越来越多。其中就包括topcon电池,topcon电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池技术。经检索,中国专利号为cn216902959u的专利,公开了一种topcon太阳能电池片的背面结构及topcon太阳能电池片,从而获得较低的饱和电流密度,提高电池效率。现有技术中topcon太阳能电池片背面未设置se掩膜涂层,这样电池表面掺杂的晶体和材质容易造成表面“死层”,进而导致电池片转换效率低,有使用局限性。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种topcon电池背面se结构,解决了背景技术所提出的问题。
2、为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种topcon电池背面se结构,包括壳体,所述壳体内部顶端设有硅单晶片,所述硅单晶片底端设有隧穿氧化薄层,所述隧穿氧化薄层底端设有多纳米晶硅薄层,所述多纳米晶硅薄层底端设有氧化铝层,所述壳体内部底端设有se掩膜涂层,所述se掩膜涂层中设有呈等间距分布的分段,所述分段中设有多种形状,所述多种形状包括长方形、正方形、圆形和六边形。
3、优选的,所述氧化铝层底端设有氮氧化硅层,所述氮氧化硅层底端设有氮化硅膜层,所述氮化硅膜层底端设有氧化硅层。
4、优选的,所述壳体底面对称设有正负电极。
5、优选的,所述壳体表面上涂有耐高温涂层,所述耐高温涂层由耐火粉料、过渡族元素氧化物、氧化锆和硅酸盐组成。
6、优选的,所述se掩膜涂层由se刻蚀浆料制成,所述se刻蚀浆料含有水性基体树脂、水性增稠树脂、填料和酸液。
7、本实用新型提供了一种topcon电池背面se结构。具备以下有益效果:
8、(1)、本实用新型在topcon电池中设置了硅单晶片、隧穿氧化薄层和多纳米晶硅薄层,以保证较低的电阻率和较低的电流密度,同时,还在topcon电池背面设置了se结构的se掩膜涂层,通过se掩膜涂层可保证或提升电池片转换的效率。
9、(2)、本实用新型还设有氧化铝层、氮氧化硅层、氮化硅膜层和氧化硅层,提升了topcon电池的钝化结构,有利于减少光的反射,并提高太阳光的吸收,进而也可提高topcon电池光换电的效率。
1.一种topcon电池背面se结构,其特征在于:包括壳体(1),所述壳体(1)内部顶端设有硅单晶片(2),所述硅单晶片(2)底端设有隧穿氧化薄层(3),所述隧穿氧化薄层(3)底端设有多纳米晶硅薄层(4),所述多纳米晶硅薄层(4)底端设有氧化铝层(5),所述壳体(1)内部底端设有se掩膜涂层(9),所述se掩膜涂层(9)中设有呈等间距分布的分段,所述分段中设有多种形状,所述多种形状包括长方形、正方形、圆形和六边形。
2.根据权利要求1所述一种topcon电池背面se结构,其特征在于:所述氧化铝层(5)底端设有氮氧化硅层(6),所述氮氧化硅层(6)底端设有氮化硅膜层(7),所述氮化硅膜层(7)底端设有氧化硅层(8)。
3.根据权利要求1所述一种topcon电池背面se结构,其特征在于:所述壳体(1)底面对称设有正负电极(10)。
4.根据权利要求1所述一种topcon电池背面se结构,其特征在于:所述壳体(1)表面上涂有耐高温涂层。
5.根据权利要求1所述一种topcon电池背面se结构,其特征在于:所述se掩膜涂层(9)由se刻蚀浆料制成。