一种半导体沉积装置的制作方法

本技术涉及半导体加工设备，具体涉及一种半导体沉积装置。

背景技术：

1、半导体制程包含薄膜沉积处理，例如化学气相沉积，其主要通过将晶圆或基材放入沉积装置的腔体内的加热盘上，利用加热盘对晶圆加热，使晶圆或基材获得薄膜沉积所需的温度，并使腔体内保持反应所需的压力，以在晶圆或基材上沉积各种薄膜以制备半导体装置。

2、加热盘在腔体内的高度影响成膜质量，现有技术中能够实现加热盘升降的半导体沉积装置通过升降电机驱动加热盘升降。此种结构的沉积装置需设置升降电机，导致其制作成本增加。

技术实现思路

1、因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的半导体沉积装置制作成本高的缺陷。

2、为此，本实用新型提供一种半导体沉积装置，包括

3、支架；

4、腔体，具有腔室，所述腔体设于所述支架上；

5、加热部件，一端设于所述腔室内，另一端向下延伸出所述腔体；

6、手动驱动机构，包括升降部件和与所述升降部件配合的转动部件，所述升降部件可升降地连接于所述支架上，所述加热部件的另一端与所述升降部件连接，所述转动部件转动时驱动所述升降部件升降。

7、可选地，上述的半导体沉积装置，所述升降部件为丝杠螺母，所述转动部件为丝杠，所述丝杠可转动地设于所述支架上，所述丝杠螺母一侧连接所述加热部件的另一端、另一侧滑动连接所述支架。

8、可选地，上述的半导体沉积装置，所述手动驱动机构还包括滑动座，所述滑动座的两侧分别连接所述丝杠螺母和所述加热部件的另一端，所述滑动座通过导轨滑块机构滑动设于所述支架上。

9、可选地，上述的半导体沉积装置，所述加热部件包括加热盘和设于所述加热盘上的支撑轴，所述加热盘设于所述腔室内，所述支撑轴可滑动地穿设于所述腔体上；所述支撑轴的底部连接所述滑动座。

10、可选地，上述的半导体沉积装置，所述支撑轴与所述腔体之间设有密封件。

11、可选地，上述的半导体沉积装置，还包括柔性连接管，所述柔性连接管套设于所述支撑轴外，所述柔性连接管的两端分别与所述腔体和所述滑动座密封连接。

12、可选地，上述的半导体沉积装置，所述手动驱动机构还包括操作部，所述操作部连接所述转动部件，所述操作部转动以带动所述转动部件转动。

13、可选地，上述的半导体沉积装置，所述操作部为手轮。

14、可选地，上述的半导体沉积装置，还包括连接于所述支架上的锁止机构，所述丝杠螺母升降到位状态，所述锁止机构锁定所述丝杠。

15、可选地，上述的半导体沉积装置，所述锁止机构包括锁止块和紧固件，所述锁止块设于所述支架上，所述锁止块上设有包裹孔，所述丝杠穿设于所述包裹孔内，所述包裹孔一侧的所述锁止块上设有第一间隙，所述丝杠螺母升降到位状态，所述紧固件连接并锁紧所述第一间隙两侧的所述锁止块，以使所述包裹孔锁紧所述丝杠。

16、本实用新型技术方案，具有如下优点：

17、1.本实用新型提供的半导体沉积装置使用时，手动转动转动部件，转动部件带动加热部件升降，即可调节加热部件在腔室内的高度，半导体沉积装置结构简单，无需设置升降电机，以降低沉积装置的制作成本；并且相比现有技术中升降电机竖直设置于加热部件的底部，可减少半导体沉积装置在竖直方向的占用空间。

18、2.升降部件为丝杠螺母，转动部件为丝杠，丝杠可转动地设于支架上，手动转动丝杠底部，以带动丝杠螺母和加热部件升降。手动驱动机构结构简单，调节方便。

19、3.支撑轴与腔体之间设有密封件，以使支撑轴与腔体的底壁保持密封，保证腔体处于真空状态。

20、4.半导体沉积装置还包括柔性连接管，柔性连接管套设于支撑轴外。柔性连接管可进一步保证腔体的腔室的密封性，并且可进一步引导支撑轴平稳升降。

21、5.手动驱动机构还包括操作部，操作部连接转动部件，操作部转动以带动转动部件转动，以提高手动转动转动部件的便利性。

22、6.半导体沉积装置还包括锁止机构，丝杠螺母升降到位状态，锁止机构锁定丝杠，以防工作过程中丝杠转动，以使加热盘稳定保持在所需高度。

技术特征：

1.一种半导体沉积装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体沉积装置，其特征在于，所述升降部件(41)为丝杠螺母，所述转动部件(42)为丝杠，所述丝杠可转动地设于所述支架上，所述丝杠螺母一侧连接所述加热部件的另一端、另一侧滑动连接所述支架。

3.根据权利要求2所述的半导体沉积装置，其特征在于，所述手动驱动机构还包括滑动座(43)，所述滑动座(43)的两侧分别连接所述丝杠螺母和所述加热部件的另一端，所述滑动座(43)通过导轨滑块机构滑动设于所述支架上。

4.根据权利要求3所述的半导体沉积装置，其特征在于，所述加热部件包括加热盘(31)和设于所述加热盘(31)上的支撑轴(32)，所述加热盘(31)设于所述腔室内，所述支撑轴(32)可滑动地穿设于所述腔体上；所述支撑轴(32)的底部连接所述滑动座(43)。

5.根据权利要求4所述的半导体沉积装置，其特征在于，所述支撑轴(32)与所述腔体之间设有密封件。

6.根据权利要求4所述的半导体沉积装置，其特征在于，还包括柔性连接管(5)，所述柔性连接管(5)套设于所述支撑轴(32)外，所述柔性连接管(5)的两端分别与所述腔体和所述滑动座(43)密封连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体沉积装置，其特征在于，所述手动驱动机构还包括操作部(44)，所述操作部(44)连接所述转动部件(42)，所述操作部(44)转动以带动所述转动部件(42)转动。

8.根据权利要求7所述的半导体沉积装置，其特征在于，所述操作部(44)为手轮。

9.根据权利要求2至6中任一项所述的半导体沉积装置，其特征在于，还包括连接于所述支架上的锁止机构，所述丝杠螺母升降到位状态，所述锁止机构锁定所述丝杠。

10.根据权利要求9所述的半导体沉积装置，其特征在于，所述锁止机构包括锁止块(61)和紧固件(62)，所述锁止块(61)设于所述支架上，所述锁止块(61)上设有包裹孔(611)，所述丝杠穿设于所述包裹孔(611)内，所述包裹孔(611)一侧的所述锁止块(61)上设有第一间隙(612)，所述丝杠螺母升降到位状态，所述紧固件(62)连接并锁紧所述第一间隙(612)两侧的所述锁止块(61)，以使所述包裹孔(611)锁紧所述丝杠。

技术总结
本技术提供一种半导体沉积装置，其包括支架、腔体、加热部件和手动驱动机构，其中，腔体具有腔室，腔体设于支架上；加热部件一端设于腔室内，另一端向下延伸出腔体；手动驱动机构包括升降部件和与升降部件配合的转动部件，升降部件可升降地连接于支架上，加热部件的另一端与升降部件连接，转动部件转动时驱动升降部件升降。此结构的半导体沉积装置，手动转动转动部件，转动部件带动加热部件升降，即可调节加热部件在腔室内的高度，半导体沉积装置结构简单，无需设置升降电机，以降低沉积装置的制作成本；并且相比现有技术中升降电机竖直设置于加热部件的底部，可减少半导体沉积装置在竖直方向的占用空间。

技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：无锡金源半导体科技有限公司
技术研发日：20230411
技术公布日：2024/1/15