本申请属于引线框架,具体涉及一种带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具。
背景技术:
1、引线框架是半导体封装的基础材料,其作为集成电路的芯片载体,借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,起到和外部导线连接的桥梁作用。其主要功能就是为电路连接、散热、机械支撑等作用。目前集成电路的主要发展趋势是高密度、高脚位、薄型化、小型化,封装方式从最初的dip封装方式逐步向sop、qfp、bga、csp、qfn等封装方式发展。
2、蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量(weight reduction)仪器镶板,铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。
3、目前在蚀刻高脚位的蚀刻框架时,常规蚀刻框架为了后续切筋顺利,连接筋一般采用半蚀进行设计,在生产过程中这种设计易造成框架的变形,由于脚位较高,封装尺寸的限制,引脚采用并排交叉排列,长引脚采用背面半蚀,容易造成弯曲变形,降低产品的良率,影响生产速度。
4、因此,有必要提供一种带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具的方案来解决上述问题。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其可以解决背景技术中涉及的至少一个技术问题。
2、为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
3、一种带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,包括正面蚀刻模具和与所述正面蚀刻模具配合的背面蚀刻模具,所述正面蚀刻模具包括第一基岛、连接于所述第一基岛周侧的第一引脚、连接所述第一引脚的连筋以及连接所述第一基岛和所述连筋的座柱;所述背面蚀刻模具包括第二基岛、连接于所述第二基岛周侧的第二引脚以及连接所述第二引脚的加强筋,所述第二引脚包括并排交错设置的长引脚和短引脚,所述加强筋包括设置于所述长引脚上的第一部分和设置于所述连筋的第二部分。
4、可选的,所述第一引脚包括一端与所述第一基岛连接的内引脚和连接于所述内引脚远离所述第一基岛的一端的外引脚。
5、可选的,所述第一基岛为边长8.9mm的正方形,其上面设有半蚀区域,深度0.07~0.103mm。
6、可选的,所述连筋为半蚀刻设计,深度0.07~0.103mm。
7、可选的,所述座柱为半蚀刻设计,深度0.07~0.103mm。
8、可选的,所述第二基岛为边长8.7mm的正方形,左上角设计有尺寸0.35x0.35mm的缺口。
9、可选的,所述第一基岛的四条边均设有所述第一引脚。
10、可选的,所述第二基岛的四条边均设有所述第二引脚。
11、本实用新型的有益效果如下:
12、1、通过对连筋和引脚背面添加增强设计,增加产品的连筋的强度,减少生产过程中产生的变形不良,增加产品的良率。
13、2、增强产品的强度,可以方便生产,提升生产效率,减少人工成本。
1.一种带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,包括正面蚀刻模具和与所述正面蚀刻模具配合的背面蚀刻模具,所述正面蚀刻模具包括第一基岛、连接于所述第一基岛周侧的第一引脚、连接所述第一引脚的连筋以及连接所述第一基岛和所述连筋的座柱;所述背面蚀刻模具包括第二基岛、连接于所述第二基岛周侧的第二引脚以及连接所述第二引脚的加强筋,所述第二引脚包括并排交错设置的长引脚和短引脚,所述加强筋包括设置于所述长引脚上的第一部分和设置于所述连筋的第二部分。
2.根据权利要求1所述的带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,所述第一引脚包括一端与所述第一基岛连接的内引脚和连接于所述内引脚远离所述第一基岛的一端的外引脚。
3.根据权利要求1所述的带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,所述第一基岛为边长8.9mm的正方形,其上面设有半蚀区域,深度0.07~0.103mm。
4.根据权利要求1所述的带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,所述连筋为半蚀刻设计,深度0.07~0.103mm。
5.根据权利要求1所述的带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,所述座柱为半蚀刻设计,深度0.07~0.103mm。
6.根据权利要求1所述的带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,所述第二基岛为边长8.7mm的正方形,左上角设计有尺寸0.35x0.35mm的缺口。
7.根据权利要求5所述的带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,所述第一基岛的四条边均设有所述第一引脚。
8.根据权利要求6所述的带加强筋的高脚位qfn蚀刻模具,其特征在于,所述第二基岛的四条边均设有所述第二引脚。