一种高对比度的背光出光结构的制作方法

本技术涉及led，具体涉及一种高对比度的背光出光结构。

背景技术：

1、现有的led封装，由于相邻led之间存在间距，而led具有一定的发光范围，从而使得在两个相邻led交替间在显示区域周围出现光晕，导致光源整体的对比度降低，显示效果差。这种光晕效应是由于灯板上的光源泛光引起的，对此，在灯板上设置包围光源的围坝，利用围坝限制光源的点亮范围是比较有效的解决手段。

2、如在中国申请号为202210868771.7，公布日为2022.11.22的专利文献公开了一种灯板及其制作方法、背光模组；背光模组包括灯板和设置在灯板出光面上的光学膜材，灯板包括基板、发光芯片和网格围坝；发光芯片和网格围坝设置在基板上，发光芯片设有多颗，网格围坝包括多个第一挡墙和第二挡墙，第一挡墙沿基板长度方向设置，第二挡墙沿基板宽度方向设置；第一挡墙与第二挡墙交叉形成多个网格，发光芯片设置在网格中；在基板上设有封胶层，封胶层覆盖网格内全部区域，封胶层的高度大于或等于网格围坝的高度；学膜材包括层叠设置的扩散板和光转换膜，扩散膜对光进行均匀扩散，光转换膜将发光芯片发出的蓝光转换为白光。

3、该背光模组中，发光芯片的发出光会穿过封胶层进入到光扩散膜中进行扩散，然后射出背光模组；但是光扩散膜位于网格围坝的上方，网格围坝只能对封胶层内发光芯片的发出光进行阻挡；而到发光芯片的发出光进入到光扩散膜后，其会在光扩散膜中进行扩散；不同发光芯片的发出光会在光扩散膜中进行交汇；这样会出现光晕，导致光源整体的对比度降低，显示效果差。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种高对比度的背光出光结构，围坝延伸到光转换层的出光面，led芯片的发出光在光转换层中不会相互干涉，减少光晕的产生；背光结构的显示效果好。

2、为达到上述目的，本实用新型的技术方案是：一种高对比度的背光出光结构，包括基板，封装胶层、围坝和两个以上的led芯片，相邻led芯片间隔设置在基板上，围坝设置在基板上且位于相邻led芯片之间，封装胶层设置在基板上且覆盖led芯片和围坝，围坝远离基板的一端向封装胶层延伸设置，且围坝的顶部与封装胶层的顶部平齐。

3、以上设置，通过围坝对led芯片进行阻挡，避免相邻led芯片的发出光进行交汇；同时围坝延伸到封装胶层的出光面，led芯片的发出光在封装胶层中不会相互干涉，减少光晕的产生；在led芯片上方形成发光区域，在围坝上方形成不发光区域，不发光区域与发光区域之间的对比度大，使得背光结构的显示效果好。

4、进一步的，封装胶层包括第一透光层，第一透光层设置在基板上且覆盖led芯片和围坝。

5、以上设置，通过设置第一透光层，对led芯片发出光进行折射扩散，折射后的led芯片发出光与未发生折射的led芯片发出光混合，提升发光区域的出光亮度，进一步提升不发光区域与发光区域之间的对比度大。

6、进一步的，封装胶层还包括光转换层，光转换层设置在第一透光层的出光面，围坝远离基板的一端向光转换层延伸，且围坝的顶部与光转换层的顶部平齐。

7、以上设置，设置光转换层实现led芯片发出光的颜色转换。

8、进一步的，相邻围坝之间的距离沿远离光转换层一侧向靠近光转换层方向逐渐增大。

9、以上设置，在两围坝之间增大led芯片的出光范围；在避免相邻led芯片发出光交汇的同时，增大led芯片的出光角度。

10、进一步的，围坝为截面为弧形的围坝胶。

11、以上设置，使得围坝的周壁为弧形，防止出现尖角产生光的损失的情况。

12、进一步的，围坝为白胶。

13、以上设置，通过白胶对led芯片的发出光进行阻挡，避免邻led芯片的发出光进行交汇；同时白胶的表面对led芯片的发出进行反射，一部分被反射后的led芯片发出光被反射到led芯片表面，提升led芯片的出光亮度；另一部分被反射后的led芯片发出光进入到第一透光层内再次进行折射，使led芯片发出光在第一透光层中进行多次折射，从而通过折射后的led芯片发出光与未发生折射的led芯片发出光混合，进一步提升发光区域的出光亮度。

14、进一步的，光转换层为量子点膜。

15、以上设置，通过设置量子点膜实现led芯片颜色转换，同时能对led芯片发出光进行扩散混合，使得每个led芯片的发出光都在对应两围坝之间进行混合，led芯片发出光在两围坝之间的均匀性好。

16、进一步的，光转换层为包括荧光层和第二透明层，荧光层设置在第一透光层的出光面，第二透明层设置在荧光层的出光面；围坝的顶部与第二透明层的出光面平齐。

17、以上设置，通过荧光层实现led芯片颜色转换；通过第一透光层对led芯片发出光进行扩散混合，使得每个led芯片的发出光都在对应两围坝之间进行混合，ed芯片发出光在两围坝之间的均匀性好。

18、进一步的，led芯片为蓝光芯片。这样led芯片发出的蓝光与荧光层作用后转换为白光。

技术特征：

1.一种高对比度的背光出光结构，包括基板，封装胶层、围坝和两个以上的led芯片，相邻led芯片间隔设置在基板上，围坝设置在基板上且位于相邻led芯片之间，其特征在于：封装胶层设置在基板上且覆盖led芯片和围坝，围坝远离基板的一端向封装胶层延伸设置，且围坝的顶部与封装胶层的顶部平齐。

2.根据权利要求1所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：封装胶层包括第一透光层，第一透光层设置在基板上且覆盖led芯片和围坝。

3.根据权利要求2所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：封装胶层还包括光转换层，光转换层设置在第一透光层的出光面，围坝远离基板的一端向光转换层延伸，且围坝的顶部与光转换层的顶部平齐。

4.根据权利要求3所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：相邻围坝之间的距离沿远离光转换层一侧向靠近光转换层方向逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：围坝为截面为弧形的围坝胶。

6.根据权利要求1所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：围坝为白胶。

7.根据权利要求1所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：光转换层为量子点膜。

8.根据权利要求3所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：光转换层为包括荧光层和第二透明层，荧光层设置在第一透光层的出光面，第二透明层设置在荧光层的出光面；围坝胶的顶部与第二透明层的出光面平齐。

9.根据权利要求1所述的一种高对比度的背光出光结构，其特征在于：led芯片为蓝光芯片。

技术总结
本技术提供一种高对比度的背光出光结构，包括基板，封装胶层、围坝和两个以上的LED芯片，相邻LED芯片间隔设置在基板上，围坝设置在基板上且位于相邻LED芯片之间，封装胶层设置在基板上且覆盖LED芯片和围坝，围坝远离基板的一端向封装胶层延伸设置，且围坝的顶部与封装胶层的顶部平齐；LED芯片的发出光在光转换层中不会相互干涉，减少光晕的产生；在LED芯片上方形成发光区域，在围坝上方形成不发光区域，不发光区域与发光区域之间的对比度大，使得背光结构的显示效果好。

技术研发人员：陈彦铭,徐志文,陈永铭
受保护的技术使用者：广州市鸿利显示电子有限公司
技术研发日：20230621
技术公布日：2024/1/15