叠层母线排及IGBT模组的制作方法

本技术大致涉及母线排，尤其是一种叠层母线排及igbt模组。

背景技术：

1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

2、叠层母线排(又称复合母排、叠层母排)，是一种多层复合结构连接排，是具有可重复电气性能、低阻抗、抗干扰、可靠性好、节省空间、装配简洁快捷等特点的大功率模块化连接结构部件。

3、随着科学技术的进步，单个igbt的电流容量已经不能满足应用的需求，采用多个igbt并联来增大电流容量的方式日益增多，但是当多个igbt并联时，彼此间的均流问题成为影响性能和寿命的关键因素。目前，igbt大多采用复合母排并联，当igbt导通和截止时，叠层母线排中相同极性的相邻端子的电感将不相等且相差较大，进而使得并联的igbt的电流不相等且相差较大，这将容易导致igbt过载损坏，因此通常需要使用更大容量的igbt来避免过载，但这也会导致成本上升。

4、背景技术部分的内容仅仅是发明人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。

技术实现思路

1、针对现有技术中的一个或多个缺陷，本实用新型提供一种叠层母线排，包括：

2、第一母线排，所述第一母线排上间隔设置有多个第一端子；和

3、第二母线排，所述第二母线排上间隔设置有多个第二端子；

4、其中，所述第一母线排和所述第二母线排层叠设置；多个所述第一端子和多个所述第二端子一一对应，并且在第一方向上相交错；所述第一端子与相对应的第二端子轴对称，并且第一端子的中部与第二端子的中部交叉重叠。

5、根据本实用新型的一个方面，所述第一端子和所述第二端子分别包括：

6、外接部；

7、内接部；和

8、过渡部，连接在所述外接部和所述内接部之间，所述过渡部与所述第一方向之间具有预设夹角；

9、其中，所述第一端子的内接部与所述第一母线排连接，所述第二端子的内接部与所述第二母线排连接，所述第一端子的过渡部与所述第二端子的过渡部至少在中部交叉重叠；在每对相对应的第一端子与第二端子中，两个外接部之间的间隔与两个内接部之间的间隔相等。

10、根据本实用新型的一个方面，所述过渡部与所述第一方向之间的夹角为0°；所述外接部位于过渡部远离第一母线排或第二母线排的侧边，所述内接部位于过渡部靠近第一母线排或第二母线排的侧边。

11、根据本实用新型的一个方面，所述外接部上设置有通孔。

12、根据本实用新型的一个方面，所述外接部远离所述过渡部的一端设置有倒角。

13、根据本实用新型的一个方面，所述第一端子和所述第二端子上分别设置有一个或多个折弯。

14、根据本实用新型的一个方面，所述第一端子与所述第一母线排一体成型，所述第二端子与所述第二母线排一体成型。

15、根据本实用新型的一个方面，所述第一母线排上间隔设置有多个第一连接端子，所述第一连接端子与所述第一母线排一体成型，多个所述第一端子与多个所述第一连接端子一一对应并连接；

16、所述第二母线排上间隔设置有多个第二连接端子，所述第二连接端子与第二母线排一体成型，多个所述第二端子与多个所述第二连接端子一一对应并连接。

17、本实用新型还提供一种igbt模组，包括：

18、多个igbt；和

19、如上所述的叠层母线排；

20、其中，所述多个igbt通过所述叠层母线排并联。

21、与现有技术相比，本实用新型的实施例提供了一种叠层母线排及igbt模块，通过将第一端子与相对应的第二端子轴对称设置，并且第一端子的中部与第二端子的中部交叉重叠，使得导通和截止igbt时，叠层母线排中极性相同的相邻端子的电感相等或接近相等，进而使并联在叠层母线排并联的相邻igbt的电流相等或接近相等。

技术特征：

1.一种叠层母线排，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的叠层母线排，其特征在于，所述第一端子和所述第二端子分别包括：

3.根据权利要求2所述的叠层母线排，其特征在于，所述过渡部与所述第一方向之间的夹角为0°；所述外接部位于过渡部远离第一母线排或第二母线排的侧边，所述内接部位于过渡部靠近第一母线排或第二母线排的侧边。

4.根据权利要求2所述的叠层母线排，其特征在于，所述外接部上设置有通孔。

5.根据权利要求2所述的叠层母线排，其特征在于，所述外接部远离所述过渡部的一端设置有倒角。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的叠层母线排，其特征在于，所述第一端子和所述第二端子上分别设置有一个或多个折弯。

7.根据权利要求1-5中任意一项所述的叠层母线排，其特征在于，所述第一端子与所述第一母线排一体成型，所述第二端子与所述第二母线排一体成型。

8.根据权利要求1-5中任意一项所述的叠层母线排，其特征在于，所述第一母线排上间隔设置有多个第一连接端子，所述第一连接端子与所述第一母线排一体成型，多个所述第一端子与多个所述第一连接端子一一对应并连接；

9.一种igbt模组，其特征在于，包括：

技术总结
本技术提供了一种层叠母线排及IGBT模组。层叠母线排包括：第一母线排，所述第一母线排上间隔设置有多个第一端子；和第二母线排，所述第二母线排上间隔设置有多个第二端子；其中，所述第一母线排和所述第二母线排层叠设置；多个所述第一端子和多个所述第二端子一一对应，并且在第一方向上相交错；所述第一端子与相对应的第二端子轴对称，并且第一端子的中部与第二端子的中部交叉重叠。通过将第一端子与第二端子轴对称设置，并且第一端子的中部与第二端子的中部交叉重叠，可以使叠层母线排中极性相同的端子相邻端子的电感相等或接近相等，进而可以使通过叠层母线排并联的IGBT的电流相等或接近相等。

技术研发人员：郭超,李哲,王晓鸣,陈奉国
受保护的技术使用者：施耐德电气工业公司
技术研发日：20230630
技术公布日：2024/1/15