本技术涉及mos芯片焊接,尤其涉及一种mos芯片焊接定位结构。
背景技术:
1、mos芯片的加工过程中,需要进行与引脚的连接以及封装。现有技术中,多采用打线的方式进行mos芯片和引脚的电连接。mos芯片和引脚的连线较细,焊接过程中容易上浮或断裂,而且电流通过能力差。
2、为了提升电流通过能力以及避免焊接断裂问题,申请号为202011035819.3的专利申请中公开了一种clip结构to-220封装的mosfet及其制造方法,将铜clip放置在栅极及源极相应的位置上,利用焊接材料进行连接,可以减少焊接过程中的上浮和断裂问题。然而,由于其铜clip的体积较大,在焊接时,锡膏会熔化而流动,导致铜clip的偏移。此外,后续封装过程中,铜clip在注塑料的冲击下也容易变形而与基板相接触,降低了合格率,需要进行改进。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种mos芯片焊接定位结构,进行铜夹的定位,提升焊接和封装过程中的稳定性。
2、为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
3、一种mos芯片焊接定位结构,包括:mos芯片、铜夹、基板和定位块,所述铜夹包括第一铜夹和第二铜夹,所述mos芯片设置在基板的正面,所述第一铜夹设置在mos芯片的源极上并向基板的前端外侧延伸,所述第二铜夹设置在mos芯片的栅极上并向基板的前端外侧延伸,所述定位块设置在基板上并与第一铜夹及第二铜夹一一对应进行定位。
4、其中,所述定位块分别位于对应的铜夹的延伸路径上。
5、其中,所述定位块中分别设置有与铜夹对应的插槽。
6、其中,所述定位块分别采用绝缘陶瓷块。
7、其中,所述定位块的底部设置有与基板连接的胶黏剂。
8、其中,所述定位块的底部设置有向下插入基板的定位柱,所述基板上设置有与定位柱对应的定位孔。
9、其中,所述定位柱与定位孔过盈配合。
10、本实用新型的有益效果:一种mos芯片焊接定位结构,加装了定位块,进行铜夹在基板上的定位,避免铜夹在高温焊接过程中的偏移,提升了铜夹在mos芯片封装注塑过程中的稳定性,有利于提高产品的合格率。
1.一种mos芯片焊接定位结构,其特征在于,包括:mos芯片、铜夹、基板和定位块,所述铜夹包括第一铜夹和第二铜夹,所述mos芯片设置在基板的正面,所述第一铜夹设置在mos芯片的源极上并向基板的前端外侧延伸,所述第二铜夹设置在mos芯片的栅极上并向基板的前端外侧延伸,所述定位块设置在基板上并与第一铜夹及第二铜夹一一对应进行定位。
2.根据权利要求1所述的mos芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块分别位于对应的铜夹的延伸路径上。
3.根据权利要求1所述的mos芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块中分别设置有与铜夹对应的插槽。
4.根据权利要求1所述的mos芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块分别采用绝缘陶瓷块。
5.根据权利要求1所述的mos芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块的底部设置有与基板连接的胶黏剂。
6.根据权利要求1所述的mos芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块的底部设置有向下插入基板的定位柱,所述基板上设置有与定位柱对应的定位孔。
7.根据权利要求6所述的mos芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位柱与定位孔过盈配合。