一种硅片氧化层去除装置的制作方法

本技术涉及半导体加工，尤其涉及一种硅片氧化层去除装置。

背景技术：

1、半导体器件生产中硅片须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效，清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物，这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面，会导致各种缺陷，清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

2、现有技术中，硅片氧化层去除装置通过清洗器皿和升降存放框等组装，硅片放置在升降存放框中，从而收纳到清洗器皿的稀氢氟酸中进行氧化层的去除。

3、但是，上述硅片氧化层去除装置在浸泡去除氧化层的时候，堆积在一起的硅片具有一定吸附力，而升降存放框采用直上直下的方式工作，不能左右摆动，从而堆积在一起的硅片不能分离产生一定间隙空间，使得稀氢氟酸液不能和堆积在一起的硅片充分接触，这样在浸泡硅片氧化处理时不是很高效的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种硅片氧化层去除装置，升降浸泡收纳框因直线丝杠导轨模组的左右摆动，使得硅片本体可以晃动分离产生间隙，这样在浸泡时更加充分全面。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、一种硅片氧化层去除装置，包括直角顶板和底部箱体，所述直角顶板安装固定在底部箱体的上端位置上，所述底部箱体的上端左侧设置有氧化浸泡腔，所述底部箱体的上端右侧设置有干燥处理器，所述底部箱体的下端中间设置有支撑放置座，所述直角顶板的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组，所述直线丝杠导轨模组的下端设置有升降浸泡收纳框，所述升降浸泡收纳框的下端内侧设置有硅片本体。

4、通过以上技术方案：底部箱体通过下端的支撑放置座，从而底部箱体便于稳定支撑放置，在对硅片本体进行氧化层去除时，人员将硅片本体放置在升降浸泡收纳框中，而后升降浸泡收纳框因直线丝杠导轨模组位移到氧化浸泡腔上方，而后升降浸泡收纳框下降带动硅片本体浸泡到氧化浸泡腔的稀氢氟酸中进行氧化层的去除，浸泡时，升降浸泡收纳框因直线丝杠导轨模组的左右摆动，使得硅片本体可以晃动分离产生间隙，这样在浸泡时更加充分全面，浸泡一段时间后，升降浸泡收纳框上升到原有位置，而后升降浸泡收纳框因直线丝杠导轨模组移动到干燥处理器的上方，而后升降浸泡收纳框带动硅片本体位移干燥处理器的内部，从而干燥处理器可以有效干燥硅片本体，这样便于人员拿取使用。

5、本实用新型进一步设置为，所述干燥处理器包括风机机体、u型管道、外侧风板、托盘壳体和连接管道，所述托盘壳体的两端内侧设置有外侧风板，所述外侧风板的外端设置有连接管道，所述连接管道的外端设置有u型管道，所述u型管道的下端设置有风机机体，所述托盘壳体连接在底部箱体上。

6、通过以上技术方案：因干燥处理器结构，从而便于吹风干燥使用。

7、本实用新型进一步设置为，所述升降浸泡收纳框包括顶部面板、电动伸缩缸、顶部凹板、镂空玻璃框、外侧玻璃挡板和硅片存放腔，所述顶部面板的下端设置有电动伸缩缸，所述电动伸缩缸的下端设置有顶部凹板，所述顶部凹板的下端设置有镂空玻璃框，所述镂空玻璃框的前端内侧设置有外侧玻璃挡板，所述镂空玻璃框和外侧玻璃挡板之间设置有硅片存放腔，所述顶部面板连接在直线丝杠导轨模组上。

8、通过以上技术方案：因升降浸泡收纳框结构，从而便于升降浸泡去除氧化层。

9、本实用新型进一步设置为，所述支撑放置座包括顶部套管、电动伸长缸、凹型外壳和底部胶板，所述顶部套管的下端内侧设置有电动伸长缸，所述电动伸长缸的下端设置有凹型外壳，所述凹型外壳的下端设置有底部胶板，所述顶部套管连接在底部箱体上。

10、通过以上技术方案：因支撑放置座结构，从而便于稳定放置使用。

11、本实用新型进一步设置为，所述升降浸泡收纳框通过螺钉固定在直线丝杠导轨模组的丝杠滑块上。

12、通过以上技术方案：因升降浸泡收纳框通过螺钉固定在直线丝杠导轨模组的丝杠滑块上，从而便于安装固定使用。

13、本实用新型进一步设置为，所述底部箱体的下端四个拐角处上设置有带锁扣的转动万向轮。

14、通过以上技术方案：因底部箱体的下端四个拐角处上设置有带锁扣的转动万向轮，这样底部箱体便于稳定移动使用。

15、本实用新型进一步设置为，所述直角顶板和底部箱体通过焊接连接，且所述直角顶板和底部箱体的外侧对齐。

16、通过以上技术方案：因直角顶板和底部箱体通过焊接连接，且直角顶板和底部箱体的外侧对齐，从而便于安装固定住，而外侧对齐，这样在使用时不会发生阻碍。

17、本实用新型进一步设置为，所述支撑放置座和底部箱体通过套接连接，且所述支撑放置座套接在底部箱体的下端内侧凹槽中。

18、通过以上技术方案：因支撑放置座和底部箱体通过套接连接，且支撑放置座套接在底部箱体的下端内侧凹槽中，从而便于安装固定使用。

19、本实用新型的有益效果为：

20、1、通过升降浸泡收纳框上端直线丝杠导轨模组的左右摆动，使得升降浸泡收纳框下端内侧的硅片本体可以晃动分离产生间隙，这样在浸泡时更加充分全面。

21、2、通过设置有干燥处理器结构，从而便于干燥使用，干燥处理器的托盘壳体套接连接在底部箱体上，从而托盘壳体便于稳定放置，托盘壳体因两端的外侧风板，这样外侧风板便于接收u型管道中风机机体产生的风力，从而经过外侧风板便于快速吹干托盘壳体中的硅片本体。

技术特征：

1.一种硅片氧化层去除装置，包括直角顶板(4)和底部箱体(8)，其特征在于，所述直角顶板(4)安装固定在底部箱体(8)的上端位置上，所述底部箱体(8)的上端左侧设置有氧化浸泡腔(7)，所述底部箱体(8)的上端右侧设置有干燥处理器(6)，所述底部箱体(8)的下端中间设置有支撑放置座(5)，所述直角顶板(4)的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组(3)，所述直线丝杠导轨模组(3)的下端设置有升降浸泡收纳框(2)，所述升降浸泡收纳框(2)的下端内侧设置有硅片本体(1)。

2.根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置，其特征在于，所述干燥处理器(6)包括风机机体(61)、u型管道(62)、外侧风板(63)、托盘壳体(64)和连接管道(65)，所述托盘壳体(64)的两端内侧设置有外侧风板(63)，所述外侧风板(63)的外端设置有连接管道(65)，所述连接管道(65)的外端设置有u型管道(62)，所述u型管道(62)的下端设置有风机机体(61)，所述托盘壳体(64)连接在底部箱体(8)上。

3.根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置，其特征在于，所述升降浸泡收纳框(2)包括顶部面板(21)、电动伸缩缸(22)、顶部凹板(23)、镂空玻璃框(24)、外侧玻璃挡板(25)和硅片存放腔(26)，所述顶部面板(21)的下端设置有电动伸缩缸(22)，所述电动伸缩缸(22)的下端设置有顶部凹板(23)，所述顶部凹板(23)的下端设置有镂空玻璃框(24)，所述镂空玻璃框(24)的前端内侧设置有外侧玻璃挡板(25)，所述镂空玻璃框(24)和外侧玻璃挡板(25)之间设置有硅片存放腔(26)，所述顶部面板(21)连接在直线丝杠导轨模组(3)上。

4.根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置，其特征在于，所述支撑放置座(5)包括顶部套管(51)、电动伸长缸(52)、凹型外壳(53)和底部胶板(54)，所述顶部套管(51)的下端内侧设置有电动伸长缸(52)，所述电动伸长缸(52)的下端设置有凹型外壳(53)，所述凹型外壳(53)的下端设置有底部胶板(54)，所述顶部套管(51)连接在底部箱体(8)上。

5.根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置，其特征在于，所述升降浸泡收纳框(2)通过螺钉固定在直线丝杠导轨模组(3)的丝杠滑块上。

6.根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置，其特征在于，所述底部箱体(8)的下端四个拐角处上设置有带锁扣的转动万向轮。

7.根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置，其特征在于，所述直角顶板(4)和底部箱体(8)通过焊接连接，且所述直角顶板(4)和底部箱体(8)的外侧对齐。

8.根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置，其特征在于，所述支撑放置座(5)和底部箱体(8)通过套接连接，且所述支撑放置座(5)套接在底部箱体(8)的下端内侧凹槽中。

技术总结
本技术公开了一种硅片氧化层去除装置，涉及半导体加工技术领域，包括直角顶板和底部箱体，所述直角顶板安装固定在底部箱体的上端位置上，所述底部箱体的上端左侧设置有氧化浸泡腔，所述底部箱体的上端右侧设置有干燥处理器，所述底部箱体的下端中间设置有支撑放置座，所述直角顶板的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组，所述直线丝杠导轨模组的下端设置有升降浸泡收纳框，所述升降浸泡收纳框的下端内侧设置有硅片本体。本技术通过升降浸泡收纳框上端直线丝杠导轨模组的左右摆动，使得升降浸泡收纳框下端内侧的硅片本体可以晃动分离产生间隙，这样在浸泡时更加充分全面。

技术研发人员：田枫
受保护的技术使用者：苏州惠力达半导体材料有限公司
技术研发日：20230704
技术公布日：2024/1/15