一种避免引脚变形的MOS芯片封装结构的制作方法

文档序号:36528786发布日期:2023-12-29 21:10阅读:17来源:国知局
一种避免引脚变形的的制作方法

本技术涉及mos芯片封装领域,尤其涉及一种避免引脚变形的mos芯片封装结构。


背景技术:

1、mos芯片封装前,需要进行与引脚的连接,然后同引脚一起置入模具中,进行封装基体的注塑成型。

2、引脚的长度较大,但是截面小,强度低,在注塑过程中,引脚容易在注塑料的冲击作用下变形或者倾斜,降低了封装的合格率。申请号为202310312806.3的专利申请中公开了一种mos芯片封装结构及其封装方法,注塑前通过连筋进行引脚的连接,提升注塑时的稳定性,注塑后再进行连筋的切断,但是连筋对引脚的限位强度有限,而且增加了注塑后切断的工序,对散热效果也没有加强,需要进行改进。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种避免引脚变形的mos芯片封装结构,避免封装注塑时引脚的变形,提升散热效果。

2、为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:

3、一种避免引脚变形的mos芯片封装结构,包括:封装基体、mos芯片、基板、源极引脚、栅极引脚和定位座,所述基板设置在封装基体的背面并向上延伸,所述mos芯片设置在基板的正面并位于封装基体中,所述定位座设置在封装基体中并位于基板的下方,所述基板底部设置有向下延伸至封装基体下方并贯穿定位座的漏极引脚,所述源极引脚设置在mos芯片的源极上并向下贯穿定位座,所述栅极引脚设置在mos芯片的栅极上并向下贯穿定位座,所述定位座上设置有定位孔。

4、其中,所述封装基体采用绝缘塑胶封装基体。

5、其中,所述定位孔中设置有散热套。

6、其中,所述定位座的厚度与封装基体的厚度相同。

7、其中,所述定位座中设置有与漏极引脚对应的第一插槽。

8、其中,所述定位座中设置有与源极引脚对应的第二插槽以及与栅极引脚对应的第三插槽。

9、本实用新型的有益效果:一种避免引脚变形的mos芯片封装结构,定位座通过定位孔与封装基体注塑模具中的定位销配合,进行定位座的定位,并通过定位座实现对源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的支撑与定位,提升了封装基体注塑过程中源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的稳定性,减少变形问题,开模取出封装基体后,可以通过定位孔增强通风散热的效果,一举两得。



技术特征:

1.一种避免引脚变形的mos芯片封装结构,其特征在于,包括:封装基体、mos芯片、基板、源极引脚、栅极引脚和定位座,所述基板设置在封装基体的背面并向上延伸,所述mos芯片设置在基板的正面并位于封装基体中,所述定位座设置在封装基体中并位于基板的下方,所述基板底部设置有向下延伸至封装基体下方并贯穿定位座的漏极引脚,所述源极引脚设置在mos芯片的源极上并向下贯穿定位座,所述栅极引脚设置在mos芯片的栅极上并向下贯穿定位座,所述定位座上设置有定位孔。

2.根据权利要求1所述的避免引脚变形的mos芯片封装结构,其特征在于,所述封装基体采用绝缘塑胶封装基体。

3.根据权利要求1所述的避免引脚变形的mos芯片封装结构,其特征在于,所述定位孔中设置有散热套。

4.根据权利要求1所述的避免引脚变形的mos芯片封装结构,其特征在于,所述定位座的厚度与封装基体的厚度相同。

5.根据权利要求1所述的避免引脚变形的mos芯片封装结构,其特征在于,所述定位座中设置有与漏极引脚对应的第一插槽。

6.根据权利要求1所述的避免引脚变形的mos芯片封装结构,其特征在于,所述定位座中设置有与源极引脚对应的第二插槽以及与栅极引脚对应的第三插槽。


技术总结
本技术公开了一种避免引脚变形的MOS芯片封装结构,其包括:封装基体、MOS芯片、基板、源极引脚、栅极引脚和定位座,所述基板设置在封装基体的背面并向上延伸,所述MOS芯片设置在基板的正面并位于封装基体中,所述定位座设置在封装基体中并位于基板的下方,所述基板底部设置有向下延伸至封装基体下方并贯穿定位座的漏极引脚,所述源极引脚设置在MOS芯片的源极上并向下贯穿定位座,所述栅极引脚设置在MOS芯片的栅极上并向下贯穿定位座,所述定位座上设置有定位孔。本技术所述的避免引脚变形的MOS芯片封装结构,提升了封装基体注塑过程中源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的稳定性,减少变形问题,而且通风散热的效果好。

技术研发人员:周扬扬,周炳
受保护的技术使用者:德兴市意发功率半导体有限公司
技术研发日:20230708
技术公布日:2024/1/15
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