等离子体处理装置的制作方法

本技术涉及等离子体处理，尤其涉及一种等离子体处理装置。

背景技术：

1、如图1与图2所示，相关技术中的等离子体处理装置1'，往往包括具有处理腔室100'的设备箱体10'，设于处理腔室100'顶部的第一电极11'，设于处理腔室100'底部的第二电极12'，以及用于驱动第二电极12'升降的升降机构(图中未示出)，在对面板进行覆膜时，面板设置于第二电极12'的上方，处理腔室100'内填充有反应气体，通过使第一电极11'与第二电极12'相导通，来将反应气体转变为等离子态的等离子体，以在面板的表面均匀地反应并沉积形成膜层。

2、在使用等离子体处理装置1'对面板的表面进行覆膜的过程中，处理腔室100'的内壁以及第二电极12'的表面也会被沉积，第二电极12'表面的沉积物1a'堆积过多时，沉积物1a'易于直接接触设置于第二电极12'上方的面板，且在处理腔室100'内部的发生常压状态与真空状态的切换时，沉积物1a'还易于脱落而随着扰动的气流飘至被放置于处理腔室100'内的面板上，影响面板的覆膜良率，因此，相关技术中往往定期对等离子体处理装置1'的内部进行清洁，以去除等离子体处理装置1'的表面的沉积物。例如，公开号为cn101647099a的专利公开了等离子体处理装置的干式清洁方法，通过向处理腔室100'内输入反应气体，并使第一电极11'与第二电极12'通电，以使得反应气体变为等离子态，该反应气体能够与沉积物1a'发生化学反应，以生成与等离子体处理装置1'的表面结合力较差的反应物，从而便于去除，以实现去除等离子体处理装置1'的表面的沉积物1a'。

3、但是，由于等离子体处理装置1'的结构设置，是为了对位于第二电极12'的上方的面板实现均匀覆膜的效果，并未考虑在等离子体处理装置1'进行自清洁时，等离子体的清洁反应作用的均匀性，因此，尤其是对于第二电极12'的表面，会存在难以被足量的等离子体覆盖的清洁薄弱部分120'，导致在对等离子体处理装置1'进行清洁后，该清洁薄弱部分120'的表面仍易于存在残留的沉积物1a'。

4、如图2所示，举例而言，当为了使等离子体处理装置1'能够对长方形板状面板进行均匀的覆膜，而使第二电极12'为形状适配于面板的长方形板状，并且设备箱体10'也为长方体状，以使处理腔室100'的横截面形成为适配于第二电极12'的形状时，由于第二电极12'的尖角部分121'对应于处理腔室100'的角落处，因此第二电极12'的尖角部分121'与设备箱体10'的内壁之间的空间较大，而第二电极12'的边缘与设备箱体10'的内壁之间的空间较小。当从设备箱体10'的底部抽气，以在清洁反应的过程中供新输入的反应气体不断接触第二电极12’，同时吸出反应物颗粒时，气体在第二电极12'的尖角部分121'与设备箱体10'的内壁之间的流速较小，在第二电极12'的边缘与设备箱体10'的内壁之间的流速较大，从而导致第二电极12'上方的等离子体更易于流向第二电极12'的边缘与设备箱体10'的内壁之间，第二电极12'的尖角部分121'难以充分地接触等离子体，从而第二电极12'的尖角部分121'附着的沉积物1a'难以被充分反应去除，该第二电极12'的尖角部分121'的表面形成为清洁薄弱部分120'。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提出一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置的自清洁效果更好，更加能够避免等离子体处理装置表面附着的沉积物掉落至面板的情况，以能够提升面板的覆膜良率。

2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、提供的一种等离子体处理装置，包括：

4、设备箱体，所述设备箱体具有处理腔室，所述处理腔室具有相对的顶部空间与底部空间；

5、第一电极，所述第一电极设于所述顶部空间；

6、第二电极，所述第二电极设于所述底部空间，所述第二电极与所述第一电极间隔相对，所述第二电极的表面具有清洁薄弱部分；

7、升降机构，所述升降机构连接于所述第二电极，所述升降机构能够驱动所述第二电极在所述顶部空间与所述底部空间的相对方向上升降；以及，

8、导流机构，所述导流机构设于所述处理腔室内，所述导流机构包括导流板以及传动结构，所述导流板具有相对的第一端以及第二端，所述第一端铰接于所述设备箱体，且所述第一端邻近于所述第一电极，所述第二端铰接于所述传动结构，所述传动结构还连接于所述第二电极，所述传动结构能够跟随所述第二电极升降，以能够将所述第二端抬起，使所述第二端指向所述清洁薄弱部分，或能够将所述第二端放下。

9、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述导流板为平直的板状；或者，

10、所述导流板为部分弯折的板状，所述导流板的朝向所述第二电极的一侧形成凹陷，沿自所述第一端向所述第二端的方向上，所述凹陷延伸至所述第二端。

11、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述导流板具有弹性。

12、作为等离子体处理装置的一种优选方案，沿垂直于所述第一端与所述第二端的相对方向的方向上，所述导流板具有宽度，所述导流板在所述第一端处的宽度，小于所述导流板在所述第一端与所述第二端之间处的宽度。

13、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述第一端设有第一铰接部，所述第一铰接部铰接于所述设备箱体；和/或，

14、所述第二端设有第二铰接部，所述第二铰接部铰接于所述传动结构，所述第二铰接部至少部分连接于所述第二端的端面，或者，所述第二铰接部与所述第二端的端面相间隔，且所述第二铰接部设置于所述第二端的外周。

15、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述第二端指向所述清洁薄弱部分的指向方向与竖直向下的方向之间呈夹角θ1，10°≤θ1≤60°。

16、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述传动结构包括固定传动件以及活动件，所述固定传动件的一端连接于所述第二电极，所述固定传动件的另一端铰接于所述活动件，所述活动件的远离所述固定传动件的一端铰接于所述第二端。

17、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述传动结构还包括第一滑动导向件以及第二滑动导向件，所述第一滑动导向件设置于所述处理腔室内，且所述第一滑动导向件连接于所述设备箱体的内壁，所述第二滑动导向件连接于所述固定传动件的远离所述第二电极的一端，且所述第二滑动导向件铰接于所述活动件，所述第二滑动导向件配合连接于所述第一滑动导向件，且所述第二滑动导向件能够相对所述第一滑动导向件进行沿所述顶部空间与所述底部空间的相对方向的滑动。

18、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述第一端设有第一铰接部，所述第一铰接部铰接于所述设备箱体，所述第二端设有第二铰接部，所述第二铰接部铰接于所述活动件，所述活动件的远离所述第二端的一端设有第三铰接部，所述第三铰接部铰接于所述固定传动件；

19、第一轴线同时穿过所述第一铰接部的铰接点以及所述第二铰接部的铰接点，第二轴线同时穿过所述第二铰接部的铰接点以及所述第三铰接部的铰接点，所述第一轴线与所述第二轴线之间呈夹角θ2，θ2＜180°。

20、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述等离子体处理装置还包括多个生产物料定位件，所述生产物料定位件位于所述处理腔室内，且所述设备箱体的至少相对的两侧壁面上分别设有所述生产物料定位件；

21、沿自所述顶部空间向所述底部空间的方向上，所述生产物料定位件在所述设备箱体上的投影与所述导流板在所述设备箱体上的投影相错开。

22、作为等离子体处理装置的一种优选方案，所述第二电极的周部形成有尖角部分，所述尖角部分靠近所述处理腔室的角落处，所述尖角部分为所述清洁薄弱部分，且所述导流板设于所述处理腔室的角落处。

23、本实用新型相比于现有技术的有益效果：

24、本实用新型的等离子体处理装置，通过在处理腔室内设置导流机构，并使导流机构的导流板的第二端能够指向第二电极的清洁薄弱部分，以在等离子体处理装置进行自清洁时，使更多的用于清洁的等离子体能够在导流板的导流作用下流向清洁薄弱部分，从而提升等离子体处理装置的自我清洁效果，更加能够避免等离子体处理装置表面附着的沉积物掉落至面板的情况，以能够提升面板的覆膜良率。

25、更加地，通过使传动结构连接于第二电极，以使传动结构能够跟随第二电极升降，从而一方面，传动结构能够将第二端抬起，以使第二端指向清洁薄弱部分，还能够将第二端放下，以使导流板整体靠近设备箱体的箱壁，从而使导流板对处理腔室内的空间占用较小，以在例如取放面板的过程中，使得导流板不易于与面板发生碰撞，另一方面，通过使传动结构跟随第二电极升降，以能够对升降机构进行结构复用，无需额外设置其他的驱动机构来实现将第二端抬起或放下，能够使得等离子体处理装置的结构简单、紧凑。