一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构的制作方法

文档序号:37307412发布日期:2024-03-13 20:55阅读:10来源:国知局
一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构的制作方法

本技术涉及半导体加工,特别是涉及一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构。


背景技术:

1、在半导体晶圆退火或薄膜沉积工艺中,需要对处理过的半导体晶圆进行冷却处理,并且部分还需要在真空环境中进行冷却,而现有技术中通常在处理装置外再单独设置一冷却空间,以便将处理好的晶圆取出并转移至冷却空间内进行冷却处理,前述方式需单独设置冷却空间,并且要求此冷却空间满足如真空等条件,造成设备及工艺过程复杂。


技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构来实现于反应腔室内的原位冷却,无需另设冷却措施。

2、一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其包括垂向布设的第一腔室和第二腔室;所述低温腔室结构还包括:

3、位于所述第一腔室内的冷却装置和承载台、开设在所述承载台台面处的四组承载槽、开设在所述承载台中心位置处的定位腔、和定位腔相适配的托台、用于驱动所述承载台作圆周运动的旋转机构、用于驱动所述托台作升降运动的垂直传送机构、以及水平传送机构。

4、在其中一个实施例中,所述第一腔室位于所述第二腔室的上方;所述第一腔室开第二腔室之间开设有通孔,其用于提供所述托台的通过通道。

5、在其中一个实施例中,所述承载台台底和第一腔室内壁底部相接触;四组所述承载槽均匀布设在所述托台的四周位置处,且托台通过定位腔活动安装在所述承载台内。

6、在其中一个实施例中,所述旋转机构包括滑动贯穿所述第一腔室底部布设的转台、位于所述第一腔室下方且固定安装在转台上的齿条、和所述齿条相啮合的驱动齿轮、用于驱动所述驱动齿轮的旋转电机。

7、进一步地,所述转台固定安装在所述承载台台底处,所述齿条环绕转台布设;所述旋转电机位于所述垂直传送机构的相对应一侧位置处,且驱动齿轮固定套设在旋转电机输出端处。

8、在其中一个实施例中,所述垂直传送机构装设在第一腔室的下方,所述转台和承载台之间开设有顶出腔,其和所述垂直传送机构的输出端相适配。

9、进一步地,所述顶出腔的顶端和定位腔相连通,所述托台的底部开设有和垂直传送机构输出端相适配的对位槽。

10、在其中一个实施例中,所述承载槽用于定位置放晶圆承载装置,所述水平传送机构用于带动晶圆承载装置作平移运动。

11、进一步地,所述水平传送机构装设在第一腔室外部,且位于第一腔室的相对应一侧位置处。

12、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:低温腔室结构可将处理好的晶圆承载装置先放到低温腔中冷却,等冷却后再取出,并且不影响后续待处理晶圆承载装置加工操作,无需另设冷却措施,可实现于反应腔室内的原位冷却。



技术特征:

1.一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其包括垂向布设的第一腔室(1)和第二腔室(2);其特征在于,所述低温腔室结构还包括:

2.根据权利要求1所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述第一腔室(1)位于所述第二腔室(2)的上方;

3.根据权利要求1所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述承载台(4)台底和第一腔室(1)内壁底部相接触;

4.根据权利要求1所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述旋转机构(8)包括滑动贯穿所述第一腔室(1)底部布设的转台(81)、位于所述第一腔室(1)下方且固定安装在转台(81)上的齿条(82)、和所述齿条(82)相啮合的驱动齿轮(83)、用于驱动所述驱动齿轮(83)的旋转电机。

5.根据权利要求4所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述转台(81)固定安装在所述承载台(4)台底处,所述齿条(82)环绕转台(81)布设;

6.根据权利要求5所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述垂直传送机构(9)装设在第一腔室(1)的下方,所述转台(81)和承载台(4)之间开设有顶出腔,其和所述垂直传送机构(9)的输出端相适配。

7.根据权利要求6所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述顶出腔的顶端和定位腔(6)相连通,所述托台(7)的底部开设有和垂直传送机构(9)输出端相适配的对位槽。

8.根据权利要求1所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述承载槽(5)用于定位置放晶圆承载装置,所述水平传送机构(10)用于带动晶圆承载装置作平移运动。

9.根据权利要求8所述的一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其特征在于,所述水平传送机构(10)装设在第一腔室(1)外部,且位于第一腔室(1)的相对应一侧位置处。


技术总结
本技术公开了一种利于半导体晶圆冷却处理的低温腔室结构,其包括第一腔室、第二腔室、冷却装置、位于第一腔室内的承载台、开设在承载台台面处的四组承载槽、开设在承载台中心位置处的定位腔、通过定位腔活动安装在承载台内的托台、用于驱动承载台作圆周运动的旋转机构、用于驱动托台作升降运动的垂直传送机构、以及用于带动晶圆承载装置作平移运动的水平传送机构。旋转机构包括转台、固定安装在转台上的齿条、和齿条相啮合的驱动齿轮。本技术可将处理好的晶圆承载装置先放到低温腔中冷却,等冷却后再取出,并且不影响后续待处理晶圆承载装置加工操作,无需另设冷却措施,可实现于反应腔室内的原位冷却。

技术研发人员:郑国,殷浩,杨正平,张俊峰
受保护的技术使用者:上海衍梓智能科技有限公司
技术研发日:20230731
技术公布日:2024/3/12
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