一种LED芯片的制作方法

本技术涉及led芯片领域，尤其涉及一种led芯片。

背景技术：

1、随着led技术的快速发展以及led光效的逐步提高，led的应用也越来越广泛，人们越来越关注led在照明市场的发展前景。led芯片，作为led灯的核心组件，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括外延片和分别设置在外延片上的n型电极和p型电极。所述外延片包括p型半导体层、n型半导体层以及位于所述n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，当有电流通过led芯片时，p型半导体中的空穴和n型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得led芯片发光。

2、目前，led芯片的n型电极和p型电极大多采用金锡电极，即通过金锡合金直接与作为电流扩展层的金单质接触；随着led芯片工作时间的推移，其工作电流势必会产生的一定的温度，尤其是大功率led芯片，极易产生金锡合金与金单质进一步互熔的现象；然而，由于金锡合金的导电率远小于金单质的导电率(其中，金锡合金的导电率为6.1*102s/m，金的导电率为4.5*107s/m)，作为电流扩展层的金势必会被消耗殆尽，因此造成其工作电压不断升高，最终将导致led芯片失效。同时，通过金锡合金直接与作为电流扩展层的金单质接触制作金锡电极，其化学稳定性差，极易与外界的酸碱反应。此外，将金锡电极作为n型电极和p型电极直接与led芯片的外延片接触，极易脱落，影响产品的使用寿命。最后，金的价格昂贵，使产品的成本高。

3、有鉴于此，本发明人专门设计了一种led芯片，本案由此产生。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供led芯片，以解决现有技术中因led芯片的电极所带来的工作电压升高、稳定性差、使用寿命短及成本高的技术问题。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

3、一种led芯片，包括：

4、衬底及设置于所述衬底表面的外延叠层；所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

5、第一电极，其通过与所述第一型半导体层连接的方式，用于作为第一接触电极；

6、第二电极，其通过与所述第二型半导体层连接的方式，用于作为第二接触电极；

7、其中，所述第一电极和/或第二电极包括au、al、ag、ni、be、cr、ti、zn、pt、w、ta中的至少两种的堆叠结构。

8、优选地，所述第一电极和/或第二电极包括含au层和al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为au层。

9、优选地，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连。

10、优选地，所述第一电极和/或第二电极包括交替堆叠的au层和al层。

11、优选地，所述第一电极和/或第二电极表面的au层为au顶层，且au顶层的厚度大于其余任意一au层的厚度。

12、优选地，所述led芯片包括垂直结构led芯片，则所述衬底包括导电基板，且所述第一电极设置于所述导电基板背离所述外延叠层的一侧表面，所述第二电极设置于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面。

13、优选地，所述第二电极包括含au层和al层的至少两种的堆叠结构，且所述第二电极的表面为au层。

14、优选地，所述led芯片包括水平结构led芯片，则所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且所述第一电极设置于所述凹槽与所述第一型半导体层连接，所述第二电极设置于所述台面与所述第二型半导体层连接。

15、优选地，所述第二电极和/或第一电极包括含au层和al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为au层。

16、经由上述的技术方案可知，本实用新型提供的led芯片，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括au、al、ag、ni、be、cr、ti、zn、pt、w、ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含au层和al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为au层，通过al层中和au层的价格，同时表面为化学性质稳定的au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。

17、其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。

18、最后，所述第一电极和/或第二电极表面的au层为au顶层，且au顶层的厚度大于其余任意一au层的厚度，可更好地实现电极保持低内阻的效果。

技术特征：

1.一种led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极包括含au层和al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为au层。

3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连。

4.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极包括交替堆叠的au层和al层。

5.根据权利要求3所述的led芯片，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极表面的au层为au顶层，且au顶层的厚度大于其余任意一au层的厚度。

6.根据权利要求1至5任一项所述的led芯片，其特征在于，所述led芯片包括垂直结构led芯片，则所述衬底包括导电基板，且所述第一电极设置于所述导电基板背离所述外延叠层的一侧表面，所述第二电极设置于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面。

7.根据权利要求6所述的led芯片，其特征在于，所述第二电极包括含au层和al层的至少两种的堆叠结构，且所述第二电极的表面为au层。

8.根据权利要求1至5任一项所述的led芯片，其特征在于，所述led芯片包括水平结构led芯片，则所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且所述第一电极设置于所述凹槽与所述第一型半导体层连接，所述第二电极设置于所述台面与所述第二型半导体层连接。

9.根据权利要求8所述的led芯片，其特征在于，所述第二电极和/或第一电极包括含au层和al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为au层。

技术总结
本技术提供了一种LED芯片，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。

技术研发人员：林志伟,李敏华,罗桂兰,曲晓东,杨克伟,陈凯轩,崔恒平
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
技术研发日：20230814
技术公布日：2024/3/21