一种半桥功率模块封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种半桥功率模块封装结构。

背景技术：

1、传统sic功率器件封装是将sic芯片焊接在dbc(direct bonding copper，覆铜板)上，利用金属键合的方式将sic芯片上表面与独立的金属层相连，dbc铜层焊接在散热底板上，散热底板直接与外壳相连进行散热，不同层间通过焊料层连接。

2、当前，sic功率器件封装厂发现hpd封装工艺无法发挥sic材料的最大优势，因而现有sic封装工艺的工作结温、杂散电感以及功率循环可靠性等较为低下。

技术实现思路

1、本实用新型实施例通过提供一种半桥功率模块封装结构，解决了现有功率器件工作结温较高，且杂散电感以及功率循环可靠性低下的技术问题。

2、本实用新型通过本实用新型的一实施例，提供了一种半桥功率模块封装结构，包括：基板、半桥驱动芯片、散热底板以及金属引线框架；

3、所述半桥驱动芯片的顶面通过金属键合线与所述基板的金属导线电性连接；所述半桥驱动芯片的另一面与所述基板固定连接；

4、所述基板的金属导线与所述金属引线框架电性连接；

5、所述散热底板与所述基板的背面贴合。

6、可选的，所述半桥驱动芯片上覆盖有绝缘层，且所述金属键合线位于所述绝缘层内。

7、可选的，所述绝缘层还将所述基板以及所述基板与所述金属引线框架焊接的区域包裹；所述金属引线框架的其余区域暴露在所述绝缘层外。

8、可选的，所述绝缘层的材质为环氧树脂。

9、可选的，所述半桥驱动芯片的顶面烧结有金属层，所述金属层与所述金属键合线电性连接。

10、可选的，所述金属层的材质为铜。

11、可选的，所述散热底板设置有多张鳍片或多个不相连的凸起。

12、可选的，所述散热底板的材质为铜镀镍。

13、可选的，所述基板包括amb绝缘陶瓷基板。

14、可选的，所述半桥驱动芯片包括碳化硅半桥驱动芯片。

15、本实用新型实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

16、本实用新型实施例提供的半桥功率模块封装结构包括：基板、半桥驱动芯片、散热底板以及金属引线框架。半桥驱动芯片的顶面通过金属键合线与基板的金属导线电性连接，半桥驱动芯片的另一面与基板固定连接，能够更好地发挥半桥驱动芯片的性能，提高半桥驱动芯片的可靠性。基板的金属导线与金属引线框架电性连接，散热底板又与基板的背面贴合，能够及时地带走基板上的热量，提高了半桥驱动芯片的工作结温。半桥驱动芯片能够在合适的温度范围内更加稳定地工作，也提高了半桥功率模块的可靠性。

技术特征：

1.一种半桥功率模块封装结构，其特征在于，包括：基板、半桥驱动芯片、散热底板以及金属引线框架；

2.如权利要求1所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述半桥驱动芯片上覆盖有绝缘层，且所述金属键合线位于所述绝缘层内。

3.如权利要求2所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述绝缘层还将所述基板以及所述基板与所述金属引线框架焊接的区域包裹；

4.如权利要求2或3所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述绝缘层的材质为环氧树脂。

5.如权利要求4所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述半桥驱动芯片的顶面烧结有金属层，所述金属层与所述金属键合线电性连接。

6.如权利要求5所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述金属层的材质为铜。

7.如权利要求6所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述散热底板设置有多张鳍片或多个不相连的凸起。

8.如权利要求7所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述散热底板的材质为铜镀镍。

9.如权利要求8所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述基板包括amb绝缘陶瓷基板。

10.如权利要求9所述的半桥功率模块封装结构，其特征在于，所述半桥驱动芯片包括碳化硅半桥驱动芯片。

技术总结
本技术实施例提供了一种半桥功率模块封装结构，该半桥功率模块封装结构包括：基板、半桥驱动芯片、散热底板以及金属引线框架。半桥驱动芯片的顶面通过金属键合线与基板的金属导线电性连接，半桥驱动芯片的另一面与基板固定连接，能够更好地发挥半桥驱动芯片的性能，提高半桥驱动芯片的可靠性。基板的金属导线与金属引线框架电性连接，散热底板又与基板的背面贴合，能够及时地带走基板上的热量，提高了半桥驱动芯片的工作结温。半桥驱动芯片能够在合适的温度范围内更加稳定地工作，也提高了半桥功率模块的可靠性。

技术研发人员：吕灿君,高阳,朱江海,周涛
受保护的技术使用者：合肥钧联汽车电子有限公司
技术研发日：20230822
技术公布日：2024/4/24