紫外器件多引脚型封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装领域，特别涉及一种紫外器件多引脚型封装结构。

背景技术：

1、现有技术中，波长在200-280nm波段内的深紫外uvc led器件，基于其安全、环保、可靠性高、轻量化等诸多优势，已经广泛应用于消毒杀菌、检测分析、紫外光通信等多应用场景领域，随着产业以及市场不断地向高质量智造型发展深入，对深紫外器件的各项性能与功能的要求也随之有所提高，尤其在紫外光通信领域要求更高。

2、目前，紫外光通信中的深紫外光子在大气中主要以散射传播等方式进行信号的传递，传输过程中会有光子衰减损失，进而影响了信号准确地传输与接收，目前用于探测捕捉紫外光子的探测芯片通常独立封装外置于发射芯片器件，结构较复杂不利于使用且成本较高。

3、有鉴于此，本技术方案提供一种探测芯片与发射芯片一起封装于同一个多引脚封装结构器件的方案，使得器件结构简单便于安装使用，且多引脚极柱分别可以与探测芯片、发射芯片分别导通，进而灵活地提高调整控制器件的准确度与响应灵敏度。

技术实现思路

1、本实用新型技术方案旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的主要目的在于提供一种紫外器件多引脚型封装结构，旨在解决现有技术中用于探测捕捉紫外光子的探测芯片通常独立封装外置于发射芯片器件导致的结构复杂，且不具备控制器件灵敏度及准确度灵活提高调整的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供一种紫外器件多引脚型封装结构，包括器件主体，及封扣于所述器件主体上的管帽及透镜，所述器件主体包括基座，及设置于所述基座上的垫片，所述垫片为绝缘层结构，且所述垫片底部设有固定焊盘，所述垫片顶部一侧设有第一功能焊盘及第二功能焊盘，所述垫片顶部另一侧设有第三功能焊盘及第四功能焊盘，所述第一功能焊盘与第二功能焊盘之间连接设有探测芯片，所述第三功能焊盘与第四功能焊盘之间连接设有发射芯片，

3、位于所述第一功能焊盘、第二功能焊盘、第三功能焊盘、第四功能焊盘的附近分别导通设有第一极柱、第二极柱、第三极柱、第四极柱，且各极柱穿过所述基座底部后与外部连通。

4、作为本实用新型再进一步的方案，所述垫片为陶瓷绝缘层结构。

5、作为本实用新型再进一步的方案，所述第一极柱、第二极柱、第三极柱、第四极柱穿过所述基座表面后，于根部形成用于与所述固定焊盘绝缘的绝缘套。

6、作为本实用新型再进一步的方案，所述发射芯片一侧设有稳压二极管，所述稳压二极管底部连接于所述第三功能焊盘及所述第四功能焊盘上。

7、作为本实用新型再进一步的方案，所述透镜为球形石英玻璃结构。

8、作为本实用新型再进一步的方案，所述基座内圈设有凸台，所述管帽外圈设有用于与所述凸台形成便于提高固定强度，且利于焊接的外沿。

9、作为本实用新型再进一步的方案，所述管帽为金属帽结构。

10、本实用新型的有益效果如下：

11、本实用新型提出的紫外器件多引脚型封装结构，采用深紫外探测芯片与深紫外发射芯片一起封装于同一个多引脚封装结构器件内的方案，使得器件结构简单便于安装使用，并且多引脚电极柱分别可以与深紫外探测芯片、深紫外发射芯片分别导通，进而灵活地提高调整控制器件的准确度与响应灵敏度。

技术特征：

1.一种紫外器件多引脚型封装结构，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的紫外器件多引脚型封装结构，其特征在于，所述垫片为陶瓷绝缘层结构。

3.根据权利要求1所述的紫外器件多引脚型封装结构，其特征在于，所述第一极柱、第二极柱、第三极柱、第四极柱穿过所述基座表面后，于根部形成用于与所述固定焊盘绝缘的绝缘套。

4.根据权利要求1所述的紫外器件多引脚型封装结构，其特征在于，所述发射芯片一侧设有稳压二极管，所述稳压二极管底部连接于所述第三功能焊盘及所述第四功能焊盘上。

5.根据权利要求1所述的紫外器件多引脚型封装结构，其特征在于，所述透镜为球形石英玻璃结构。

6.根据权利要求1所述的紫外器件多引脚型封装结构，其特征在于，所述基座内圈设有凸台，所述管帽外圈设有用于与所述凸台形成便于提高固定强度，且利于焊接的外沿。

7.根据权利要求1所述的紫外器件多引脚型封装结构，其特征在于，所述管帽为金属帽结构。

技术总结
本技术公开了一种紫外器件多引脚型封装结构，包括器件主体，及封扣于器件主体上的管帽及透镜，器件主体包括基座、垫片，垫片底部设有固定焊盘，垫片顶部一侧设有第一功能焊盘及第二功能焊盘，另一侧设有第三功能焊盘及第四功能焊盘，第一功能焊盘与第二功能焊盘之间连接设有探测芯片，第三功能焊盘与第四功能焊盘之间连接设有发射芯片，位于第一功能焊盘、第二功能焊盘、第三功能焊盘、第四功能焊盘的附近分别导通设有第一极柱、第二极柱、第三极柱、第四极柱。本技术解决了现有技术中用于探测捕捉紫外光子的探测芯片通常独立封装外置于发射芯片器件导致的结构复杂，且不具备控制器件灵敏度及准确度灵活提高调整的问题。

技术研发人员：魏峰,李茂南
受保护的技术使用者：紫芯半导体（深圳）有限公司
技术研发日：20230920
技术公布日：2024/4/24