一种桥式混合TSV集成电路封装结构及封装方法与流程

：本发明属于集成电路封装，特别涉及一种桥式混合tsv集成电路封装结构及封装方法。

背景技术

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背景技术：

1、传统的引线键合封装技术如图1所示，该技术在z轴的方向上需要预留足够的空间，这样对产品的集成就存在一定的限制。另外一种常用的是倒装芯片的技术，是通过凸点焊接技术来实现封装，如图2所示，同样，该技术在进行多个芯片堆叠封装时，也存在一定的空间上的限制。而随着电子产品轻薄化的发展趋势，对集成电路的轻薄化要求也越来越高，因此，如何在有限的空间内集成多种功能不同的芯片成为亟待解决的问题。

2、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

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技术实现要素：

1、本发明的目的在于提供一种桥式混合tsv集成电路封装结构及封装方法，从而克服上述现有技术中的缺陷。

2、为了实现上述目的，本发明提供了一种桥式混合tsv集成电路封装结构，包括：

3、基板；

4、元器件，所述元器件贴装在基板上；

5、第一芯片，所述第一芯片至少有两个，并排贴装在基板上，所述第一芯片设有贯穿的通孔，所述通孔内填充金属材料；

6、第二芯片，所述第二芯片贴装在两个相邻的第一芯片上；

7、塑封料，所述塑封料将元器件、第一芯片、第二芯片封装在基板上。

8、进一步的，作为优选，所述第一芯片上叠装有若干层芯片，每层芯片均设有贯穿的通孔，所述通孔内填充金属材料，相邻两层芯片通过通孔内的填充金属导通。

9、进一步的，作为优选，所述通孔内的填充金属材料为cu材料。

10、进一步的，作为优选，所述第一芯片通过热压胶贴装在基板上，所述第二芯片通过热压胶贴装在第一芯片上。

11、一种封装上述桥式混合tsv集成电路结构的方法，包括以下步骤：

12、在基板上制作焊盘开窗；

13、将开设了通孔的至少两个第一芯片并排贴装到基板上，同时将元器件也贴装到基板上；

14、将第二芯片贴装到两块第一芯片上，进行混合集成；

15、采用塑封料对元器件、第一芯片、第二芯片进行封装；

16、在基板的背面制作信号导出结构。

17、进一步的，作为优选，所述第一芯片上还垂直叠装有若干层芯片。

18、进一步的，作为优选，所述第一芯片的通孔内填充金属材料。

19、进一步的，作为优选，所述信号导出结构为锡球。

20、与现有技术相比，本发明的一个方面具有如下有益效果：

21、本发明通过对第一芯片开设通孔，通过内部垂直方向的通孔实现多层芯片以及与基板的电连接，是一种穿层过孔的叠层混合封装方式，能够以更小的空间实现多种芯片的封装，具有更短的电传导通路和更小的信号延迟，可以实现芯片间的低功耗、高速通讯，并实现器件的小型化集成。

技术特征：

1.一种桥式混合tsv集成电路封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种桥式混合tsv集成电路封装结构，其特征在于，所述第一芯片上叠装有若干层芯片，每层芯片均设有贯穿的通孔，所述通孔内填充金属材料，相邻两层芯片通过通孔内的填充金属导通。

3.根据权利要求1所述的一种桥式混合tsv集成电路封装结构，其特征在于，所述通孔内的填充金属材料为cu材料。

4.根据权利要求1所述的一种桥式混合tsv集成电路封装结构，其特征在于，所述第一芯片通过热压胶贴装在基板上，所述第二芯片通过热压胶贴装在第一芯片上。

5.一种封装权利要求1-4任一项所述的桥式混合tsv集成电路结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的一种封装桥式混合tsv集成电路结构的方法，其特征在于，所述第一芯片上还垂直叠装有若干层芯片。

7.根据权利要求5所述的一种封装桥式混合tsv集成电路结构的方法，其特征在于，所述第一芯片的通孔内填充金属材料。

8.根据权利要求5所述的一种封装桥式混合tsv集成电路结构的方法，其特征在于，所述信号导出结构为锡球。

技术总结
本发明公开了一种桥式混合TSV集成电路封装结构及方法，所述结构包括：基板；元器件，所述元器件贴装在基板上；第一芯片，所述第一芯片至少有两个，并排贴装在基板上，所述第一芯片设有贯穿的通孔，所述通孔内填充金属材料；第二芯片，所述第二芯片贴装在两个相邻的第一芯片上；塑封料，所述塑封料将元器件、第一芯片、第二芯片封装在基板上。本发明通过对第一芯片开设通孔，通过内部垂直方向的通孔实现多层芯片以及与基板的电连接，是一种穿层过孔的叠层混合封装方式，能够以更小的空间实现多种芯片的封装，具有更短的电传导通路和更小的信号延迟，可以实现芯片间的低功耗、高速通讯，并实现器件的小型化集成。

技术研发人员：滕刚,张建东,吝炜鹏
受保护的技术使用者：华天科技（南京）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12