基板处理方法、基板处理装置以及存储介质与流程

本公开涉及一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。

背景技术：

1、以往，作为半导体的制造工序之一，已知一种对形成于半导体晶圆等基板的膜进行蚀刻的蚀刻工序。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利第5448521号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够高效地蚀刻具有多种膜的基板的技术。

3、用于解决问题的方案

4、基于本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。

5、基于本公开的另一个方式的基板处理方法包括以下工序：第一蚀刻工序，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板；变更工序，将蚀刻速率从所述第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率；以及第二蚀刻工序，以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板，其中，在所述第一蚀刻工序开始之前，所述第二膜为被所述第一膜覆盖的状态，在所述第一蚀刻工序中，仅蚀刻所述第一膜来使所述第二膜露出，在所述第二蚀刻工序中，同时蚀刻所述第一膜和所述第二膜，所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低，在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过向所述基板供给含有多个成分的药液来蚀刻所述基板，所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，所述基板处理方法还具有更换工序，在更换工序中，进行控制以通过将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给相比所述药液而言金属浓度低的新的所述药液来使所述金属浓度不超过阈值，由此抑制所述蚀刻速率的变动。

6、基于本公开的一个方式的基板处理装置，具备：供给部，其向具有第一膜和第二膜的基板供给药液；变更部，其变更所述供给部供给所述药液的供给条件；以及控制部，其执行使用所述药液以第一蚀刻速率蚀刻所述基板的第一蚀刻处理、通过控制所述变更部来将蚀刻速率变更为与所述第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率的变更处理、以及使用所述药液以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板的第二蚀刻处理，其中，所述药液含有多个成分，在所述第一蚀刻处理开始之前，所述第二膜为被所述第一膜覆盖的状态，在所述第一蚀刻处理中，仅蚀刻所述第一膜来使所述第二膜露出，在所述第二蚀刻处理中，同时蚀刻所述第一膜和所述第二膜，所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低，在所述第一蚀刻处理和所述第二蚀刻处理中，通过向所述基板供给所述药液来蚀刻所述基板，所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，在所述第一蚀刻处理和所述第二蚀刻处理中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，所述控制部还执行更换处理，在更换处理中，控制所述变更部以通过将所述药液的一部分从所述处理槽排出并且向所述处理槽供给相比所述药液而言金属浓度低的新的所述药液来使所述金属浓度不超过阈值，由此抑制所述蚀刻速率的变动。

7、基于本公开的一个方式的存储介质是存储有在计算机上运行来控制基板处理装置的程序的计算机可读取的存储介质，所述程序在被执行时使计算机控制所述基板处理装置，以进行以上所述的基板处理方法。

8、发明的效果

9、根据本公开，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。

技术特征：

1.一种基板处理方法，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

5.一种基板处理装置，具备：

6.一种存储介质，是存储有在计算机上运行来控制基板处理装置的程序的计算机可读取的存储介质，

技术总结
本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。

技术研发人员：本田拓巳,香川兴司
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24