本发明属于半导体芯片，具体涉及一种提高发光效率的芯片结构及其制备方法。
背景技术：
1、led芯片指的是led(发光二极管)的核心部件，它是构成led灯的基本元件之一，led芯片是由半导体材料(通常是砷化镓或氮化镓等)制成的微小半导体器件，能够将电能直接转换为光能；
2、现有的led芯片结构中为了防止反射层中ag的迁移，大多采用在反射层表面覆盖一层阻挡层，阻挡层多为不活泼金属组成，通过与ag形成相对稳定的界面或合金，从而减少ag的迁移风险，但是，大多数不活泼金属具有较高的吸光性，即它们会吸收通过led芯片的光线，这种吸光性质会导致部分光被阻挡层吸收，而不能有效地反射和转换为输出光，因此会降低led器件的总体发光效率，加速led器件的老化过程，减少其使用寿命。
技术实现思路
1、本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单，设计合理地提高发光效率的芯片结构。
2、本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
3、一种提高发光效率的芯片结构，包括基板，第一半导体层，有源层，第二半导体层，第一导电层，反射层，介质层，第一绝缘层，第二绝缘层，第二导电层，第三绝缘层，焊盘，贯穿所述第二半导体层及所述有源层，并延伸到所述第一半导体层内部的凹陷；
4、所述介质层覆盖于所述反射层以及第一绝缘层表面，介质层一侧接触反射层和第一绝缘层，另一侧接触第二绝缘层，形成夹心结构。
5、进一步地，所述第一导电层与所述第二半导体层形成欧姆接触；
6、所述反射层与所述第一导电层形成电连接，所述反射层为单层或多层结构；
7、所述焊盘与所述反射层形成电连接，所述焊盘为单层或多层金属结构。
8、进一步地，所述第一导电层、反射层、焊盘共同组成第一电连接层。
9、进一步地，所述第一绝缘层覆盖于所述第一半导体层部分表面，所述第二绝缘层覆盖于所述凹陷侧壁以及所述第一电连接层的一侧。
10、进一步地，所述第二导电层大部分接触于所述第二绝缘层表面，并且与所述第一半导体层形成电连接，所述第二导电层为单层或多层结构。
11、进一步地，所述第二导电层与所述焊盘共同组成第二电连接层。
12、进一步地，所述第二导电层的大部分表面被所述第三绝缘层所覆盖，所述第三绝缘层用于隔离所述第一电连接层和第二电连接层，防止直接导通。
13、进一步地，所述介质层的材料为氧化铝、氧化钽、氧化钛或类金刚石非晶碳膜材料或者类似材料。
14、进一步地，所述介质层的厚度0.01～0.5um，反射层与绝缘层1间的缝隙0.3～5um。
15、进一步地，所述介质层填充于反射层和第一绝缘层间的缝隙。
16、作为本发明的进一步优化方案，还提供一种提高发光效率的芯片结构制备方法，具体步骤包括：
17、s1、选择适当的基板，并进行表面处理以确保接受后续层的附着；
18、s2、在基板上依次生长第一半导体层、有源层以及第二半导体层；
19、s3、形成贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的凹陷；
20、s4、在第二半导体层表面形成欧姆接触的第一导电层，在第一导电层表面形成电连接的反射层，将反射层与焊盘进行电连接设置，使第一导电层、反射层、焊盘共同组成第一电连接层；
21、s5、形成覆盖第一半导体层部分表面的第一绝缘层；
22、s6、在第一绝缘层以及反射层表面形成介质层，以及覆盖凹陷侧壁和第一电连接层一侧的第二绝缘层；
23、s6、在第二绝缘层表面形成第二导电层，并且与第一半导体层形成电连接；
24、s7、在第二导电层的大部分表面形成第三绝缘层，第三绝缘层隔离第一电连接层和第二电连接层，防止直接导通，最终得到芯片。
25、本发明的有益效果在于：本发明通过设置介质层，将介质层覆盖于反射层和第一绝缘层表面，并且填充于绝缘层和反射层相接的缝隙中，有效地阻挡了反射层中的ag向相邻层中迁移，提高器件的稳定性，同时，介质层采用的材料吸光系数较小，折射率高，可以提高全发射效率，从而提高器件发光效率。
1.一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，包括基板，第一半导体层，有源层，第二半导体层，第一导电层，反射层，介质层，第一绝缘层，第二绝缘层，第二导电层，第三绝缘层，焊盘，贯穿所述第二半导体层及所述有源层，并延伸到所述第一半导体层内部的凹陷；
2.根据权利要求1所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述第一导电层与所述第二半导体层形成欧姆接触；
3.根据权利要求2所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述第一导电层、反射层、焊盘共同组成第一电连接层。
4.根据权利要求3所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述第一绝缘层覆盖于所述第一半导体层部分表面，所述第二绝缘层覆盖于所述凹陷侧壁以及所述第一电连接层的一侧。
5.根据权利要求4所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述第二导电层大部分接触于所述第二绝缘层表面，并且与所述第一半导体层形成电连接，所述第二导电层为单层或多层结构。
6.根据权利要求5所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述第二导电层与所述焊盘共同组成第二电连接层。
7.根据权利要求6所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述第二导电层的大部分表面被所述第三绝缘层所覆盖，所述第三绝缘层用于隔离所述第一电连接层和第二电连接层，防止直接导通。
8.根据权利要求7所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述介质层的材料为氧化铝、氧化钽、氧化钛或类金刚石非晶碳膜材料或者类似材料。
9.根据权利要求8所述的一种提高发光效率的芯片结构，其特征在于，所述介质层的厚度0.01～0.5um，反射层与绝缘层1间的缝隙0.3～5um。
10.一种根据权利要求1-9任意一项所述的提高发光效率的芯片结构的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：