本发明属于太阳能光伏发电，具体涉及一种topcon电池的扩散工艺。
背景技术：
1、topcon太阳能电池是钝化性能最好的太阳能电池之一，随着行业的发展，topcon太阳能电池的效率和产量不断提高，展示出了广阔的发展空间和潜力。
2、扩散工艺是topcon太阳能电池制作过程中的关键工艺，现有技术中，扩散工艺需要依赖se激光在电池中实现有效硼掺杂。
3、然而，se激光的功率控制难度较高，功率偏低难以形成有效硼掺杂，功率过高，则会导致漏电、表面复合高等现象。因此，提供一种无需se激光即可实现有效硼掺杂的扩散工艺成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种topcon电池的扩散工艺。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
2、本发明提供了一种topcon电池的扩散工艺，包括以下步骤：
3、s1：将电池片放置在扩散炉管内，在预设温度下，进行多次硼源沉积，在所述电池片的表面形成pn结；
4、s2：向所述扩散炉管内通入氮气，进行多次推进，将所述pn结推进至所述电池片的内部，得到内部具有pn结的电池片；
5、s3：将所述内部具有pn结的电池片放置在反应炉内，向所述反应炉内通入氧气，得到表面具有保护层的电池片。
6、在一个可实现的方式中，所述步骤s1包括以下步骤：
7、s11：将电池片放置在扩散炉管内，向所述扩散炉管中通入氮气、氧气和bcl3的混合气体，在830～875℃的预设温度下，进行第一次硼源沉积；
8、s12：改变所述混合气体的流量，在830～875℃的预设温度下，进行第二次硼源沉积。
9、在一个可实现的方式中，在所述步骤s11中，所述氮气的流量为1800～2200sccm，所述氧气的流量为550～750sccm，所述bcl3的流量为150～230sccm，所述氮气的压力为95～105mbar。
10、在一个可实现的方式中，在所述步骤s12中，所述氮气的流量为3000～5000sccm，所述氧气的流量为550～750sccm，所述bcl3的流量为150～230sccm，所述氮气的压力为160～200mbar。
11、在一个可实现的方式中，所述第一次硼源沉积的沉积时间为400s；
12、所述第二次硼源沉积的沉积时间为300s。
13、在一个可实现的方式中，所述步骤s2包括以下步骤：
14、s21：向所述扩散炉管内通入氮气，在氮气流量为3600～4500sccm，温度为915℃，压力为300mbar的条件下，进行第一次推进；
15、s22：在氮气流量为3600～4500sccm，温度为915℃，压力为400mbar的条件下，进行第二次推进。
16、在一个可实现的方式中，所述步骤s2和步骤s3之间还包括：
17、对所述内部具有pn结的电池片进行降温处理，待所述内部具有pn结的电池片降温至室温后，将所述内部具有pn结的电池片从所述扩散炉管内拿出。
18、在一个可实现的方式中，所述电池片的材料包括硅。
19、在一个可实现的方式中，在所述步骤s3中，所述反应炉内的温度为1040℃。
20、在一个可实现的方式中，所述内部具有pn结的电池片的方阻为150～300ω/sq；
21、所述表面具有保护层的电池片的方阻为300～350ω/sq。
22、与现有技术相比，本发明的有益效果：
23、本发明的一种topcon电池的扩散工艺，通过对制备步骤进行优化，调节扩散工艺中气体的流量、温度和压力，实现无需se激光即可形成有效硼掺杂，本发明提供的扩散工艺简单，步骤少，制备时间短，有效降低了生产成本，避免了se激光的功率控制难度较高导致的良率低，通过本发明提供的扩散工艺制备得到的电池片掺杂效果好，电池光电转换效率高。
1.一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，所述步骤s1包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，在所述步骤s11中，所述氮气的流量为1800～2200sccm，所述氧气的流量为550～750sccm，所述bcl3的流量为150～230sccm，所述氮气的压力为95～105mbar。
4.根据权利要求2所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，在所述步骤s12中，所述氮气的流量为3000～5000sccm，所述氧气的流量为550～750sccm，所述bcl3的流量为150～230sccm，所述氮气的压力为160～200mbar。
5.根据权利要求2所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，所述第一次硼源沉积的沉积时间为400s；
6.根据权利要求1所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，所述步骤s2包括以下步骤：
7.根据权利要求1所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，所述步骤s2和步骤s3之间还包括：
8.根据权利要求1所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，所述电池片的材料包括硅。
9.根据权利要求1所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，在所述步骤s3中，所述反应炉内的温度为1040℃。
10.根据权利要求1所述的一种topcon电池的扩散工艺，其特征在于，所述内部具有pn结的电池片的方阻为150～300ω/sq；