本技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种封装结构。
背景技术：
1、在双面系统级封装(system-in-package，sip)结构或者3d堆叠式封装结构中，采用具有e-bar(embedded bar，嵌入式导电柱)的电连接结构连接不同的基板(例如主基板和子基板)，并以e-bar作为输入/输出(i/o)引脚。随着双面系统级封装结构或者3d堆叠式封装结构越来越复杂，其集成度越来越高，输入/输出引脚的数量也同步上升，这就导致所述电连接结构不仅需要设置在基板的多个侧边处，从而使得多个所述电连接结构围绕功能芯片和功能器件的外周分布。在塑封过程中，由于所述输入/输出引脚密集分布在所述功能芯片和功能器件的外周，塑封模流(mold flow)在切割道上的流速较快，密集分布的所述输入/输出引脚会阻挡所述塑封模流，从而极易产生回包现象，导致所述塑封模流在中间区域填充不良、出现气孔等问题，从而导致所述功能芯片和所述功能器件塑封不良，使得所述封装结构的性能降低，影响所述封装结构的良率。
2、因此，如何减少塑封过程中塑封模流回包问题，改善塑封质量，从而提高封装结构的制造良率，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本实用新型提供一种封装结构，用于减少塑封过程中塑封模流回包问题，改善塑封质量，从而提高半导体结构的制造良率。
2、根据一些实施例，本实用新型提供了一种封装结构，包括：
3、基板，所述基板包括功能区域以及围绕所述功能区域的外周分布的外围区域；
4、功能芯片，贴装于所述基板的所述功能区域上；
5、第一电连接结构，位于所述基板的所述外围区域上，所述第一电连接结构包括第一介质层以及多个位于所述第一介质层内的第一导电连接柱，所述第一导电连接柱与所述基板电连接，所述第一介质层朝向所述基板的表面上具有凹
6、槽，且所述凹槽位于相邻的所述第一导电连接柱之间。
7、在一些实施例中，还包括：
8、第一焊球，位于所述基板的所述外围区域上，每个所述第一焊球的一端与所述第一导电连接柱电连接、另一端与所述基板电连接；
9、塑封层，至少位于所述基板上，所述塑封层塑封所述功能芯片，且所述塑封层填充满所述凹槽以及所述第一介质层与所述基板之间的间隙。
10、在一些实施例中，所述第一电连接结构沿第一方向位于所述基板的上方；
11、所述凹槽的数量为多个，多个所述凹槽沿第二方向排布，且任一所述凹槽均位于相邻的两个所述第一导电连接柱之间，所述第二方向与所述第一方向相交。
12、在一些实施例中，所述凹槽的深度小于所述第一电连接结构的高度。
13、在一些实施例中，所述第一介质层包括本体层、位于所述本体层朝向所述基板一侧的第一覆盖层和位于所述本体层背离所述基板一侧的第二覆盖层；
14、所述凹槽贯穿所述第一覆盖层并延伸至所述本体层内。
15、在一些实施例中，所述凹槽的深度为所述第一电连接结构的高度的1/5～2/3。
16、在一些实施例中，所述塑封层中包括塑封料颗粒，所述凹槽的宽度大于或者等于所述塑封料颗粒的直径的2倍。
17、在一些实施例中，所述第一电连接结构沿第一方向位于所述基板的上方，两个所述第一电连接结构沿第三方向位于所述功能区域相对两侧的所述外围区域上，所述第三方向与所述第一方向相交。
18、在一些实施例中，对于沿第三方向位于所述功能区域相对两侧的两个所述第一电连接结构，其中一个所述第一电连接结构中的所述凹槽与另一个所述第一电连接结构中的所述凹槽沿所述第三方向对齐。
19、在一些实施例中，所述基板的所述外围区域上方具有多个所述第一电连接结构，且多个所述第一电连接结构围绕所述功能区域的外周分布。
20、在一些实施例中，还包括：
21、第二电连接结构，位于所述基板的所述外围区域的上方且沿第二方向位于所述功能区域的一侧或者相对两侧，所述第二电连接结构包括第二介质层、多个位于所述第二介质层内的第二导电连接柱以及位于所述第二导电连接柱端部的第二焊球，所述第二焊球的一端与所述第二导电连接柱电连接、另一端与所述基板电连接，位于相邻所述第二焊球之间的所述第二介质层的表面平坦，所述第二方向与所述第一方向和所述第三方向均相交。
22、本实用新型提供的封装结构，通过在基板的外围区域上方设置第一电连接结构，所述第一电连接结构包括第一介质层以及多个位于所述第一介质层内的第一导电连接柱，所述第一介质层朝向所述基板的表面上具有凹槽，且所述凹槽位于相邻的所述第一导电连接柱之间，从而使得在塑封过程中，塑封模流能够沿所述凹槽流向功能区域，减少了塑封模流回包问题，从而改善了对所述功能区域的功能芯片的塑封质量，也降低了所述第一电连接结构与所述基板之间的虚焊风险，提高了封装结构的制造良率。同时，由于塑封模流沿所述凹槽流向所述功能区域，使得由塑封模流形成的塑封层也能够填充于所述凹槽内，从而增强了所述第一电连接结构与所述基板之间的结合力强度，有助于进一步提高所述封装结构整体的结构稳定性。
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构沿第一方向位于所述基板的上方；
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述第一电连接结构的高度。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一介质层包括本体层、位于所述本体层朝向所述基板一侧的第一覆盖层和位于所述本体层背离所述基板一侧的第二覆盖层；
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度为所述第一电连接结构的高度的1/5～2/3。
7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层中包括塑封料颗粒，所述凹槽的宽度大于或者等于所述塑封料颗粒的直径的2倍。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构沿第一方向位于所述基板的上方，两个所述第一电连接结构沿第三方向位于所述功能区域相对两侧的所述外围区域上，所述第三方向与所述第一方向相交。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，对于沿第三方向位于所述功能区域相对两侧的两个所述第一电连接结构，其中一个所述第一电连接结构中的所述凹槽与另一个所述第一电连接结构中的所述凹槽沿所述第三方向对齐。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板的所述外围区域上方具有多个所述第一电连接结构，且多个所述第一电连接结构围绕所述功能区域的外周分布。
11.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，还包括：