本技术涉及硅片生产，具体为一种硅片加热的退火炉。
背景技术：
1、在各类半导体硅片生产制备过程中，退火工艺是一个重要的工艺流程，通过退火工艺可以降低晶硅芯片体内缺陷，获得更好的半导体硅片质量；
2、经检索，现公开了小型静态退火炉(公开号：cn210529109u)，该专利通过将硅片放置在托盘上镂空区域内，并通过拦网防止硅片掉落，利于气体的流通，由于在硅片加热退火前后需将托盘移出退火炉，从而对硅片的进行上下料，由于硅片上下料所需时间较多，使得硅片的加工效率较低，为此，我们提出了一种硅片加热的退火炉。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种硅片加热的退火炉，解决了上述背景技术中提出的问题。
2、为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种硅片加热的退火炉，包括框架，所述框架的内部设置有炉体、加热装置、光照装置、炉体冷却装置和电源装置，所述炉体的内部设置有托盘组件，所述框架的外侧面且位于托盘组件的外部连接有限位组件；
3、所述托盘组件包括托盘，所述托盘的内部区中段设有隔板，所述托盘内通过隔板形成第一腔室和第二腔室，所述托盘的底端且位于第一腔室和第二腔室内开设有多组镂空区域，且每组镂空区域内均设置有拦网。
4、作为本实用新型进一步的技术方案，所述托盘的两端侧面均连接有把手a，所述托盘的前侧和后侧均安装有滑座，每组所述滑座的内部均滑动连接有导轨。
5、作为本实用新型进一步的技术方案，所述托盘和两组滑座的一端位于炉体的内部，两组所述导轨和炉体的内侧面相连，且长度尺寸相适配。
6、作为本实用新型进一步的技术方案，所述限位组件包括两组固定板，两组所述固定板均滑动连接有多组导柱，多组所述导柱的顶端共同连接有两组凵型架，多组所述导柱的底端连接有两组限位板，且每组限位板的底端中间开设有凹槽，所述凵型架的顶端均连接有把手b。
7、作为本实用新型进一步的技术方案，两组所述固定板的内侧面和框架的外侧面相连，所述凹槽的内部尺寸和把手a的顶部尺寸相适配。
8、作为本实用新型进一步的技术方案，一组所述限位板的侧面和托盘的侧面相贴合，另一组所述限位板的侧面和隔板的侧面相贴合。
9、有益效果
10、本实用新型提供了一种硅片加热的退火炉。与现有技术相比具备以下有益效果：
11、1、一种硅片加热的退火炉，通过对托盘中第一腔室和第二腔室位于炉体的内部的位置进行交替，进而在对一组腔室内硅片上下料的同时，可对另一腔室内硅片进行加热退火，进而增加硅片的加工效率。
12、2、一种硅片加热的退火炉，通过拉动一组把手b可使得凵型架、多组导柱和两组限位板向上移动，进而解除对托盘和隔板的限位对托盘进行移动，移动完毕后，松下把手b，则两组限位板受自身重力向下移动，一组限位板的侧面和托盘的侧面相贴合，另一组限位板的侧面和隔板的侧面相贴合，且一组把手a位于凹槽的内部，该结构可便于对托盘组件进行封锁和解锁，操作较为简便。
1.一种硅片加热的退火炉，包括框架(1)，所述框架(1)的内部设置有炉体(2)、加热装置(5)、光照装置(6)、炉体冷却装置(7)和电源装置(8)，其特征在于，所述炉体(2)的内部设置有托盘组件(3)，所述框架(1)的外侧面且位于托盘组件(3)的外部连接有限位组件(4)；
2.根据权利要求1所述的一种硅片加热的退火炉，其特征在于，所述托盘(31)的两端侧面均连接有把手a(37)，所述托盘(31)的前侧和后侧均安装有滑座(38)，每组所述滑座(38)的内部均滑动连接有导轨(39)。
3.根据权利要求2所述的一种硅片加热的退火炉，其特征在于，所述托盘(31)和两组滑座(38)的一端位于炉体(2)的内部，两组所述导轨(39)和炉体(2)的内侧面相连，且长度尺寸相适配。
4.根据权利要求1所述的一种硅片加热的退火炉，其特征在于，所述限位组件(4)包括两组固定板(41)，两组所述固定板(41)均滑动连接有多组导柱(42)，多组所述导柱(42)的顶端共同连接有两组凵型架(43)，多组所述导柱(42)的底端连接有两组限位板(44)，且每组限位板(44)的底端中间开设有凹槽(45)，所述凵型架(43)的顶端均连接有把手b(46)。
5.根据权利要求4所述的一种硅片加热的退火炉，其特征在于，两组所述固定板(41)的侧面和框架(1)的外侧面相连，所述凹槽(45)的内部尺寸和把手a(37)的顶部尺寸相适配。
6.根据权利要求4所述的一种硅片加热的退火炉，其特征在于，一组所述限位板(44)的侧面和托盘(31)的侧面相贴合，另一组所述限位板(44)的侧面和隔板(32)的侧面相贴合。