批处理式基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及批处理式基板处理装置。更具体地，涉及通过增加收容于相同体积的腔室空间内的基板数量以提高基板处理工艺的生产率的批处理式基板处理装置。
【背景技术】
[0002]基板处理装置在制造平板显示器、半导体、太阳能电池等时使用，大致分为沉积(Vapor Deposit1n)装置和退火(Annealing)装置。
[0003]沉积装置作为形成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置，分为低压化学气相沉积(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposit1n)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD: PI a sma-Enhan c e d Chemical Vapor Deposit1n)等方式的化学气相沉积装置和溅射(Sputtering)等方式的物理气相沉积装置。
[0004]退火装置是在基板上沉积膜以后提高沉积膜特性的装置，是对沉积的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。
[0005]一般地,基板处理装置分为对一个基板进行处理的单片式(Single SubstrateType)基板处理装置和对多个基板进行处理的批处理式(Batch Type)基板处理装置。单片式基板处理装置虽然结构简单，但生产率较低，因此，在大批量的生产中多使用批处理式基板处理装置。
[0006]在批处理式基板处理装置中，形成有用于提供基板处理空间的腔室，在腔室可以设置分别支撑装载至腔室的多个基板的支撑部件、即基板托架，而为了处理多个基板，可以在各个基板之间设置加热器。如此，现有的批处理式基板处理装置存在基板托架以及分别设置于各个基板之间的加热器过多地占据腔室内部空间的问题。特别是，最近随着显示器以及太阳能电池用玻璃基板的尺寸大面积化，基板处理工艺所消耗的时间以及费用增加，因此，增加在一个工艺中所处理的基板数量直接关系到生产率的提高。
[0007]因此，需要开发一种批处理式基板处理装置，其通过增加可收容于相同体积的腔室空间内的基板数量，来提高基板处理工艺生产率的同时能够均匀地处理基板。
【发明内容】
[0008]因此，本发明是为了解决如上所述的现有技术的所有问题而提出，目的在于，提供一种增加收容于相同体积的腔室空间内的基板数量的批处理式基板处理装置。
[0009]此外，本发明的目的在于，提供一种能够均匀地处理多个基板的批处理式基板处理装置。
[0010]此外，本发明的目的在于，提供一种通过支撑大面积基板的中心部以能够防止基板变形的批处理式基板处理装置。
[0011]为了实现上述目的，本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置，能够处理多个基板，其特征在于，包括:本体，其具备腔室，该腔室用于提供处理所述多个基板的空间；以及多个加热器单元，配置在所述腔室的整个外侧面，所述加热器单元包括分别隔着规定间隔配置的多个单位加热器。
[0012]根据如上构成的本发明，通过增加收容于相同体积的腔室空间内的基板数量，能够提高基板处理工艺的生产率。
[0013]此外，能够均匀地处理多个基板。
[0014]此外，通过支撑大面积基板的中心部，能够防止基板变形。
【附图说明】
[0015]图1是示出本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置的结构的立体图。
[0016]图2是示出本发明的一实施例涉及的加热器单元的结构的立体图。
[0017]图3是示出本发明的一实施例涉及的支撑单元的结构的立体图。
[0018]图4是本发明的一实施例涉及的支撑单元的局部分解放大立体图。
[0019]图5是本发明的一实施例涉及的支架与支撑杆结合的剖视图。
[0020]图6是示出本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置的内部结构的立体图。
[0021]图7a、图7b是示出本发明的一实施例涉及的供气管以及排气管的立体图。
[0022]图8是示出本发明的一实施例涉及的配置有第五加热器单元的加热器单元结构的立体图。
[0023]附图标记
[0024]50:基板
[0025]100:本体
[0026]110:腔室
[0027]130:出入口
[0028]150:门
[0029]180、190:供气管、排气管
[0030]200:加热器单元
[0031]201:单位加热器
[0032]210:第一加热器单元
[0033]220:第二加热器单元
[0034]230:第三加热器单元
[0035]240:第四加热器单元
[0036]250:第五加热器单元
[0037]300:支撑单元
[0038]310:第一支撑部件
[0039]320:第二支撑部件
[0040]330:第三支撑部件
[0041]337:辅助支撑杆
[0042]341:第一连接部件
[0043]344:第二连接部件
[0044]347:第三连接部件
[0045]350:主支撑杆
【具体实施方式】
[0046]以下，参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。通过这些实施例，所属领域的技术人员能够充分实施本发明。应理解为，本发明的多种实施例虽然有所不同，但并不相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定形状、结构以及特性，在不超出本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式实现。而且，应理解为，每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或设置，可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定，准确地讲，本发明的范围应以权利要求所主张的范围及其等同范围的所附的权利要求书为准。附图中相似的附图标记表示相同或类似的结构，为了便于说明，可能对长度、面积、厚度及形态进行夸大表示。
[0047]在本说明书中，可以理解为，基板包括使用于LED、IXD等显示装置上的基板、半导体基板、太阳能电池基板等。
[0048]此外，本说明书中，可以理解为，基板处理工艺包括沉积工艺、热处理工艺等。只是下面假设以热处理工艺进行说明。
[0049]下面，参照附图详细说明本发明的实施例涉及的批处理式基板处理装置。
[0050]图1是示出本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置的结构的立体图，图2是示出本发明的一实施例涉及的加热器单元200的结构的立体图。
[0051]首先，批处理式基板处理装置上所装载的基板50的材质并不特别限定，可以装载玻璃、塑料、聚合物、硅晶片等多种材质的基板50。下面，假设以平板显示装置中最常用的长方形玻璃基板进行说明。
[0052]批处理式基板处理装置包括大致呈长方体形状而构成外观的本体100，在本体100的内部可以形成有用于处理基板50的空间、即腔室110。本体100不仅可以形成为长方体形状，可以根据基板50形状形成为各种形状，腔室110可以形成为密闭空间。
[0053]在本体100的前侧可以形成有能够装载及卸载基板50的出入口 130。在本体100的前侧可以设置能够以下方向移动的方式开闭出入口 130的门150。在打开门150以开放腔室110的状态下，可以利用基板搬运机械臂(未图示)等来支撑基板50以向腔室110装载基板50。然后，可以在关闭门150以封闭腔室110的状态下处理基板50。为了紧锁门150，可以在出入口 130进一步设置密封部件(未图示)。本体100和门150的材质优选为不锈钢，但并非限定于此。
[0054]可以在本体100的后侧可开闭地设置盖板(未图示)，以便修理或替换设置在腔室110内部的、例如支撑单元300、供气管180以及排气管190等。
[0055]可以在腔室110的整个外侧面设置多个加热器单元200(210、220、230、240)。各个加热器单元200可以包括在与基板50被装载的方向平行(例如第一加热器单元210)的方向或在与基板50被装载的方向垂直(例如第二加热器单元220、第三加热器单元230以及第四加热器单元240)的方向上以规定间隔配置的多个单位加热器201。单位加热器201可以是通常的长度较长的棒状加热器，是在石英管内部插入有发热体并通过设置在两端的端子来接收外部电源而发热的、构成加热器单元200的单体。单位加热器201可以配置成从腔室110的一侧贯通至另一侧。以基板50向腔室110装载的方向为基准，加热器单元200可以包括:第一加热器单元210(210a、210b)，配置在腔室110的左侧以及右侧；第二加热器单元220(220a、220b)，配置在腔室110的上侧以及下侧；第三加热器单元230 (230a、230b、230c)，配置在腔室110的前侧；以及第四加热器单元240，配置在腔室110的后侧。在本实施例中，第一加热器单元210具有十六个单位加热器201，第二加热器单元220具有二十四个单位加热器201，第三加热器单元230具有十二个(包含门加热器230c)单位加热器201，第四加热器单元240具有二i^一个单位加热器201，但是单位加热器201的数量可以根据腔室