4仅设置在一侧(+Y轴方向侧)。即，在俯视时，从虚拟直线L观察，焊盘84未设置在另一侧(一 Y轴方向侧)。在俯视时，焊盘84仅设置在虚拟直线L的+Y轴方向侧。
[0063]在俯视时，从虚拟直线L观察，引出布线86仅设置在一侧(+Y轴方向侧)。即，在俯视时，从虚拟直线L观察，引出布线86未设置在另一侧(一 Y轴方向侧)。在俯视时，引出布线86仅设置在虚拟直线L的+Y轴方向侧。这样，在俯视时，从虚拟直线L观察，焊盘84和引出布线86设置在相同的一侧(+Y轴方向侧)。
[0064]在图示的例子中，焊盘84设置在第I反射镜层20上所设置的树脂层70上。另外，引出布线86设置在第I反射镜层20上所设置的树脂层70上、以及第I形变赋予部2a上所设置的树脂层70上。在图示的例子中，焊盘84以及引出布线86在俯视时，位于通过共振部2c的中心O且与虚拟直线L正交的虚拟直线(未图示)上。
[0065]面发光激光器100如图1所示，具有记载有用于识别芯片(面发光激光器100)的芯片编号的芯片编号记载区域90。芯片编号记载区域90是第I反射镜层20的上表面的区域。在俯视时，从虚拟直线L观察，芯片编号记载区域90设置在另一侧(一 Y轴方向侧)。即，在面发光激光器100中，俯视时，焊盘84以及引出布线86设置在虚拟直线L的一侧(+Y轴方向侧)，芯片编号记载区域90设置在虚拟直线L的另一侧(一 Y轴方向侧)。
[0066]此外，上述对AlGaAs系的面发光激光器进行了说明，本发明所涉及的面发光激光器也可以根据振荡波长，例如使用GaInP系、ZnSSe系、InGaN系、AlGaN系、InGaAs系、GaInNAs系、GaAsSb系半导体材料。
[0067]面发光激光器100例如具有以下的特征。
[0068]在面发光激光器100中，俯视时，树脂层70相对于通过共振部2c的中心O的虚拟直线L，是线对称的形状，焊盘84设置在树脂层70上方，俯视时，从虚拟直线L观察，焊盘84仅设置在一侧(+Y轴方向侧)。由此，例如，与从虚拟直线L观察焊盘84设置在两侧的情况相比，能够减少寄生电容。因此，在面发光激光器100中，能够提高高频特性。另外，例如在俯视时，从虚拟直线L观察，焊盘84设置在两侧的情况下，存在一个焊盘成为与哪个都不连接的短截线(开路短截线)，高频特性恶化的情况。在面发光激光器100中，俯视时，从虚拟直线L观察，焊盘84仅设置在一侧，所以能够避免短截线，部产生这种问题。
[0069]在面发光激光器100中，俯视时，树脂层70相对于通过共振部2c的中心O的虚拟直线L，是线对称的形状。因此，对于树脂层70而言，与例如树脂层70不具有相对于虚拟直线L线对称的形状的情况相比，能够对共振部2c (活性层30)赋予相对于虚拟直线L对称的应力。
[0070]此处，树脂层70是通过给予热来进行固化的树脂，在用于对树脂层70进行固化的加热处理(固化)中收缩。并且，树脂层70在从上述加热处理返回到常温时收缩。通过该树脂层70的收缩，能够对共振部2c (活性层30)赋予应力。树脂层70赋予给共振部2c的应力的大小取决于树脂层70的形状。因此，在面发光激光器100中，俯视时，树脂层70相对于通过共振部2c的中心O的虚拟直线L，是线对称的形状，由此能够对共振部2c赋予相对于虚拟直线L对称的应力。
[0071]在面发光激光器100中，包括使第2电极82与焊盘84电连接的引出布线86，在俯视时，从虚拟直线L观察，引出布线86仅设置在一侧(与焊盘84相同的侧)。由此，与上述的焊盘84同样地，例如与从虚拟直线L观察，引出布线86设置在两侧的情况相比，能够减少寄生电容。并且，能够避免短截线。
[0072]在面发光激光器100中，层叠体2具有第I形变赋予部2a和第2形变赋予部2b，共振部2c设置在第I形变赋予部2a与第2形变赋予部2b之间，俯视时，虚拟直线L同第I形变赋予部2a与第2形变赋予部2b对置的方向正交。由此，在面发光激光器100中，利用形变赋予部2a、2b以及树脂层70双方对共振部2c (活性层30)赋予应力，由此能够使激光的偏振光方向稳定。
[0073]在面发光激光器100中，由于能够这样使激光的偏振光方向稳定，所以例如将面发光激光器100作为原子振荡器的光源使用的情况下，能够经由λ/4板向气室稳定地照射圆偏振光的光。其结果，能够提高原子振荡器的频率稳定度。例如在从面发光激光器射出的激光的偏振光方向不稳定的情况下，存在经由λ/4板而获得的光成为椭圆偏振光的情况、圆偏振光的旋转方向发生变动的情况。
[0074]这样，在面发光激光器100中，由于能够使激光的偏振光方向稳定，所以能够经由λ /4板向气室稳定地照射圆偏振光的光，并能够提高原子振荡器的频率稳定性。
[0075]2.面发光激光器的制造方法
[0076]接下来，参照附图，对本实施方式所涉及的面发光激光器的制造方法进行说明。图5?图8是示意性地表示本实施方式所涉及的面发光激光器100的制造工序的剖视图，与图2对应。
[0077]如图5所示，在基板10上使第I反射镜层20、活性层30、氧化而成为电流狭窄层42的被氧化层42a、第2反射镜层40、以及接触层50以该顺进行外延生长。作为外延生长的方法，例如可列举MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposit1n:有机化学气相沉积法)法，MBE (Molecular Beam Epitaxy:分子束外延)法。
[0078]如图6所示，对接触层50、第2反射镜层40、被氧化层42a、活性层30、以及第I反射镜层20进行图案化来形成层叠体2。图案化例如通过光刻以及蚀刻来进行。
[0079]如图7所示，对被氧化层42a进行氧化来形成电流狭窄层42。被氧化层42a例如是AlxGa1 _xAs (X彡0.95)层。例如在400°C左右的水蒸气环境中投入形成有层叠体2的基板10，从侧面对AlfanAsU彡0.95)层进行氧化，形成电流狭窄层42。
[0080]在面发光激光器100的制造方法中，在上述的氧化工序中，从侧面对构成第I反射镜层20的层进行氧化来形成第I区域60。并且，从侧面对构成第2反射镜层40的层进行氧化来形成第2区域62。具体而言，通过400°C左右的水蒸气环境，构成反射镜层20、40的Al0 9Ga0.,As层的砷被置换为氧，形成区域60、62。区域60、62例如在从400°C左右的高温返回到室温时收缩，第2区域62的上表面63向基板10侧倾斜(参照图4)。第I形变赋予部2a以及第2形变赋予部2b能够对活性层30赋予起因于区域60、62的收缩的形变(应力)。
[0081]如图8所示，以包围层叠体2的方式形成树脂层70。例如通过使用旋涂法等在第I反射镜层20的上表面以及层叠体2的整个面形成由聚酰亚胺树脂等构成的层，并对该层进行图案化来形成树脂层70。图案化例如通过光刻以及蚀刻来进行。接下来，通过对树脂层70进行加热处理(固化)来使其固化。通过本加热处理，树脂层70收缩。并且，树脂层70在从加热处理返回到常温时收缩。
[0082]如图2所示，在接触层50上以及树脂层70上形成第2电极82，在第I反射镜层20上形成第I电极80。例如通过真空蒸镀法以及剥离法的组合等来形成电极80、82。此外，形成电极80、82的顺序并未特别限定。另外，也可以利用形成第2电极82的工序形成焊盘84以及引出布线86 (参照图1)。
[0083]通过以上的工序，能够制造出面发光激光器100。
[0084]3.原子振荡器
[0085]接下来，一边参照附图一边对本实施方式所涉及的原子振荡器进行说明。图9是表示本实施方式所涉及的原子振荡器1000的功能框图。
[0086]原子振荡器10