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[0100] 虽然已经示出和描述了本发明的具体实施例，但是对本领域技术人员将显而易见 的是，可臥做出改动和修改而不脱离其较宽方面中的本发明，并且因此所附权利要求在其 范围内涵盖如落入本发明的真实精神和范围内的所有这样的改动和修改。
【主权项】
1. 一种光发射器件，包括： 包括N型层、发射初级光的有源层以及P型层的发光二极管（LED)半导体层；以及 附到半导体层的发光蓝宝石，LED半导体层和发光蓝宝石是LED管芯的部分， 发光蓝宝石吸收初级光的一部分并且下转换初级光以发射次级光，使得来自LED管芯 的发射包括至少初级光和次级光的组合。2. 权利要求1的器件，其中发光蓝宝石包括与结合剂组合以形成混合物的发光蓝宝石 颗粒，其中混合物定位成覆盖LED半导体层的光发射表面。3. 权利要求2的器件，其中混合物层压在半导体层之上。4. 权利要求2的器件，其中混合物模制在半导体层之上。5. 权利要求2的器件，其中混合物喷射在半导体层之上。6. 权利要求2的器件，其中混合物直接位于一个LED半导体层上。7. 权利要求1的器件，其中发光蓝宝石包括附在LED半导体层的光发射表面之上的预 形成的瓦片。8. 权利要求7的器件，其中瓦片包括发光蓝宝石的单晶。9. 权利要求7的器件，其中瓦片包括结合剂中的发光蓝宝石颗粒。10. 权利要求7的器件，其中瓦片利用粘合层直接附到一个LED半导体层。11. 权利要求1的器件，其中发光蓝宝石包括发光蓝宝石生长衬底，在其上外延生长N 型层、有源层和P型层。12. 权利要求1的器件，还包括作为LED管芯的部分覆盖LED半导体层的磷光体层，使 得LED管芯的光发射包括初级光、来自发光蓝宝石的次级光以及来自磷光体层的光。13. 权利要求12的器件，其中初级光是蓝光，次级光包括绿光成分，并且来自磷光体层 的光包括红光成分。14. 权利要求1的器件，其中初级光是蓝光并且次级光包括绿光成分。15. -种方法，包括： 提供发光二极管（LED)管芯，包括生成初级光的LED半导体层以及将一些初级光下转 换成次级光的发光蓝宝石层，使得由LED管芯发射的光包括至少初级光和次级光的组合； 以及 使用激光器调整LED管芯中的发光蓝宝石层以调节次级光的特性。16. 权利要求15的方法，还包括通过对发光蓝宝石退火激活LED管芯中的发光蓝宝石 以在形成LED管芯之后增加其发光性质。17. 权利要求16的方法，其中发光蓝宝石包括发光蓝宝石生长衬底，在其上外延生长 LED半导体层。18. 权利要求15的方法，其中发光蓝宝石包括形成混合物的结合剂中的发光蓝宝石颗 粒，其中混合物定位成覆盖LED半导体层的光发射表面。19. 权利要求15的方法，其中发光蓝宝石包括附在LED半导体层的光发射表面之上的 预形成的瓦片。20. 权利要求15的方法，其中初级光是蓝光并且次级光包括绿光成分。
【专利摘要】LED管芯包括附到LED半导体层的发光蓝宝石层。发光蓝宝石吸收初级光的一部分并且下转换初级光以发射次级光。可以添加磷光体层。发光蓝宝石可以包括结合剂中的发光蓝宝石颗粒，其形成沉积在LED半导体层之上的混合物。可替换地，发光蓝宝石包括附在LED半导体层之上的预形成的瓦片。可替换地，发光蓝宝石包括发光蓝宝石生长衬底，在其上外延生长LED半导体层。在形成LED管芯之后，可以使用光学调整和/或退火来调节蓝宝石的发光特性以调谐管芯的总体发射。
【IPC分类】H01L33/00, H01L33/02, H01L33/50
【公开号】CN104904024
【申请号】CN201480005094
【发明人】G.F.F.德尼斯
【申请人】皇家飞利浦有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2014年1月2日
【公告号】EP2946409A1, WO2014111822A1