器的管脚的形状的其它例的剖视图。
[0057]图12是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的GND导孔的配置例的图。
[0058]图13是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的波导的结构例的俯视图。
[0059]图14是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的波导的其它结构例的立体图。
[0060]图15是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的波导的其它结构例的俯视图。
[0061]图16是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的波导的其它结构例的俯视图。
[0062]图17是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的波导的其它结构例的俯视图。
[0063]图18是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的导体柱的形状的其它例的剖视图。
[0064]图19是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的导体柱的形状的其它例的剖视图。
[0065]图20是示意性地说明构成本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的波导的其它结构例的立体图。
[0066]图21是示意性地说明在本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器搭载半导体芯片后的结构的剖视图。
[0067]图22是示意性地说明在本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器搭载半导体芯片、并安装于母基板后的结构例的剖视图。
[0068]图23是示意性地说明在本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器搭载半导体芯片、并安装于母基板后的其它结构例的剖视图。
[0069]图24是说明基于本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的、信号的反射损失的控制性的图表。
[0070]图25是说明基于本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的、信号的传送损失的控制性的图表。
[0071]图26A是说明由本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器产生的电场分布的图。
[0072]图26B是说明由本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器产生的电场分布的图。
[0073]图27是示意性地示出本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器中的隔离焊盘的立体图。
[0074]图28是说明基于本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的、信号的反射损失的隔离焊盘尺寸依赖性的图表。
[0075]图29是说明基于本发明的一个实施方式所涉及的其它模式转换器的、信号的反射损失的隔离焊盘尺寸依赖性的图表。
[0076]图30是示意性地示出本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器中的其它隔离焊盘的立体图。
[0077]图31是说明基于本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的、信号的反射损失的隔离焊盘尺寸依赖性的其它图表。
[0078]图32是说明基于本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器的、信号的反射损失的隔离焊盘尺寸依赖性的其它图表。
[0079]图33是示意性地示出本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器中的电场矢量的剖视图。
[0080]图34是示意性地示出基于现有技术的模式转换器中的电场矢量的剖视图。
[0081]图35是示意性地示出基于现有技术的模式转换器的结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0082]以下，基于优选的实施方式，参照附图对本发明进行说明。此外，以下所示的实施方式只不过是为了更好地理解发明的宗旨而举例进行说明的，只要没有特意指定，则并不限定本发明。另外，对于在以下的说明中使用的附图，为了容易理解本发明的特征，方便起见有时将作为主要部位的部分放大，各构成要素的尺寸比率等未必与实际情况相同。
[0083]模式转换器的结构
[0084]使用图1?3对本发明的一个实施方式所涉及的模式转换器100的结构进行说明。图1是示意性地示出模式转换器100的结构的立体图。图2是将模式转换器100的输送路122的结构放大并示意性地示出的立体图。图3是示意性地示出模式转换器100的结构例的、沿着图2的A — A线的剖视图。
[0085]如图1?图3所示，模式转换器100具备基板101、高频信号传播用的平面电路(输送路)122、管脚(导体管脚、激发管脚、激振管脚)120、接地的接地导体层(导体膜)111、接地导体层(导体膜)112、波导110。
[0086]基板101是将单一的部件或者多个基材层叠而成的层叠基板，如图1所示，具有从一方的主面(第一主面)贯通到另一方的主面(第二主面)的一个第一贯通孔(贯通孔)103以及多个第二贯通孔104。第二贯通孔104在基板101的俯视图中配置于呈U字形地包围第一贯通孔103的位置。
[0087]如图3所示，管脚120通过在从基板的一方的主面101a贯通到另一方的主面101b的第一贯通孔103的内壁(内壁面)103a依次层叠导体膜123f、导体膜122f而构成。管脚120经由第一贯通孔103将基板的双方的主面101a、101b连通。导体膜122f是从平面电路122延伸设置的膜。
[0088]波导110由接地导体层111、112和多个导体柱(杆)114构成，接地导体层111、112分别配置于第一基板(基板)的一方的主面101a、另一方的主面101b，多个导体柱(杆)114在接地导体层111、112之间立起设置，并将二者连结在一起。导体柱114由第二贯通孔104和配置于其内部的导体构成。导体柱114的两端分别与接地导体层111、112电连接。
[0089]如图1所示，多个导体柱114在第一基板101的俯视图中以呈U字形地包围管脚120的方式配置。另外，在第一基板101的侧面中的一端101c侧，并未配置导体膜以及导体柱114，而是形成有放射电磁波的开口部102。导体柱114在模式转换器100动作时将从管脚120放射的电磁波封闭在波导110内。通过具备导体柱114，能够使所放射的电磁波不会泄漏而仅沿所希望的方向传播。
[0090]多个导体柱114在第一基板101的俯视图中以与呈近似矩形的周边部中的、除了与开口部102对应的一边之外的三边平行的方式排列。多个导体柱114的排列设定成对从管脚120放射的电磁波进行反射以防止其泄漏至外部。具体而言，在相邻的导体柱114离开配置的情况下，如图7所示，导体柱114的中心轴间距离L决定为:比导体柱114的直径d的2倍小。S卩，决定为:导体柱114的再接近位置彼此的间隔X比导体柱114的直径d小。
[0091]接地导体层111、112分别由铜等导体构成，是作为电接地的配线(GND)发挥功能的膜。接地导体层111在第一基板的一方的主面101a中的第一贯通孔的开口部103b的周边部并未设置。未设置接地导体层111、而对接地导体层111与管脚120进行绝缘的区域为隔离焊盘111a。在第一基板的另一方的主面101b中也同样，接地导体层112在第一贯通孔的开口部103c的周边部并未设置，未设置接地导体层111的区域为规定的宽度H4的隔离焊盘112a。
[0092]此外，隔离焊盘111a在第一基板的一方的主面101a中定义为从第一贯通孔的开口部103b向外侧扩展的绝缘区域。而且，隔离焊盘112a在第一基板的另一方的主面101b中定义为从第一贯通孔的开口部103c向外侧扩展的未配置任何部件的绝缘区域。此外，形成隔离焊盘111a、隔离焊盘112a的区域只要是电绝缘区域即可，例如也可以是配置有绝缘体的区域。例如，可以利用形成于第一基板的一方的主面101a侧的绝缘部124、或者形成于第一基板的另一方的主面101b侧的绝缘部(未图示，也称为钝化)覆盖接地导体层111、112以及隔离焊盘llla、112a。通过形成绝缘部，保护接地导体层111、112以及隔离焊盘llla、112a免遭异物附着或污染等。另外，能够以与模式转换器100直接接触的方式层叠其它基板。
[0093]在导体膜111层叠有大致均匀的厚度的绝缘部124，在绝缘部124的外侧表面上形成有输送路122。输送路122设置为至少与隔离焊盘111a重叠。输送路122的一端侧与管脚120的外部侧端部连接，另一端侧与绝缘部124上的GSG焊盘125连接，形成微带线。
[0094]在GSG焊盘125的两个外侧，如图2所示，在绝缘部124上的输送路122的两侧离开配置有GND焊盘126。在GND焊盘126的两个外侧，如图2所示，邻接有GND连接导孔127。GND连接导孔127如图6所示形成为从绝缘部124上连接到导体膜111。
[0095]管脚120只要至少表面由Cu、Ag、Au等导体形成即可，内部可以形成为由与表面相同的导体、空洞、或绝缘树脂等占据的构造。绝缘树脂只要与隔离焊盘llla、112a相比具有0.lS/m以下的导电率即可。
[0096]如图3所示，管脚120沿第一贯通孔的内壁103a形成，呈具有外径H1的圆筒状。因而，在因施加有弯曲或者扭转的应力而导致基板101变形的情况下，管脚120也能够随之容易地变形，能够防止施加有过大的应力而导致模式转换器100破损的情况。
[0097]管脚120相对于第一基板101的双方的主面(101a、101b)垂直地形成。在第一基板101的一方的主面101a侧的管脚120的端部，环设有与接地导体层111同层且由与接地导体层111相同的材料构成的凸缘状的台肩123c。第一基板101的俯视图中呈圆环状的台肩123c的表面中的外缘部123d由绝缘部124覆盖。台肩123c的中央侧的圆环部123e的表面由从输送路122延长且在绝缘部124的厚度方向扩径的导体122a覆盖。
[0098]如图3所示，外缘部123d的外径尺寸(台肩123c的外径尺寸)H3、与台肩123c连接的部分的导体122a的外径尺寸H2以及管脚120的外径尺寸H1以满足H3 > H2 > H1的方式决定。
[0099]此外，上述的平面电路122、管脚120、接地导体层111、112、构成导体柱114的导体通过从第一基板101或者树脂124的表面侧起依次层叠由钛(Ti)或者铬(Cr)构成的膜、由铜(Cu)构成的膜而形成。上述导体可以使用镀敷法或者使用导电膏形成。
[0100]图4是示出相对于图3的模式转换器100的其它结构例的、模式转换器200的沿着图2所示的A — A线的剖视图。在图3中，示出了第一贯通孔103的长边方向的中心轴附近为空洞的例子，但如图4所示，第一贯通孔203的内部也可以由构成管脚220的导体222f、223f填充。第一贯通孔203以外的构成要素与图3的模式转换器100相同。
[0101]图5是示出相对于图3的模式转换器100的其它结构例的、模式转换器300的沿着图2所示的A — A线的剖视图。在图3中，示出了管脚120沿着第一贯通孔的内壁103a形成，在第一基板的另一方的主面101b侧露出的管脚120的露出面在与第一基板的另一方的主面101b相同的面上形成的例子。然而，如图5所示，管脚320可以从第一基板的另一方的主面301b延伸设置。即，管脚320可以具有在第一贯通孔的开口部303c向外侧扩展的边缘部(台肩)322b。
[0102]通过形成为上述结构，在第一基板的另一方的主面301b中，第一贯通孔的内壁303a与管脚320之间的界面不露出。因而，能够防