光耦合装置的制造方法
【专利说明】光耦合装置
[0001]相关申请的引用
[0002]本申请以2014年3月14日提出的在先日本专利申请2014 — 052666号为基础并要求其优先权，该申请的全部内容通过引用包含在本文中。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及一种光耦合装置。
【背景技术】
[0004]包括光电稱合器或光电继电器在内的光稱合装置，能够使用发光兀件，将输入电信号转换成光信号，并用受光元件接收光之后输出电信号。因此，光耦合装置能够在输入输出之间绝缘的状态下传输电信号。
[0005]在半导体测试器等电子仪器中，很多情况是DC电压系统、AC电源系统、电话线路系统以及控制系统等不同的电源系统被配置在一个装置内。但是，如果将不同的电源系统或电路系统直接耦合，有时就会发生工作不良。
[0006]如果在使用光耦合装置时将不同的电源之间绝缘，就能够抑制工作不良。
[0007]例如，在半导体测试器中使用包括直流负载用和交流负载用在内的许多光耦合装置。另外，在半导体测试器内的安装电路板上，还配置有用于切除外来高频噪声的滤波器或用于以从MCU(Micro Contriller Unit:微控制器单元)等提供的规定的驱动电压驱动发光元件的外部电阻等，并且这些滤波器或外部电阻等分别与光耦合装置相连接。因此，安装电路板的尺寸变大，半导体测试器等电子仪器大型化。
【发明内容】
[0008]本发明所要解决的问题在于提供一种能缩小外部安装基板的尺寸的光耦合装置。
[0009]根据一个实施方式，光耦合装置具有绝缘衬底、输入端子、输出端子、下垫板部(die pad)、受光元件和发光元件。所述绝缘衬底具有第一层和第二层，将所述第一层的下表面设为第一面，将所述第二层的上表面设为第二面，并设置有多个贯通孔。所述输入端子是具有第一端子和第二端子的输入端子，所述第一端子具有:第一导电区域，设置在所述第一面上；第二导电区域，设置在所述第二面上；贯通导电区域，设置在所述多个贯通孔的内部；以及第一旋涡状导电区域，设置在所述第一层与所述第二层之间，并且经由所述贯通导电区域分别与所述第一导电区域和所述第二导电区域相连接，所述第二端子具有:第一导电区域，设置在所述第一面上；第二导电区域，设置在所述第二面上；贯通导电区域，设置在所述多个贯通孔的内部；以及第二旋涡状导电区域，设置在所述第一层与所述第二层之间，并且经由所述贯通导电区域分别与所述第一导电区域和所述第二导电区域相连接。所述下垫板部夹在所述输入端子与所述输出端子之间，并且设置在所述第二面上。所述受光元件粘接在所述下垫板部上，并与所述输出端子相连接。所述发光元件粘接在所述受光元件的上表面上，具有与所述第一端子的所述第二导电区域相连接的第一电极和与所述第二端子的所述第二导电区域相连接的第二电极。
[0010]发明效果:
[0011]本发明能够提供一种能缩小外部安装基板的尺寸的光耦合装置。
【附图说明】
[0012]图1 (a)是第一实施方式涉及的光耦合装置的模式剖视图，图1 (b)是在绝缘衬底上设置有导电图形的安装基板的模式俯视图。
[0013]图2是第一实施方式涉及的光耦合装置的等效电路图。
[0014]图3(a)是应用光耦合装置的例子的结构图，图3(b)是流到发光元件的输入电流的波形图，图3(c)是MOSFET的漏极电流的波形图。
[0015]图4是比较例涉及的光耦合装置的等效电路。
[0016]图5(a)是第二实施方式涉及的光耦合装置的模式剖视图，图5(b)是在绝缘衬底上设置有导电图形的安装基板的模式俯视图。
[0017]图6是第二实施方式涉及的光耦合装置的等效电路图。
[0018]图7(a)是第三实施方式涉及的光耦合装置的模式立体图，图7(b)是模式剖视图，图7(c)是将密封树脂层成型之前的模式俯视图。
[0019]图8是第三实施方式的光耦合装置的驱动电路的结构图。
[0020]图9是比较例涉及的光耦合装置的应用例的结构图。
[0021]图10是说明第三实施方式的光耦合装置的变形例的模式图。
【具体实施方式】
[0022]以下，参照附图，对一个实施方式进行说明。在附图中，同一符号表示同一或者类似部分。在附图中的同一部分上标注同一附图标记，并适当省略其详细的说明，对不同的部分进行说明。
[0023](第一实施方式)
[0024]图1 (a)是第一实施方式涉及的光耦合装置的模式剖视图，图1 (b)是在绝缘衬底上设置有导电图形的安装基板的模式俯视图。
[0025]光耦合装置具有绝缘衬底10、输入端子20、输出端子30、(第一)下垫板部41、受光兀件60和发光兀件50。
[0026]图1 (a)是沿着图1 (b)的Al — A2线的模式剖视图。绝缘衬底10具有第一层1a和第二层1b,将第一层1a的下表面设为第一面1c,将第二层1b的上表面设为第二面1d0在绝缘衬底10上设置有多个贯通孔。
[0027]输入端子20具有第一端子21和第二端子22。第一端子21具有:第一导电区域21a，设置在第一面1c上；第二导电区域21b，设置在第二面1d上；贯通导电区域21d，设置在多个贯通孔的内部；以及第一旋涡状导电区域201，设置在第一层1a与第二层1b之间，并且经由贯通导电区域10d，分别与第一导电区域21a和第二导电区域21b相连接。
[0028]第二端子22具有:第一导电区域22a，设置在第一面1c上；第二导电区域22b，设置在第二面1d上；贯通导电区域，设置在多个贯通孔的内部；以及第二旋涡状导电区域202，设置在第一层与所述第二层之间，并且经由贯通导电区域，分别与第一导电区域和第二导电区域22a、22b相连接。输入端子20的第一导电区域和输出端子30的第一导电区域分别成为表面安装的电极。
[0029]下垫板部41夹在输入端子20和输出端子30之间，并且设置在第二面1d上。
[0030]受光元件60粘接在下垫板部41上，并与输出端子30相连接。受光元件60可以设为光电二极管或受光IC等。
[0031]发光兀件50粘接在受光兀件60的上表面上,具有第一电极50a和第二电极50b。第一电极50a与第一端子21的第二导电区域21b相连接。第二电极50b与第二端子22的第二导电区域22b相连接。发光元件50可以设为由AlGaAs或InAlGaP等构成、能发出740?850nm波长的光的LED (Light Emitting D1de:发光二极管)等。再有，所述的发光元件50和受光元件60还可以设置由透光性树脂等构成的粘接层(未图示)。
[0032]密封树脂层90由硅树脂等构成，成为覆盖输入端子20的第二导电区域、输出端子30的第二导电区域、下垫板部41、第二面10d、受光元件60、发光元件50、第二面以及焊线Bff等的保护层。
[0033]图2是第一实施方式涉及的光耦合装置的等效电路图。
[0034]将第一旋涡状导电区域201和第二旋涡状导电区域202设为设置在绝缘衬底10的第二面1b上的布线图形等。再有，在本图中，将第一旋涡状导电区域201和第二旋涡状导电区域202设为在俯视下不交叉。
[0035]通过相对于导电区域的宽度而充分拉长第一和第二旋涡状导电区域201、202的长度，第一和第二旋涡状导电区域201、202就相对于高频