一种节能led的制作工艺的制作方法

文档序号:9549674阅读:191来源:国知局
一种节能led的制作工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光源生产技术领域,具体涉及一种节能LED的制作工艺。
【背景技术】
[0002]随着社会的不断进步与科学技术的不断发展,人们也充分认识到了环境对人类发展的重要性。各国都在采取积极有效的措施改善环境,减少污染。这其中最为重要也是最为紧迫的问题就是能源问题,要从根本上解决能源问题,除了寻找新的能源,节能是关键的也是目前最直接有效的重要措施,在最近几年,通过努力,人们在节能技术的研究和产品开发上都取得了巨大的成果。
[0003]发光二极管,简称LED,是一种半导体组件。初时多用作为指示灯、显示发光二极管板等;随着白光LED的出现,也被用作照明。LED被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同,可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。
[0004]节能化研究资料表明,由于LED是冷光源,半导体照明自身对环境没有任何污染,与白炽灯、焚光灯相比,节电效率可以达到90%以上。在同样亮度下,耗电量仅为普通白炽灯的1/10,荧光灯管的1/2。
[0005]目前,市场上的LED,由于封装材料空间狭小,制作工艺不够精细,导致LED发光面亮度不匀、发热量大、散热差、发光效率低。因此,研制一种节能的LED,是LED领域的一个重要方向。

【发明内容】

[0006]针对以上的不足,本发明提供一种节能LED的制作工艺,具体是从传统的LED封装工艺进行改进,具有发光面亮度均匀、发热量大、散热好、发光效率高的特点。
[0007]为实现上述问题,本发明通过以下技术方案实现:
[0008]—种节能LED的制作工艺,包括以下步骤:
[0009]1)在LED支架上镀上一层银;
[0010]2)用固晶胶将LED芯片粘接到LED支架上;
[0011 ] 3)将固晶胶烘烤干,使LED芯片紧密粘接于LED支架上;
[0012]4)将LED芯片上的焊盘和LED支架上的导电区域采用金属线进行焊接;
[0013]5)将荧光粉放入LED封装胶水中,混合均匀后填充至LED支架内的凹陷处;
[0014]6)将填充了封装胶水的LED放入微波设备中,用微波照射15?20min ;
[0015]7)将LED支架上的LED切割成独立的LED灯珠小单元,然后进行测试分选,包装后即可制得成品。
[0016]上述方案,步骤1)中,所述镀银的厚度为0.2?1.5mm,且镀银后的LED支架先采用烘烤设备进行烘烤,然后再用氢等离子体清洗,这样可以将LED支架表面残留的有机物除去。
[0017]上述方案,步骤4)中,所述焊接温度控制在20?25°C,相对湿度控制在60%?65%之间。
[0018]上述方案,进一步地,步骤4)中,所述金属线可以为银线或铜线。
[0019]上述方案,步骤5)中,所述荧光粉可以由纳米二氧化硅和纳米氧化铝按重量比
1.2?2.5:1混合制成。
[0020]本发明LED制作工艺实质为LED整体制作过程中的封装工艺,该工艺与传统的封装工艺有所不同及产生的有益效果为:
[0021]1)用烘干设备烘干LED支架上的水分,用等离子清洗设备清洗LED支架上的残留有机物,大大提高了在粘接LED芯片与LED支架时候的粘接度,有利于LED芯片的散热;
[0022]2)使用银线或铜线连接LED芯片的焊盘和LED支架的导电区域,降低了连接线的电阻以及连接线与LED芯片的焊盘和LED支架的导电区域之间的接触电阻,降低了 LED的功耗;
[0023]3)在封装胶水中加入了由纳米二氧化硅和纳米氧化铝制成的荧光粉,并且用微波照射,将荧光粉均匀的固化到了封装胶水内,改善了 LED的色温和发光的均匀度,并且提高了 LED的发光效率。
【附图说明】
[0024]图1为本发明的工艺制作流程图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合具体实施例来对本发明进一步的解释说明,但不用以限制本发明。
[0026]实施例1
[0027]如图1所示,一种节能LED的制作工艺包括以下步骤:
[0028]1)在LED支架上镀上一层银,其中所述镀银的厚度为0.2mm,且镀银后的LED支架先采用烘烤设备进行烘烤,然后再用氢等离子体清洗;
[0029]2)用固晶胶将LED芯片粘接到LED支架上;
[0030]3)将固晶胶烘烤干,使LED芯片紧密粘接于LED支架上;
[0031]4)将LED芯片上的焊盘和LED支架上的导电区域采用金属线进行焊接,其中所述焊接温度控制在22°C,相对湿度控制在65%之内,所采用的金属线为银线;
[0032]5)将荧光粉放入LED封装胶水中,混合均匀后填充至LED支架内的凹陷处,所述荧光粉由纳米二氧化硅和纳米氧化铝按重量比2.5:1混合制成;
[0033]6)将填充了封装胶水的LED放入微波设备中,用微波照射15min ;
[0034]7)将LED支架上的LED切割成独立的LED灯珠小单元,然后进行测试分选,包装后即可制得成品。
[0035]实施例2
[0036]如图1所示,一种节能LED的制作工艺,包括以下步骤:
[0037]1)在LED支架上镀上一层银,其中所述镀银的厚度为1.5mm,且镀银后的LED支架先采用烘烤设备进行烘烤,然后再用氢等离子体清洗;
[0038]2)用固晶胶将LED芯片粘接到LED支架上;
[0039]3)将固晶胶烘烤干,使LED芯片紧密粘接于LED支架上;
[0040]4)将LED芯片上的焊盘和LED支架上的导电区域采用金属线进行焊接,其中所述焊接温度控制在20°C,相对湿度控制在60%之内,所采用的金属线为铜线;
[0041]5)将荧光粉放入LED封装胶水中,混合均匀后填充至LED支架内的凹陷处,所述荧光粉由纳米二氧化硅和纳米氧化铝按重量比1.2:1混合制成;
[0042]6)将填充了封装胶水的LED放入微波设备中,用微波照射20min ;
[0043]7)将LED支架上的LED切割成独立的LED灯珠小单元,然后进行测试分选,包装后即可制得成品。
[0044]实施例3
[0045]如图1所示,一种节能LED的制作工艺,包括以下步骤:
[0046]1)在LED支架上镀上一层银,其中所述镀银的厚度为0.95mm,且镀银后的LED支架先采用烘烤设备进行烘烤,然后再用氢等离子体清洗;
[0047]2)用固晶胶将LED芯片粘接到LED支架上;
[0048]3)将固晶胶烘烤干,使LED芯片紧密粘接于LED支架上;
[0049]4)将LED芯片上的焊盘和LED支架上的导电区域采用金属线进行焊接,其中所述焊接温度控制在25°C,相对湿度控制在62%之内,所述金属线为铜线;
[0050]5)将荧光粉放入LED封装胶水中,混合均匀后填充至LED支架内的凹陷处,所述荧光粉由纳米二氧化硅和纳米氧化铝按重量比2:1混合制成;
[0051]6)将填充了封装胶水的LED放入微波设备中,用微波照射18min ;
[0052]7)将LED支架上的LED切割成独立的LED灯珠小单元,然后进行测试分选,包装后即可制得成品。
[0053]以上仅为说明本发明的实施方式,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种节能LED的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤: 1)在LED支架上镀上一层银; 2)用固晶胶将LED芯片粘接到LED支架上; 3)将固晶胶烘烤干,使LED芯片紧密粘接于LED支架上; 4)将LED芯片上的焊盘和LED支架上的导电区域采用金属线进行焊接; 5)将荧光粉放入LED封装胶水中,混合均匀后填充至LED支架内的凹陷处; 6)将填充了封装胶水的LED放入微波设备中,用微波照射15?20min; 7)将LED支架上的LED切割成独立的LED灯珠小单元,然后进行测试分选,包装后即可制得成品。2.根据权利要求1所述的节能LED的制作工艺,其特征在于:步骤1)中,所述镀银的厚度为0.2?1.5mm,且镀银后的LED支架先采用烘烤设备进行烘烤,然后再用氢等离子体清洗。3.根据权利要求1所述的节能LED的制作工艺,其特征在于:步骤4)中,所述焊接温度控制在20?25°C,相对湿度控制在60%?65%之间。4.根据权利要求1所述的节能LED的制作工艺,其特征在于:步骤4)中,所述金属线为银线或铜线。5.根据权利要求1所述的节能LED的制作工艺,其特征在于:步骤5)中,所述焚光粉由纳米二氧化硅和纳米氧化铝按重量比1.2?2.5:1混合制成。
【专利摘要】本发明公开了一种节能LED的制作工艺,包括以下步骤:1)在LED支架上镀上一层银;2)用固晶胶将LED芯片粘接到LED支架上;3)将固晶胶烘烤干,让LED芯片和LED支架形成良好的粘接;4)将LED芯片上的焊盘和LED支架上的导电区域使用金属线进行焊接;5)将荧光粉放入LED封装胶水中,混合均匀后填充到LED支架所形成的杯状区域;6)将填充了封装胶水的LED放入微波设备中用微波照射15~20min;7)将LED支架上的LED切割成独立的LED灯珠小单元,然后进行测试分选,包装后即可制得成品。用本工艺生产LED,能有效降低LED的功耗,提高LED的散热性能,改善LED的色温和发光均匀度,且提高了LED的发光效率。
【IPC分类】H01L33/62, H01L33/48, H01L33/50, H01L21/02
【公开号】CN105304792
【申请号】CN201510639529
【发明人】马健评
【申请人】桂林健评环保节能产品开发有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年9月30日
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