Rogers平板电容及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及微波电路技术领域，具体地，设及一种Rogers平板电容及其制备方 法。
【背景技术】
[0002] 随着现代微波通讯行业的快速发展，Rogers系列覆铜板凭借其优越的高频特性广 泛应用于各种微波射频器件及模块中，Rogers覆铜板平板电容是利用Rogers覆铜板材料 制作的一类平板电容，广泛应用于LC滤波器等微波无源电路W及微波有源电路的匹配电 路中。
[0003] 目前，Rogers覆铜板平板电容一般是通过手工切割或者激光刻制图形的方式进行 制备，手工切割方式电容的数值波动较大，激光加工方式不仅生产成本高，同时激光切割过 程高溫很高，导致电容表面金属黑化，影响后期装配，为微波射频电路后期的调测试增加了 劳动强度。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提供一种Rogers平板电容及其制备方法，通过该方法制得的 Rogers平板电容具有精确的平板电容的数值，并且该制备方法成本低廉且能够批量生产。 阳〇化]为了实现上述目的，本发明提供了一种Rogers平板电容的制备方法，包括：
[0006] 1)将基片依次经过丙酬溶液、去油液进行清洗，然后经过酸洗液进行酸洗；
[0007] 2)将基片进行光刻处理；
[000引 3)将光刻处理后的基片的表面进行电锻处理；
[0009] 4)将基片的表面上的未变性的感光胶通过去胶液进行去胶处理；
[0010] 5)将去胶处理后的基片通过铜刻蚀液进行刻蚀处理；
[0011] 6)将刻蚀处理后的基片进行清洗W制得Rogers平板电容；
[0012] 其中，去油液含有碳酸钢、憐酸钢和乳化剂，酸洗液含有硫酸和=氧化铭；铜刻蚀 液含有=氧化铭、氯化钢、硫酸和水；去胶液为碱液；基片为Rogers覆铜板。
[0013] 本发明还提供了一种Rogers平板电容，该Rogers平板电容通过上述的方法制备 而成。
[0014] 通过上述技术方案，如图1所示，本发明依次通过基片的清洁、光刻处理、电锻处 理、去胶处理、刻蚀处理W及清洗制得了Rogers平板电容。通过上述各步骤的协同作用，审U 得的同一批Rogers平板电容具有精确的平板电容的数值，同时该方法的成本低廉，适合批 量生产。
[0015] 本发明的其他特征和优点将在随后的【具体实施方式】部分予W详细说明。
【附图说明】
[0016] 附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具 体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
[0017]图1是发明提供的Rogers平板电容及其制备方法的流程图； 阳01引图2是图1中基片的结构示意图；
[0019] 图3是图1中光刻工序中掩膜板的结构示意图；
[0020] 图4是通过图1所示的方法制得的Rogers平板电容的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021] W下对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体 实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0022] 本发明提供了一种Rogers平板电容及其制备方法，如图1所示，包括：
[0023] 1)将基片（如图2所示）依次经过丙酬溶液、去油液进行清洗，然后经过酸洗液进 行酸洗；
[0024] 2)将基片进行光刻处理；
[0025] 3)将光刻处理后的基片的表面进行电锻处理；
[00%] 4)将基片的表面上的未变性的感光胶通过去胶液进行去胶处理；
[0027] 5)将去胶处理后的基片通过铜刻蚀液进行刻蚀处理； 阳〇2引 6)将刻蚀处理后的基片进行清洗W制得Rogers平板电容（如图4所示）；
[0029] 其中，去油液含有碳酸钢、憐酸钢和乳化剂，酸洗液含有硫酸和=氧化铭；铜刻蚀 液含有=氧化铭、氯化钢、硫酸和水；去胶液为碱液；基片为Rogers覆铜板。
[0030] 在本发明中，去油液的各组分的含量可W在在宽的范围内选择，但是为了使得基 片的去油效果更加优异，优选地，在去油液中，碳酸钢的浓度为15-25g/l，憐酸钢的浓度为 15-25g/l，乳化剂的浓度为2-5g^。其中，乳化剂的具体种类也可W在宽的范围内选择，但 是从成本和去油效果上考虑，优选地，乳化剂为牌号OP-IO的乳化剂。
[0031] 在本发明中，去油液的各组分的含量可W在在宽的范围内选择，但是为了使得基 片的去污和去氧化的效果更加优异，优选地，在酸洗液中，硫酸的浓度为45-60ml/l，S氧化 铭的浓度为250-300g/L。
[0032] 在本发明中，铜刻蚀液的各组分的含量可W在在宽的范围内选择，但是为了使 得基片表面的不需要的铜层清除的更加干净，优选地，在铜刻蚀液中，=氧化铭的浓度为 180-220旨/1，氯化钢的浓度为3-7g/L、硫酸的浓度为40-50g/L。
[0033] 在本发明中，基片的具体种类可W在在宽的范围内选择，但是为了使得制得的 Rogers平板电容的性能更加稳定，优选地，基片为牌号Rogers 5880的覆铜板。
[0034] 在本发明的步骤1)中，各阶段的去油和酸洗条件可W在宽的范围内选择，但是 为了使得去油、去污和去氧化的效果更加优异，优选地，在步骤1)中，丙酬溶液的溫度为 40-60°C，基片于丙酬溶液中的浸泡时间为15-20min;去油液的溫度为40-60°C，并且基片 于去油液中超声浸泡15-20min;基片于酸洗液中清洗时间为5-15S。
[0035] 考虑到去油后，基板上残存有部分的化学物质，为了避免化学物质对后续处理的 影响，优选地，在步骤1)中，在经过去油液的清洗后，方法还包括将基片于60-80°C的热水 中浸泡0. 5-lmin，接着置于15-25°C的冷水中浸泡0. 25-0. 5min。
[0036] 同样地，考虑到酸洗后，基板上残存有部分的化学物质，为了避免化学物质对后续 处理的影响，在经过酸洗后，方法还包括将基片于流动的去离子水中清洗10-30S。
[0037] 在本领域中，光刻处理处理的具体工序可W在宽的范围内选择，可W是本领域中 任何一种常规的光刻技术，但是从成本W及光刻的效果上考虑，优选地，光刻处理的步骤 为：先将感光胶涂覆于酸洗后的基片的表面上，接着将基片进行预烘，然后将掩膜版（如图 3所示）置于基片的表面上并进行曝光，最后进行显影和后烘处理。
[0038] 在上述光刻处理过程中，预烘、曝光和后烘的具体条件可W在宽的范围内选 择，但是为了使得光刻具有更优异的效果，优选地，预烘至少满足W下条件：预烘溫度为 90-110°C，预烘时间为20-30min;曝光的光源的功率为300-400W，曝光的时间为25-35S ;后 烘至少满足W下条件：后烘溫度为90-110°C，后烘时间为20-30min。
[0039] 在本发明中，显影中使用的显影液的具体种类可W在宽的范围内选择，为了使得 显影效果更加优异，优选地，显影中使用的显影液为2-4重量％十二水憐酸钢溶液。
[0040] 在本发明的步骤3)中，基板表面通过电锻形成电锻层的具体材质可W在宽的范 围内选择，但是考虑到电锻的难W程度W及电锻层的抗氧化效果，优选地，在步骤3)中，基 板表面形成电锻层为电锻锡祕层或锻金层。其中，电锻层的厚度可W在宽的范围内选择，但 是为了使得制得的电锻层的抗氧化效果更加优异，优选地，电锻层的厚度为2-3ym。
[0041] 在电锻层为锻金层的情况下，为了防止铜层和金层之间因高溫发生扩散而引起金 层发红的现象的发生，优选地，在电锻层为锻金层的情况下，锻金层与基板的表面之间还电 锻有锻儀层，该锻儀层起到的是阻挡层的作用。
[0042] 在本发明的步骤4)中，去胶液的具体成分可W在宽的范围内选择，但是为了使得 去胶效果更加优异，优选地，在步骤4)中，去胶液为4-6重量％的氨氧化钢溶液。为了进一 步保证去胶效果，更优选地，经过去胶处理后，通过紫外灯光线观察基片表面的感光胶的残 留量，在基片表面残留有感光胶情况下，通过去胶液对基片进行多次去胶处理处理直至基 片表面的感光胶无残留。
[0043] 考虑到，去胶处理后基板上残留有去胶液，优选地，在经过去胶处理后，将基片于 水中进行清洗。
[0044] 同理，刻蚀处理后基板上残留有铜刻蚀液，优选地，在经过刻蚀处理后，方法还包 括将基片于流动的去离子水中进行清洗。 W45] 本发明还提供了一种Rogers平板电容，该Rogers平板电容通过上述的方法制备 而成。
[0046] W下将通过实施例对本发明进行详细描述。 阳047] 实施例1
[0048] 1)将基片依次经过50°C丙酬溶液中浸泡18min、50°C去油液（含20g^碳酸钢、 20g^憐酸钢和4g^牌号OP-IO的乳化剂）中浸泡ISmin(去油后，将所述基片于70°C的 热水中浸泡0. 7min，接着置于25°C的冷水中浸泡0. 3min)，然后经过酸洗液（含有50ml/L 硫酸和280g/L=氧化铭）进行酸洗IOs;其中，所述基片为Rogers5880覆铜板。
[0049] 2)先将感光胶涂覆于酸洗后的基片的表面上，接着将基片于100°C下预烘25min， 然后将掩膜版置于基片的表面上并进行于光源的功率为350w的条件下曝光30s，最后进行 显影30s(显影液为3重量％十二水憐酸钢溶液）和于