一种毫米波功率合成器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种功率合成器，具体地说，本实用新型涉及一种毫米波功率合成器。
【背景技术】
[0002]功率合成技术是高功率放大器研制中的关键技术，具有优异性能的功率合成电路可以实现微波固态功率放大器的大功率输出，是雷达、卫星等军事系统中功率放大器的重要组成部分。
[0003]由于单个放大器的增益及功率容量有限，在需要大功率的场合，一般将多个固态器件的输入合成腔进行功率合成，以提高输出功率。为了提高功率合成网络的可靠性，功率合成网络需要在满足端口匹配及端口间的隔离度的条件下实现大功率合成。
[0004]现有的功率合成器多采用矩形或者圆柱形谐振腔，由同轴线进行输入输出的无耗网络，但其端口间的隔离度和匹配相互矛盾，无法同时实现，在与波导中的放大器连接时，加入的转换装置又会增加体积和插损。
[0005]请参考图1，图1为现有的功率合成器的结构示意图，其整体为T形结构，包括第一功率输入端10、第二功率输入端20以及功率输出端30，其中，功率输出端30与两个水平相通的第一功率输入端10以及第二功率输入端20垂直相通成T形结构，该结构回波损耗在lldB-13dB之间，隔离度较低，插入损耗偏大。针对上述问题，本领域技术人员亟需提供一种新型毫米波功率合成器。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型要解决的技术问题是:提供一种提升隔离度，同时减少回波损耗的毫米波功率合成器。
[0007]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种毫米波功率合成器，包括:第一功率输入端、第二功率输入端以及功率输出端，所述第一功率输入端、第二功率输入端并联于所述功率输出端，所述功率输出端与所述第一功率输入端、第二功率输入端之间保持平行，其中，所述第一功率输入端、第二功率输入端之间通过]形结构相通并汇合于所述功率输出端，所述]形结构的转角处设有切面，所述切面用于减少回波损耗。
[0008]优选的，所述]形结构的中点处设有V形槽，所述V形槽用于提高隔离度。
[0009]优选的，所述V形槽的底部设有用于提高隔离度的膜片。
[0010]优选的，所述膜片的材质为铜。
[0011]优选的，所述]形结构与功率输出端的汇合处设有阶梯凸台，所述阶梯凸台用于减少回波损耗。
[0012]本实用新型提供了一种毫米波功率合成器，使功率输出端与功率输入端之间保持平行结构，从而提高了隔离度，改变了现有技术中功率输出端与功率输入端之间的垂直结构，同时，增加的切面大大减少了回波损耗，满足了功率合成器对宽频带、大功率、高隔离度、回波损耗少的要求；此外，设置V形槽和膜片可提升隔离度，阶梯凸台可减少回波损耗，本实用新型不仅提升了隔离度，同时减少回波损耗，具有结构紧凑、成本低廉、可靠性高的优点。
【附图说明】
[0013]图1是现有的功率合成器的结构示意图。
[0014]图2是本实用新型的实施例1的毫米波功率合成器的结构示意图。
[0015]图3是本实用新型的实施例2的毫米波功率合成器的结构示意图。
[0016]图4是本实用新型的实施例3的毫米波功率合成器的结构示意图。
[0017]图5是本实用新型的实施例4的毫米波功率合成器的结构示意图。
[0018]图6是本实用新型的实施例5的毫米波功率合成器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。
[0020]实施例1
[0021]如图2所示，本实用新型提供提供一种毫米波功率合成器，包括:第一功率输入端10、第二功率输入端20以及功率输出端30，第一功率输入端10、第二功率输入端20并联于所述功率输出端30 ;为了提高隔离度，功率输出端30与第一功率输入端10、第二功率输入端20之间保持平行，第一功率输入端10、第二功率输入端20之间通过]形结构相通并汇合于功率输出端30。
[0022]实施例2
[0023]如图3所示，在实施例一的基础上，为减少回波损耗，]形结构的转角处设有切面，其采用了波的反射原理。
[0024]实施例3
[0025]如图4所示，在实施例二的基础上，所述]形结构的中点处设有用于提高隔离度的V形槽。
[0026]实施例4
[0027]如图5所示，在实施例三的基础上，所述]形结构与功率输出端的汇合处设有用于减少回波损耗的阶梯凸台。
[0028]实施例5
[0029]如图6所示，在实施例四的基础上，V形槽的底部设有用于提高隔离度的膜片，膜片的材质优选为铜。
[0030]综上所述，本实用新型提供了一种毫米波功率合成器，使功率输出端与功率输入端之间保持平行结构，从而提高了隔离度，改变了现有技术中功率输出端与功率输入端之间的垂直结构，同时，增加的切面大大减少了回波损耗，满足了功率合成器对宽频带、大功率、高隔离度、回波损耗少的要求；此外，设置V形槽和膜片可提升隔离度，阶梯凸台可减少回波损耗，本实用新型不仅提升了隔离度，同时减少回波损耗，具有结构紧凑、成本低廉、可靠性高的优点。
[0031]虽然本实用新型主要描述了以上实施例，但是只是作为实例来加以描述，而本实用新型并不限于此。本领域普通技术人员能做出多种变型和应用而不脱离实施例的实质特性。例如，对实施例详示的每个部件都可以修改和运行，与所述变型和应用相关的差异可认为包括在所附权利要求所限定的本实用新型的保护范围内。
[0032]本说明书中所涉及的实施例，其含义是结合该实施例描述的特地特征、结构或特性包括在本实用新型的至少一个实施例中。说明书中出现于各处的这些术语不一定都涉及同一实施例。此外，当结合任一实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为其落入本领域普通技术人员结合其他实施例就可以实现的这些特定特征、结构或特性的范围内。
【主权项】
1.一种毫米波功率合成器，包括:第一功率输入端、第二功率输入端以及功率输出端，其特征在于，所述第一功率输入端、第二功率输入端并联于所述功率输出端，所述功率输出端与所述第一功率输入端、第二功率输入端之间保持平行，其中，所述第一功率输入端、第二功率输入端之间通过]形结构相通并汇合于所述功率输出端，所述]形结构的转角处设有切面，所述切面用于减少回波损耗。
2.如权利要求1所述的毫米波功率合成器，其特征在于，所述]形结构的中点处设有V形槽，所述V形槽用于提高隔离度。
3.如权利要求2所述的毫米波功率合成器，其特征在于，所述V形槽的底部设有用于提高隔离度的膜片。
4.如权利要求3所述的毫米波功率合成器，其特征在于，所述膜片的材质为铜。
5.如权利要求1所述的毫米波功率合成器，其特征在于，所述]形结构与功率输出端的汇合处设有阶梯凸台，所述阶梯凸台用于减少回波损耗。
【专利摘要】本实用新型提供一种毫米波功率合成器，包括：第一功率输入端、第二功率输入端以及功率输出端，第一功率输入端、第二功率输入端并联于所述功率输出端，功率输出端与第一功率输入端、第二功率输入端之间保持平行，其中，第一功率输入端、第二功率输入端之间通过]形结构相通并汇合于功率输出端，]形结构的转角处设有切面，切面用于减少回波损耗。本实用新型使功率输出端与功率输入端之间保持平行结构，从而提高了隔离度，改变了现有技术中功率输出端与功率输入端之间的垂直结构，同时，增加的切面大大减少了回波损耗，满足了功率合成器对宽频带、大功率、高隔离度、回波损耗少的要求。
【IPC分类】H01P5-16
【公开号】CN204271234
【申请号】CN201420847558
【发明人】申明磊
【申请人】南京理工大学常熟研究院有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2014年12月29日