0.5sccm条件下采用磁控派射法制备ITO透明导电层，并在560~600°C高温条件下进行有氧快速退火，退火时间180~300s。
[0052]由于ITO透明导电层中氧组分的增加，可以减少ITO透明导电层的缺陷，提高了ITO透明导电层的透光率；同时，能够有效增加ITO透明导电层与P型半导体层的接触电阻。
[0053]同时，本实施例中纳米金属层的制备方法具体为:
[0054]采用电子束蒸发或者磁控溅射沉积l~10nm厚的纳米银层，使用快速退火炉或炉管在氮气气氛中退火，形成纳米银颗粒。
[0055]纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与ITO透明导电层相结合，能够提高ITO透明导电层的电流横向扩展能力，提高LED芯片的亮度；另外，纳米银层中的纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，进一步提升LED芯片的亮度。
[0056]根据测试，本实施例中LED芯片的蓝光(裸晶)亮度能提升2%左右，白光亮度能提升 3%~5%。
[0057]参图2所示为本实用新型的第二实施例中LED芯片的剖视结构示意图，LED芯片从下至上分别为:
[0058]衬底10，衬底可以是蓝宝石、S1、SiC、GaN、ZnO等；
[0059]N型半导体层20，N型半导体层可以是N型GaN等，N型半导体层20上设有N型半导体台面；
[0060]发光层30，发光层可以是GaN、InGaN等；
[0061]P型半导体层40，P型半导体层可以是P型GaN等；
[0062]电流阻挡层80，电流阻挡层80对应地位于P电极下方区域，电流阻挡层80可以为S12, Si3N4' S1xN# ;
[0063]透明导电层50，本实施例中为ITO透明导电层，在其他实施例中也可以为ΖΙΤ0、Z1、G10、ΖΤ0、FTO、AZO、GZO、In4Sn3012、NiAu等透明导电层，同时，透明导电层可以为一层，也可以为上述透明导电层中两种或两种以上的组合层结构；
[0064]纳米金属层60，纳米金属层60包括若干纳米金属颗粒，优选地，在本实施例中纳米金属层60为厚度l~10nm的纳米银层，在其他实施例中也可以为纳米Au层等；
[0065]钝化层90，钝化层材料可以为S12等，S1 2具有较好的物理和化学稳定性，能对Si(Vf面的透明导电层和纳米金属层等结构进行保护。
[0066]P电极71和N电极72，P电极通过透明导电层与P型半导体层电性连接，N电极位于N型半导体台面上且与N型半导体层电性连接。
[0067]本实施例中LED芯片的制备方法与第一实施例类似，仅仅在对应步骤中增加电流阻挡层和钝化层的制备，该层的制备与现有技术中电流阻挡层和钝化层的制备方法完全相同，在此不再进行赘述。
[0068]与第一实施例不同的是，本实施例中增加了电流阻挡层80和钝化层90，电流阻挡层80能够阻挡对应区域透明导电层与P型半导体层之间的电流，进一步提高LED芯片的亮度；钝化层90能够有效对透明导电层和纳米金属层进行保护，提高了 LED芯片的稳定性。
[0069]应当理解的是，在其他实施例中，也可以仅仅包含电流阻挡层或钝化层中的一种，或者在LED芯片中增加相应的提高LED芯片性能的其他层结构，在此不再一一举例进行说明。
[0070]由以上技术方案可以看出，与现有技术中的透明导电层相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0071]在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻；
[0072]纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。
[0073]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0074]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括: 衬底； 位于所述衬底上的N型半导体层； 位于所述N型半导体层上的发光层； 位于所述发光层上的P型半导体层； 位于所述P型半导体层上的透明导电层； 位于所述透明导电层上的纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒； 与所述P型半导体层电性导通的P电极、以及与所述N型半导体层电性导通的N电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ΙΤΟ、ΖΙΤΟ、Z1、G1、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一种或多种的组合。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述纳米金属层为纳米银层。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述纳米金属层的厚度为l~10nm。5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层和透明导电层之间对应于P电极下方区域设有电流阻挡层。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上方设有钝化层。
【专利摘要】本实用新型公开了一种LED芯片，LED芯片从下向上依次包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；透明导电层；纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；P电极及N电极。本实用新型在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻。纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。
【IPC分类】H01L33/32, H01L33/44
【公开号】CN204809251
【申请号】CN201520554037
【发明人】李庆, 杨龙, 陈立人
【申请人】聚灿光电科技股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月28日