具有高分布电容值的电感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电子元件，具体的说是涉及一种具有高分布电容值的电感器。
【背景技术】
[0002]众所周知的电感器构造是由电感骨架，漆包导线、层间绝缘材料螺旋绕制而成，通常要求其不具有分布电容或具有的分布电容越小越好。
[0003]Marx发生器是一种经典的高功率脉冲发生装置，目前有着广泛的应用。在制作高重复频Marx发生器时，需要电感器进行快速充电和放电隔离高压，而放电时又需要有耦合电容使放电开关可靠导通，这可采用两个元件并联实现。现有的小型高重复频Marx发生器体积有限，无法合理的同时容纳电感器与耦合电容。
【发明内容】
[0004]针对上述现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种具有高分布电容值的电感器，用一个即具有电感充电功能的电感，又具有耦合电容功能的电容复合元件，替代电感器与耦合电容两个元件的功能。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种具有高分布电容值的电感器，电感线圈绕制在电感骨架上，电感线圈两端通过引出导线引出，所述电感线圈的绕制材料是由两层聚丙烯粗化膜、一层电容器纸和一层金属箔叠加组成，其电容器纸位于两层聚丙烯粗化膜之间，在电感线圈外包裹有压敏胶带，在电感线圈两端面用环氧树脂灌封填充。
[0006]优选的，所述电感骨架的一端中部设有圆柱形凸起，在凸起的侧壁上设有外螺纹，在电感骨架的另一端中部对应于凸起设有凹槽，在凹槽的内壁上设有与外螺纹相匹配的内螺纹。
[0007]进一步，所述引出导线由铜材制成，其外表设有绝缘套管。
[0008]采用本技术方案的实用新型，其有益效果是:本实用新型的电感器，用一个即具有电感充电功能的电感，又具有耦合电容功能的电容复合元件，替代电感器与耦合电容两个元件的功能，用一个元件就可以满足两个元件的需求。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的剖面构造示意图；
[0010]图2为电感线圈展开的剖面构造图；
[0011]图中标号:1、电感骨架；2、电感线圈；3、引出导线；4、压敏I父带；5、环氧树脂；11、凸起；12、凹槽；21、聚丙烯粗化膜；22、电容器纸；23、金属箔；31、绝缘套管。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0013]参见图1和图2，本实用新型的电感器，电感线圈2绕制在电感骨架I上，电感线圈2两端通过引出导线3引出，其引出导线3由铜材制成，其外表设有绝缘套管31 ;所述电感骨架I的一端中部设有圆柱形凸起11，在凸起11的侧壁上设有外螺纹，在电感骨架I的另一端中部对应于凸起11设有凹槽12，在凹槽12的内壁上设有与外螺纹相匹配的内螺纹；所述电感线圈2的绕制材料是由两层聚丙烯粗化膜21、一层电容器纸22和一层金属箔23叠加组成，其电容器纸22位于两层聚丙烯粗化膜21之间，在电感线圈2上浸渍可固化硅油后用绝缘压敏胶带4包裹电感线圈2，两端各留3?4_，在电感线圈2两端面用环氧树脂5灌封填充。
[0014]在实际制作过程中，其电感骨架I也可为空芯的，可在空芯内填充不同类别的感应材料，这需根据对电感器的要求来确定，其具体在此就不--赘述。
[0015]上述仅为本实用新型的一种实施例，并不用以限制本实用新型，本领域的技术人员可以对上述结构作各种变化和改进，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改等同替换和改进，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种具有高分布电容值的电感器，电感线圈绕制在电感骨架上，电感线圈两端通过引出导线引出，其特征在于:所述电感线圈的绕制材料是由两层聚丙烯粗化膜、一层电容器纸和一层金属箔叠加组成，其电容器纸位于两层聚丙烯粗化膜之间，在电感线圈外包裹有压敏胶带，在电感线圈两端面用环氧树脂灌封填充。2.根据权利要求1所述的具有高分布电容值的电感器，其特征在于:所述电感骨架的一端中部设有圆柱形凸起，在凸起的侧壁上设有外螺纹，在电感骨架的另一端中部对应于凸起设有凹槽，在凹槽的内壁上设有与外螺纹相匹配的内螺纹。3.根据权利要求1所述的具有高分布电容值的电感器，其特征在于:所述引出导线由铜材制成，其外表设有绝缘套管。
【专利摘要】本实用新型公开了一种具有高分布电容值的电感器，电感线圈绕制在电感骨架上，电感线圈两端通过引出导线引出，所述电感线圈的绕制材料是由两层聚丙烯粗化膜、一层电容器纸和一层金属箔叠加组成，其电容器纸位于两层聚丙烯粗化膜之间，在电感线圈外包裹有压敏胶带，在电感线圈两端面用环氧树脂灌封填充。本实用新型的电感器，用一个即具有电感充电功能的电感，又具有耦合电容功能的电容复合元件，替代电感器与耦合电容两个元件的功能，用一个元件就可以满足两个元件的需求。
【IPC分类】H01F27/28, H01F27/30
【公开号】CN204926985
【申请号】CN201520706881
【发明人】贾文选
【申请人】成都光大电力电子研究所
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月14日