温度保护电路的制作方法

文档序号:10182002阅读:340来源:国知局
温度保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路技术,尤其涉及到温度保护电路。
【背景技术】
[0002]在集成电路中,温度过高时会产生错误信息,为了避免这样的现象出现,会设置温度保护电路,用来关掉相应的输出。

【发明内容】

[0003]本实用新型旨在提供一种输出信号能够随着温度变化的温度保护电路。
[0004]温度保护电路,包括第一电阻、第二电阻、第一 NM0S管、第三电阻和第一 NPN管:
[0005]所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NM0S管的漏极和所述第一 NPN管的基极;
[0006]所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一 NM0S管的漏极和所述第一 NPN管的基极,另一端接地;
[0007]所述第一 NM0S管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一 NPN管的集电极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一 NPN管的基极,源极接地;
[0008]所述第三电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一 NPN管的集电极和所述第一 NM0S管的栅极;
[0009]所述第一 NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一 NM0S管的漏极,集电极接所述第三电阻的一端和所述第一 NM0S管的栅极,发射极接地。
[0010]所述第一电阻和所述第二电阻分压得到一电压作为所述第一 NPN管的基极电压,当温度身高时,由于所述第一 NPN管50的BE结电压是负温度系数,温度达到一定温度时,所述第一 NPN管导通使得输出端V0UT变为低电平;正常工作时,由于所述第一 NPN管不导通,这样输出端V0UT是高电平。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的一种温度保护电路的电路图。
[0012]图2为本实用新型的温度保护电压随温度的变化图。
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0014]温度保护电路,如图1所示,包括第一电阻10、第二电阻20、第一 NM0S管30、第三电阻40和第一 NPN管50:
[0015]所述第一电阻10的一端接电源电压VCC,另一端接所述第二电阻20的一端和所述第一 NM0S管30的漏极和所述第一 NPN管50的基极;
[0016]所述第二电阻20的一端接所述第一电阻10的一端和所述第一 NM0S管30的漏极和所述第一 NPN管50的基极,另一端接地;
[0017]所述第一 NM0S管30的栅极接所述第三电阻40的一端和所述第一 NPN管50的集电极,漏极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端和所述第一 NPN管50的基极,源极接地;
[0018]所述第三电阻40的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一 NPN管50的集电极和所述第一 NM0S管30的栅极;
[0019]所述第一 NPN管50的基极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端和所述第一 NM0S管30的漏极,集电极接所述第三电阻40的一端和所述第一 NM0S管30的栅极,发射极接地。
[0020]所述第一电阻10和所述第二电阻20分压得到一电压作为所述第一 NPN管50的基极电压,当温度身高时,由于所述第一 NPN管50的BE结电压是负温度系数,温度达到一定温度时,所述第一 NPN管50导通使得输出端V0UT变为低电平;正常工作时,由于所述第一 NPN管50不导通,这样输出端V0UT是高电平。
[0021 ] 如图2所示,为温度保护电压随温度的变化图。正常工作时输出端V0UT为高电平;当温度达到预置温度时,输出端V0UT变为低电平。
【主权项】
1.温度保护电路,其特征在于:包括第一电阻、第二电阻、第一 NMOS管、第三电阻和第一 NPN 管; 所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第二电阻的一端和所述第一 NMOS管的漏极和所述第一 NPN管的基极; 所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一 NM0S管的漏极和所述第一NPN管的基极,另一端接地; 所述第一 NM0S管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一 NPN管的集电极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一 NPN管的基极,源极接地; 所述第三电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一 NPN管的集电极和所述第一NM0S管的栅极; 所述第一 NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NM0S管的漏极,集电极接所述第三电阻的一端和所述第一 NM0S管的栅极,发射极接地。
【专利摘要】本实用新型公开了一种温度保护电路,包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第三电阻和第一NPN管;第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接第二电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极;第二电阻的一端接第一电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极,另一端接地;第一NMOS管的栅极接第三电阻的一端和第一NPN管的集电极,漏极接第一电阻的一端和第二电阻的一端和第一NPN管的基极,源极接地。本实用新型第一电阻和第二电阻分压得到一电压作为第一NPN管的基极电压,当温度升高时,第一NPN管导通使得输出端VOUT变为低电平;正常工作时,第一NPN管不导通,输出端VOUT是高电平。
【IPC分类】H01L23/58, H01L27/02
【公开号】CN205092240
【申请号】CN201520844227
【发明人】陶霞菲
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年10月26日
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1