一种雪崩光电二极管的封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种雪崩光电二极管的封装结构。
【背景技术】
[0002]雪崩光电二极管，英文缩写为APD，是一种具有内增益的光生电流器件，它利用光生载流子在强电场内的定向运动，产生的雪崩效应获得光电流的增益。雪崩光电二极管结构精密，规格多种多样。因此，在使用雪崩光电二极管时，要小心谨慎，针对不同的应用场合，人们应选择结构、规格与之相应的雪崩光电二极管，这样，就不会造成一些不必要的麻烦。
【发明内容】
[0003]针对上述现有技术中的不足之处，本实用新型旨在提供一种雪崩光电二极管的封装结构。
[0004]—种雪崩光电二极管的封装结构，包括APD芯片、镀膜玻璃光窗、陶瓷管座。所述陶瓷管座上有放置APD芯片的空间；陶瓷管座内设有与APD芯片电性连接的管座NC极、管座APD阴极和管座APD阳极。
[0005]进一步的，陶瓷管座包括陶瓷管座顶层、陶瓷管座中间层、陶瓷管座底层。
[0006]进一步的，管座NC极、管座APD阴极设置在所述陶瓷管座中间层上；管座APD阳极设置在陶瓷管座底层上。
[0007]进一步的，管座APD阴极与所述AH)芯片的芯片光敏面环形电极电性连接；管座APD阳极与APD芯片的芯片背电极电性连接。
[0008]进一步的，APD芯片与管座APD阴极、管座APD阳极电性连接的材质以及单独的管座NC极的材质为导电涂料。
[0009]进一步的，陶瓷管座上设有用于层间导电，且分别与管座NC极、管座APD阴极、管座APD阳极相匹配的半圆形导电凹槽。
[0010]本实用新型是一种无引脚芯片载体封装。本实用新型陶瓷管座底面只有电极接触而无引脚。本实用新型适合于所有的雪崩光电二极管，使得雪崩光电二极管器件封装实现小型化。本实用新型在不改变雪崩光电二极管特性的情况下，可使雪崩光电二极管有一个统一的规格，方便雪崩光电二极管安装使用，同时也对雪崩光电二极管起保护的作用。
【附图说明】
[0011]图I是本实用新型的结构图；
[0012]图2是陶瓷管座顶层的结构图；
[0013]图3是陶瓷管座中间层的结构图；
[0014]图4是陶瓷管座底层的结构图；
[0015]图5是APD芯片的立体图。
[0016]图中，I-APD芯片；2_镀膜玻璃光窗；3_陶瓷管座；31_陶瓷管座顶层；32_陶瓷管座中间层；33_陶瓷管座底层；4_管座NC极；5_管座APD阴极；6_管座APD阳极。
【具体实施方式】
[0017]下面结合具体实施例及附图来进一步详细说明本实用新型。
[0018]—种如图I-图5所不的雪崩光电二极管的封装结构，包括APD芯片I、镀膜玻璃光窗2、陶瓷管座3。陶瓷管座3上有放置APD芯片I的空间；陶瓷管座3内设有与APD芯片I电性连接的管座NC极4、管座APD阴极5和管座APD阳极6。陶瓷管座3包括陶瓷管座顶层31、陶瓷管座中间层32、陶瓷管座底层33。管座NC极4、管座APD阴极5设置在陶瓷管座中间层32上；管座APD阳极6设置在陶瓷管座底层33上。管座APD阴极5与APD芯片I的光敏面环形电极电性连接；管座APD阳极6与APD芯片I的芯片背电极电性连接。APD芯片I与管座APD阴极5、管座APD阳极6电性连接的材质为导电涂料；管座NC极4所用材质为导电涂料。陶瓷管座3上设有用于陶瓷管座顶层31、陶瓷管座中间层32、陶瓷管座底层33层间导电，且分别与管座NC极4、管座APD阴极5、管座APD阳极6相匹配的半圆形导电凹槽。
[0019]以上对本实用新型实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例，在【具体实施方式】以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
【主权项】
1.一种雪崩光电二极管的封装结构，其特征在于，包括APD芯片（I)、镀膜玻璃光窗(2)、陶瓷管座（3);所述陶瓷管座（3)上有放置所述AH)芯片（I)的空间；所述陶瓷管座(3)内设有与所述APD芯片（I)电性连接的管座NC极（4)、管座APD阴极（5)和管座APD阳极⑶。2.根据权利要求书I所述的一种雪崩光电二极管的封装结构，其特征在于：所述陶瓷管座（3)包括陶瓷管座顶层（31)、陶瓷管座中间层（32)、陶瓷管座底层（33)。3.根据权利要求书2所述的一种雪崩光电二极管的封装结构，其特征在于：所述管座NC极（4)、管座APD阴极（5)设置在所述陶瓷管座中间层（32)上；所述管座APD阳极（6)设置在所述陶瓷管座底层（33)上。4.根据权利要求书I所述的一种雪崩光电二极管的封装结构，其特征在于：所述管座Aro阴极（5)与所述Aro芯片（I)的光敏面环形电极电性连接；所述管座Aro阳极（6)与所述APD芯片（I)的芯片背电极电性连接。5.根据权利要求书I或4所述的一种雪崩光电二极管的封装结构，其特征在于：所述APD芯片（I)与所述管座APD阴极（5)、管座APD阳极（6)电性连接的材质为导电涂料；所述管座NC极（4)所用材质为导电涂料。6.根据权利要求书I所述的一种雪崩光电二极管的封装结构，其特征在于：所述陶瓷管座（3)上设有用于层间导电，且分别与所述管座NC极（4)、管座APD阴极（5)、管座APD阳极（6)相匹配的半圆形导电凹槽。
【专利摘要】本实用新型提供一种雪崩光电二极管的封装结构，包括APD芯片、镀膜玻璃光窗、陶瓷管座。所述陶瓷管座上有放置APD芯片的空间；陶瓷管座内设有与APD芯片电性连接的管座NC极、管座APD阴极和管座APD阳极。本实用新型在不改变雪崩光电二极管特性的情况下，可使雪崩光电二极管有一个统一的规格，方便雪崩光电二极管安装使用，同时也对雪崩光电二极管起保护的作用。
【IPC分类】H01L23/15, H01L23/498
【公开号】CN205159316
【申请号】CN201520623744
【发明人】叶兵, 艾忠奎, 张大坚
【申请人】重庆航伟光电科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年8月17日