图像传感器的制造方法
【专利摘要】本公开涉及图像传感器。一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器。该图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括光电二极管阵列；多个隔离区，其中每个隔离区插置在所述光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间；以及多个导电层。其中每个导电层形成于相应隔离区中，并且其中每个导电层电连接至偏置电压供应线。根据本实用新型的实施例的一个有益技术效果可以是：能够提供改进的图像传感器。
【专利说明】
图像传感器
技术领域
[0001]本实用新型涉及集成电路，并且更具体地讲，涉及在CM0S(互补金属氧化物半导体)图像传感器中形成隔离区。
【背景技术】
[0002]数字照相机通常设置有数字图像传感器，例如CMOS图像传感器。数字照相机可以是独立的设备，也可包括在电子设备(例如移动电话或计算机)中。典型的CMOS图像传感器具有包括数千或数百万像素的图像传感器像素阵列。每个像素包括形成于衬底中的光敏元件，例如光电二极管。隔离区可形成在衬底中的光电二极管之间，以减少光电二极管之间的串扰。
[0003]为改善图像质量，常常期望增加图像传感器上像素的数量和密度。随着像素密度增加，像素必然被推得越来越集中，从而增加串扰的可能性。隔离区则有助于减轻串扰并允许这些光电二极管具有更大的最大阱容，从而获得改善的图像质量。
[0004]用于形成隔离区的常规方法包括离子注入。然而，所注入的离子难以精确控制并且常常会侧向扩散，使得无法产生突变结。因此必须牺牲最大阱容，以便在光电二极管之间提供足够的隔离。作为另外一种选择，可使用深沟槽隔离方法，其中于隔离沟槽中生长衬里氧化物。然而，此方法因晶格失配而造成缺陷，导致产生更高的暗电流。暗电流是指即使当像素不曝光时也会自发生成的电流。因隔离沟槽中的衬里氧化物而造成的暗电流增加可导致图像传感器出现不期望的噪声或噪点。
[0005]因此，期望能够提供用于在图像传感器中形成隔离区的改进方法。
【实用新型内容】
[0006]本公开的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。
[0007]根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器。该图像传感器可以包括:衬底，所述衬底包括光电二极管阵列；多个隔离区，其中每个隔离区插置在所述光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间；以及多个导电层。其中每个导电层形成于相应隔离区中，并且其中每个导电层电连接至偏置电压供应线。
[0008]根据一个实施例，所述传感器还可以包括多个衬里，其中每个衬里插置在相应导电层与所述衬底之间。
[0009]根据一个实施例，其中每个导电层可以被形成为与所述衬底直接接触。
[0010]根据一个实施例，其中每个隔离区可以包括位于所述衬底中的沟槽，并且其中每个导电层形成于相应沟槽中。
[0011]根据一个实施例，其中所述衬底可以具有顶表面，并且其中每个导电层具有平行于所述衬底的所述顶表面的相应顶表面。
[0012]根据一个实施例，所述图像传感器还可以包括连接层，所述连接层形成于所述衬底的顶表面上方，使得所述连接层电连接至每个导电层。
[0013]根据一个实施例，其中所述连接层可以由第一材料形成，其中所述导电层由第二材料形成，并且其中所述第一材料与所述第二材料相同。
[0014]根据一个实施例，其中所述连接层可以由第一材料形成，其中所述导电层由第二材料形成，并且其中所述第一材料不同于所述第二材料。
[0015]根据一个实施例，其中所述衬底可以包含外延硅。
[0016]根据一个实施例，其中每个导电层可以包含选自以下的材料:钨、氮化钛和氮化钛招O
[0017]根据本实用新型的实施例的一个有益技术效果可以是:能够提供改进的图像传感器。
【附图说明】
[0018]图1是根据本实用新型实施例的具有图像传感器的示例性电子设备的示意图。
[0019]图2是根据本实用新型实施例的示例性图像传感器像素阵列的顶视图。
[0020]图3是根据本实用新型实施例的具有隔离结构的示例性图像传感器像素阵列的一部分的顶视图。
[0021]图4是根据本实用新型实施例的可用于图像传感器像素阵列中的示例性滤色器元件的顶视图。
[0022]图5是根据本实用新型实施例的具有形成于每个隔离区中的导电层的示例性图像传感器的横截面侧视图。
[0023]图6是根据本实用新型实施例的具有与每个隔离区中的导电层电连接的连接层的示例性图像传感器的横截面侧视图。
[0024]图7是根据本实用新型实施例的用于形成在每个隔离区中具有导电层的图像传感器的示例性步骤的流程图。
[0025]图8是根据本实用新型实施例的采用图1至图7的实施例的示例性处理器系统的框图。
【具体实施方式】
[0026]数字图像传感器被广泛用于数字照相机和电子设备(例如移动电话、计算机和计算机配件)中。具有图像传感器12以及存储和处理电路14的示例性电子设备10示于图1中。电子设备10可以是数字照相机、计算机、计算机配件、移动电话或其他电子设备。图像传感器12可以是包括镜头的相机模块的一部分，也可在具有单独镜头的电子设备中提供。在操作期间，镜头将光聚焦到图像传感器12上。图像传感器12可具有图像传感器像素阵列，该图像传感器像素阵列包括将光转换成数字数据的光敏元件，例如光电二极管。图像传感器可具有任意数量的像素(例如，数百、数千、数百万或更多)。典型的图像传感器可例如具有数百万像素(例如，数兆像素)。
[0027]可将来自图像传感器12的图像数据提供给存储和处理电路14。存储和处理电路14可处理传感器12所捕获的数字图像数据。经过处理的图像数据可保存在电路14中的存储装置内。也可将经过处理的图像数据提供给外部装置。存储和处理电路14可包括存储组件，例如存储器集成电路、构成其他集成电路(例如微处理器、数字信号处理器或专用集成电路)的一部分的存储器、硬盘存储装置、固态磁盘驱动器存储装置、可移动媒体或其他存储装置电路。存储和处理电路14中的处理电路可以基于一个或多个集成电路，例如微处理器、微控制器、数字信号处理器、专用集成电路、合并到相机模块中的图像处理器、其他基于硬件的图像处理电路、这些电路的组合等等。如果需要，图像传感器12和处理电路14可使用单个集成电路来实现或可使用单独的集成电路来实现。
[0028]示例性图像传感器像素阵列12示于图2中。图2的图像传感器12具有图像像素16的阵列。像素16通常按行和列排列。每个像素包括光敏元件(例如光电二极管)和对应的电子部件(例如，晶体管、电荷存储元件和用于发送电子信号的互连线路)。
[0029]图3是示出了图像传感器像素16的阵列的一部分的示意图。在图3的例子中，每个像素16具有光电二极管18。光电二极管18可形成于衬底30中。光子可撞击光电二极管18并生成电荷。可通过暂时导通转移栅极20而将电荷转移到浮动扩散区22。像素16内的光电二极管18可被隔呙区24分隔开。隔呙区26可使光电二极管18与阵列晶体管分隔开，并使其与相邻像素分隔开。
[0030]如果需要，每个像素16可包括单独的浮动扩散节点。在图3的例子中，四个像素16共享浮动扩散节点22，但这仅为示例性。
[0031]衬底30可以是硅衬底。衬底30可以例如是经掺杂的衬底，例如P型衬底或p+衬底。衬底30可具有外延层，例如P型或η型外延层。如果需要，衬底30可以是绝缘体上硅(SOI)衬底并且可具有埋入式氧化物层(BOX)。
[0032]入射光可在射到图3的其中一个光电二极管18上之前通过滤色器。图4是可为图3的像素16过滤光的示例性滤色器元件的顶视图。图4的滤色器图案具有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器元件52，并且有时称为Bayer图案。然而，图4的图案仅为示例性。如果需要，可使用其他图案和/或其他滤色器元件(例如，具有不同光谱响应的滤色器元件)。
[0033]使用图像传感器12捕获的图像的质量可能受到多种因素的影响。例如，图像传感器12中像素阵列的大小可对图像质量产生影响。相比具有更少图像像素的更小的图像传感器，具有大数量图像像素的大图像传感器将通常能够产生具有更高质量或分辨率的图像。另外，图像传感器12中光电二极管18的最大阱容可对图像质量产生影响。最大阱容是各个像素在饱和之前可容纳的电荷的量的量度。像素饱和可能会降低图像的质量。因此，期望像素能够容纳尽可能多的电荷，以使该像素不常变得饱和。
[0034]减小像素的大小可能有利于增加像素的数量并改善图像质量。减小图像传感器的像素间距也可能是有利的，像素间距是等效像素之间的距离的量度。例如，图像传感器的像素间距可以是10微米或更小、5微米或更小、I微米或更小等。
[0035]随着像素间距减小，由于相邻的光电二极管变得更集中，而更有可能出现像素之间的串扰。为了在增加像素数量的同时仍能防止串扰，必须牺牲最大阱容，因为具有更大的最大阱容的相邻光电二极管将更易受到串扰的影响。因此，减小最大阱容以实现最大像素
FtFt也/又。
[0036]期望在不牺牲最大阱容且仍能防止串扰的情况下增加像素的数量。形成经改进的隔离区(例如图3的隔离区24)可使得改进的像素阵列能够具有最小的串扰和最大的最大阱容。
[0037]图5是具有形成于每个隔离区中的导电门的图像传感器的一部分的横截面侧视图。夕卜延层32可以是沉积在衬底层31的上表面上的p型层或η型层。衬底31可以是p+或p型娃衬底或埋入式氧化物(BOX)层。衬底31可包括转移晶体管、重置晶体管和源极跟随器晶体管。外延层32可以例如是掺杂硼或其他合适的掺杂物的P型外延层。外延层32可以掺杂密度为1014-1015Cm—3或其他合适密度的硼或其他合适的掺杂物。光电二极管可形成于外延层32中。图5示出了三个光电二极管(PDl、PD2和TO3)。每个光电二极管可被隔离区24围绕。每个隔离区24可包括衬里36。衬里36可由氧化物制成。衬里氧化物36可完全覆盖隔离区24，使得衬里氧化物36与外延层32直接接触。衬里氧化物可具有任何合适的厚度。在各种实施例中，衬里氧化物层可小于Ιμηι、小于0.Ιμπι、小于0.Ο?μπι、介于0.Ο?μπι和0.0Olym之间或小于0.001
μ??ο
[0038]衬里氧化物36和外延层32的界面可具有晶格失配，从而可能产生大量暗电流。为防止暗电流的产生，隔离区24可包括导电栅极38。该导电栅极可电连接至偏置电压。在该导电栅极施加偏压导致在该导电栅极的表面附近发生电荷反转。电荷反转的区域用虚线34示出。当导电栅极电连接至偏压电压时，该衬底上位于虚线34与衬里36之间的部分可经历电荷反转。该电荷反转可根据所用外延层的类型(例如，P型或η型)而在导电栅极周围产生高电子或空穴浓度。空穴是在通常将存在电子的位置处缺少电子。导电栅极附近的高浓度电子或空穴能防止暗电流的自发生成。因此导电栅极在提供极佳隔离的同时还防止了高水平暗电流的生成。
[0039]导电栅极38(有时称为导电层38)可由任何合适的材料制成。导电层38可以例如由金属(例如钨、氮化钛或氮化钛铝)制成。具有中间能隙或能带边缘功函数的金属材料可用于导电栅极38中。在某些实施例中，栅极38可由掺杂的多晶硅制成。该多晶硅可以例如是P型多晶娃。
[0040]在某些实施例中，可从每个隔离区中省略掉衬里氧化物36。在这些实施例中，金属栅极38可以设置在隔离区中并与外延层32直接接触。作为另外一种选择，某些隔离区可包括衬里，而其他隔离区可不包括衬里。每个隔离区可仅被衬里氧化物36部分覆盖。通常，每个隔离区的任何部分均可任选地被衬里氧化物36覆盖。
[0041]图5的布置方式可能导致每个光电二极管具有更大光敏区域，从而使最大阱容增大。另外，金属栅极使光电二极管内侧电位增高。这导致在像素中生成的电子将有更大可能性被该像素的光电二极管收集。在一些情况下，电子在一个像素中生成，但却被收集到相邻像素的光电二极管中。这会使得图像数据中出现不期望的噪声，因为该图像数据不是像素所接收的入射光的准确反映。然而，由于图5中经改进的布置方式，电子更可能被收集到正确的光电二极管中。这导致每个光电二极管中获得增加的量子效率。一个像素中的入射光被相邻像素捕获所产生的串扰因图5的布置方式而有所减少。光晕现象(Blooming)也将因图5的布置方式而减少。
[0042]可向金属栅极38提供任何合适的偏置电压。图像传感器(例如图像传感器12)可包括电源线。该电源线可在图像传感器收集图像数据时使用。例如，可将偏置电压(Vaap1X)施加到该电源线上。可将像素电连接至电源线以重置像素。金属栅极38可电连接至与电源线分开的偏置电压源。偏置电压可以是具有任何合适的值的负偏置电压。偏置电压可以例如是-1.0伏特、小于-1.0伏特或大于-1.0伏特。
[0043]金属栅极38可以是电隔离的，如图5所示。在金属栅极未进行电连接的布置方式中，每个金属栅极将均需要用于连接偏置电压源的触点。因此，为降低图像传感器的复杂性，在一些实施例中，金属栅极可以彼此电连接。如果每个金属栅极彼此电连接，则用于连接偏置电压源的一个触点将向每个金属栅极充分施加偏压。图6示出了图像传感器12的示例性布置方式，其中每个金属栅极38彼此电连接。
[0044]如图6所示，连接层40可与导电层38的每个部分电连接。连接层40可使用与导电栅极38相同的材料制成。作为另外一种选择，连接层40可使用与导电栅极38不同的材料制成。连接层40可以是任何所需的导电材料。连接层40可被布置在栅格中以与每个隔离区的金属栅极电连接。在该实施例中，连接层将叠置在每个金属栅极38上，同时保持每个光电二极管上方的区域不被覆盖。在另一种可能的布置方式中，连接层40可完全覆盖衬底32，包括隔离区和每个光电二极管上方的区域在内。
[0045]图6示出了仅形成于隔离区中并且不在连接层40与衬底32之间的衬里氧化物36。此例仅为示例性，并且衬里36可包括在连接层40的任何部分与衬底之间。
[0046]在图5和图6中，隔离区24显示为仅部分延伸穿过衬底32。此例纯粹为示例性的。隔离区24可延伸穿过衬底32的不到一半、穿过衬底32的大于一半或完全穿过衬底32。
[0047]图7示出了用于在图像传感器的隔离区中形成导电层的示例性方法。在步骤72中，可在衬底32的一部分上方形成硬掩模层。该硬掩模层可形成于每个光电二极管区域上方。隔离区24可保持不被硬掩模层覆盖。硬掩模层的各个段可分开3微米、小于3微米、小于I微米、大于3微米、大于10微米或任何其他合适的距离。硬掩模层可由氮化硅、光阻剂或其他合适的掩模材料形成。
[0048]在步骤74中，可在衬底32中形成沟槽。这些沟槽可使用蚀刻方法形成。蚀刻可在每个隔离区处进行。这种蚀刻可以是干法蚀刻或湿法蚀刻。在湿法蚀刻中，外延层32可浸入蚀刻剂浴中。蚀刻剂可以是缓冲氢氟酸、氢氧化钾、乙二胺和邻苯二酚的溶液、或任何其他合适的蚀刻剂。硬掩模层可以耐受蚀刻剂。因此，硬掩模层可防止位于硬掩模层正下方的区域中的外延层32被蚀刻。在未被硬掩模层覆盖的区域中，硅蚀刻可形成沟槽。可在蚀刻加工期间控制沟槽的尺寸。例如，将外延层32浸入蚀刻剂浴中持续更长时间可得到更深的沟槽。这些沟槽可形成为具有10微米或更小、3微米或更小、I微米或更小、0.5微米或更小、0.3微米或更小等等的宽度。可能有利的是具有从衬底的表面延伸到例如3-5微米、3微米或更大、4微米或更大等等的深度的隔离区。沟槽38的所需宽度与高度的纵横比可以例如为约1:8、1:7或更大、1:8或更大、1:9或更大等等。
[0049]在步骤76中，可在沟槽中形成衬里。该衬里可以是氧化物衬里，例如图5和图6中的衬里36。衬里36可使用任何所需方法(例如，热氧化)形成。在步骤78中，可在沟槽中形成导电层。导电层可以是金属或经掺杂的多晶硅。导电层可使用任何所需方法(例如，化学气相沉积)形成。在某些实施例中，可省略步骤76。在这些实施例中，导电层可在无插入衬里的情况下形成于沟槽中。另外，在步骤72中形成的硬掩模层可在步骤74之后、在步骤76之后或在步骤78之后被移除。
[0050]图8以简化形式示出了典型的处理器系统54，例如数字照相机，其包括成像设备56。成像设备56可包括图2中所示类型的像素阵列58。像素阵列58可包括形成有导电层的隔离区，例如图5或图6中所示的那些。处理器系统54是可包括成像设备56的具有数字电路的示例性系统。在不进行限制的前提下，这种系统可包括计算机系统、静态或视频摄像机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监控系统、自动对焦系统、星体跟踪器系统、运动检测系统、图像稳定系统以及其他采用成像设备的系统。
[0051]处理器系统54可以是数字静态或视频摄像机系统，其可包括用于在快门释放按钮70被按下时将图像聚焦到像素阵列(例如像素阵列58)上的镜头，例如镜头64。处理器系统54可包括中央处理单元，诸如中央处理单元(CPU)68XPU 68可以是微处理器，它控制相机功能和一个或多个图像流功能，并通过总线(诸如总线71)与一个或多个输入/输出(I/O)设备60通信。成像设备56还可通过总线71与CPU 68通信。系统54可包括随机存取存储器(RAM)66和可移动存储器62。可移动存储器62可包括通过总线71与CPU 68通信的闪存存储器。成像设备56可在单个集成电路或不同芯片上与CPU 68相组合，也可具有或没有存储器。尽管总线71被示为单总线，但该总线也可以是一个或多个总线或桥接器或其他用于互连系统组件的通信路径。
[0052]在本实用新型的各种实施例中，图像传感器可包括具有光电二极管阵列的衬底、多个隔离区和多个导电层。每个隔离区可插置在光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间。每个导电层可形成于相应隔离区中，并且每个导电层可电连接至偏置电压供应线。
[0053]在某些实施例中，图像传感器可包括多个衬里。每个衬里可插置在相应导电层与衬底之间。作为另外一种选择，每个导电层与衬底直接接触地形成。每个隔离区可包括位于衬底中的沟槽。每个导电层可形成于相应沟槽中。衬底可具有顶表面，并且每个导电层可具有平行于衬底顶表面的相应顶表面。
[0054]图像传感器可包括连接层，该连接层形成于衬底的顶表面上方，使得连接层电连接至每个导电层。连接层可由第一材料形成，导电层可由第二材料形成，并且第一材料可与第二材料相同。作为另外一种选择，第一材料可不同于第二材料。衬底可包含外延硅。每个导电层可包含钨、氮化钛或氮化钛铝。
[0055]在本实用新型的各种实施例中，图像像素阵列可包括光敏区域阵列、多个沟槽和多个金属层。每个金属层可形成于相应的一个沟槽中，并且每个沟槽可插置在光敏区域阵列中的一对相邻光敏区域之间。一种使用图像像素阵列收集图像数据的方法可包括:将金属层电连接至偏置电压供应线;并且在将每个金属层电连接至偏置电压供应线的同时，使用光敏区域阵列中的每个光敏区域收集图像数据。
[0056]至少两个金属层可以是电隔离的。将每个金属层电连接至偏置电压供应线可包括借助至少两个接触区域将所述至少两个金属层电连接至偏置电压供应线。
[0057]至少两个金属层可以是电连接的。将每个金属层电连接至偏置电压供应线可包括借助单个接触区域将所述至少两个金属层电连接至偏置电压供应线。
[0058]在各种实施例中，一种利用衬底中的光电二极管阵列以及隔离该光电二极管阵列中的每个光电二极管的多个隔离区形成图像传感器的方法可包括:在衬底中形成多个沟槽;形成多个衬里;并且形成多个导电层。每个衬里可形成于相应的一个沟槽中。每个导电层可形成于相应的一个沟槽中。
[0059]形成多个衬里可包括直接相邻于衬底形成多个衬里。形成多个导电层可包括直接相邻于多个衬里形成多个导电层。在衬底中形成多个沟槽之前，可于衬底的至少一部分上方形成硬掩模。在衬底中形成多个沟槽可包括进行蚀刻加工，并且硬掩模层可耐受蚀刻加工。
[0060]衬底可具有顶表面，并且每个导电层可具有相应的顶表面。该方法可还包括形成接触衬底的顶表面和导电层的顶表面两者的平面连接层。形成多个衬里可包括在衬底的顶表面上形成衬里。
[0061]根据本实用新型的一个方面，提供一种使用图像像素阵列收集图像数据的方法。其中所述图像像素阵列可以包括光敏区域阵列、多个沟槽和多个金属层，其中每个金属层形成于所述沟槽中的相应一者中，并且其中每个沟槽插置在所述光敏区域阵列中的一对相邻光敏区域之间。所述方法可以包括:将每个金属层电连接至偏置电压供应线；以及在将每个金属层电连接至所述偏置电压供应线的同时，使用所述光敏区域阵列中的每个光敏区域收集图像数据。
[0062]根据一个实施例，其中至少两个金属层可以是电隔离的，并且其中将每个金属层电连接至所述偏置电压供应线包括借助至少两个接触区域将所述至少两个金属层电连接至所述偏置电压供应线。
[0063]根据一个实施例，其中至少两个金属层可以是电连接的，并且其中将每个金属层电连接至所述偏置电压供应线包括借助单个接触区域将所述至少两个金属层电连接至所述偏置电压供应线。
[0064]根据本实用新型的另一个方面，提供一种形成图像传感器的方法。所述方法利用了衬底中的光电二极管阵列以及隔离所述光电二极管阵列中的每个光电二极管的多个隔离区。所述方法可以包括:在所述衬底中形成多个沟槽;形成多个衬里，其中每个衬里形成于所述沟槽中的相应一者中；以及形成多个导电层，其中每个导电层形成于所述沟槽中的相应一者中。
[0065]根据一个实施例，其中形成所述多个衬里可以包括直接相邻于所述衬底形成所述多个衬里。
[0066]根据一个实施例，其中形成所述多个导电层可以包括直接相邻于所述多个衬里形成所述多个导电层。
[0067]根据一个实施例，所述方法还可以包括:在所述衬底中形成所述多个沟槽之前，在所述衬底的至少一部分上方形成硬掩模。
[0068]根据一个实施例，其中在所述衬底中形成所述多个沟槽可以包括进行蚀刻加工，并且其中所述硬掩模层耐受所述蚀刻加工。
[0069]根据一个实施例，其中所述衬底可以具有顶表面，并且每个导电层具有相应顶表面，所述方法还可以包括:形成接触所述衬底的所述顶表面和所述导电层的所述顶表面两者的平面连接层。
[0070]根据一个实施例，其中所述衬底可以具有顶表面，并且其中形成所述多个衬里包括在所述衬底的所述顶表面上形成衬里。
[0071]前述内容仅是对本实用新型原理的示例性说明，因此本领域技术人员可以在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下进行多种修改。上述实施例可单独地或以任意组合方式实施。
【主权项】
1.一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括: 衬底，所述衬底包括光电二极管阵列； 多个隔离区，其中每个隔离区插置在所述光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间；以及 多个导电层，其中每个导电层形成于相应隔离区中，并且其中每个导电层电连接至偏置电压供应线。2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述传感器还包括多个衬里，其中每个衬里插置在相应导电层与所述衬底之间。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个导电层被形成为与所述衬底直接接触。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个隔离区包括位于所述衬底中的沟槽，并且其中每个导电层形成于相应沟槽中。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述衬底具有顶表面，并且其中每个导电层具有平行于所述衬底的所述顶表面的相应顶表面。6.根据权利要求4所述的图像传感器，所述图像传感器还包括连接层，所述连接层形成于所述衬底的顶表面上方，使得所述连接层电连接至每个导电层。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述连接层由第一材料形成，其中所述导电层由第二材料形成，并且其中所述第一材料与所述第二材料相同。8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述连接层由第一材料形成，其中所述导电层由第二材料形成，并且其中所述第一材料不同于所述第二材料。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述衬底包含外延硅。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个导电层包含选自以下的材料:钨、氮化钛和氮化钛铝。
【文档编号】H01L27/146GK205582940SQ201620382292
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年4月29日
【发明人】D·泰克莱布, G·D·阿米西斯
【申请人】半导体元件工业有限责任公司