一种腔体谐振抑制结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种腔体谐振抑制结构，所述腔体谐振抑制结构为一个非接触式延伸覆盖结构，该结构主要针对半封闭式腔体结构中出现的由于设计原因出现的缺口结构带来的不可控谐振及损耗偏大问题。该腔体谐振抑制结构为在上述缺口部处安装有一盖板，所述盖板位于缺口部分的部分与半封闭腔体电接触连接，且所述盖板还具有延伸至全封闭腔体的外腔壁外侧的延伸部，且延伸部不与半封闭腔体电接触。本实用新型腔体谐振抑制结构可以用于移相器中，通过在半封闭腔体端部所设缺口部用盖板覆盖、盖板的外端部分与半封闭腔体通过移相器的馈电座、螺栓等实现电连接，而盖板的延伸部分与半封闭腔体不电接触但是呈现覆盖的结构，来实现谐振抑制功能，从而令移相器等器件的性能更稳定、更优良。
【专利说明】
一种腔体谐振抑制结构
技术领域
:
[0001]本实用新型涉及天线设备技术领域，特指一种腔体谐振抑制结构。【背景技术】:
[0002]现有通信设备中的移相器等器件，它们的电子器件部分的容腔需要采用拼接组装的方式形成，金属带线等部件与容腔的组装需要分段连接固定，并且要考虑金属带线与外壳的绝缘，因此组装和结构较为繁琐，而且现有移相器等器件主要存在干扰性较强的腔体谐振，使它们的整体性能受到不利影响。【实用新型内容】:
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种腔体谐振抑制结构。
[0004]本实用新型实现其目的采用的技术方案是:一种腔体谐振抑制结构，主要应用于半封闭式腔体中，所述腔体谐振抑制结构具有一个非接触式盖板，所述盖板覆盖在具有一缺口部的半封闭式腔体的缺口部上方，与所述半封闭式腔体部分实现电接触，且所述盖板还具有延伸至半封闭式腔体的外腔壁外侧的延伸部，且延伸部不与半封闭式腔体电接触。
[0005]所述盖板为依据半封闭腔体缺口部结构形状而成的金属片，该金属片与半封闭腔体通过螺栓锁紧或焊接电连接，金属片边缘设有与螺栓或焊接相吻合的内凹弧。
[0006]所述盖板向缺口部后方延伸至半封闭腔体外腔壁外侧的延伸部的长度为半封闭腔体工作频率的八分之一到二分之一波长。
[0007]所述盖板延伸方向包括横向和纵向方向，且横向方向可沿半封闭腔体侧壁折弯延伸。
[0008]所述盖板与半封闭腔体外腔壁外侧之间设有一层绝缘隔膜，所述绝缘隔膜的形状与金属片外围形状相当，即呈“凹”字形，并略大于所述盖板与半封闭腔体的非接触平面外边缘处。
[0009]所述盖板的延伸部与半封闭式腔体外腔壁外侧之间的距离为0.1_?1_。
[0010]所述缺口部系由半封闭腔体的外腔壁表面一体冲压形成。
[0011]本实用新型腔体谐振抑制结构可以用移相器，通过在半封闭腔体端部设置缺口部并用盖板覆盖、盖板的外端部分与半封闭腔体通过移相器的馈电座、螺栓等实现电连接，而盖板的延伸部分与半封闭腔体不接触的结构，来实现谐振抑制功能，从而令移相器等器件的性能更稳定、更精确;而且本实用新型采用的半封闭腔体生产工艺更简单，与其他部件的组装更为简便，生产效率更高。【附图说明】:
[0012]图1是本实用新型应用与移相器实施例组装后的结构示意图；
[0013]图2是图1实施例分解状态示意图。【具体实施方式】:
[0014]下面结合具体实施例和附图对本实用新型进一步说明。
[0015]如图1-图2所示，本实施例所述的是一种可以用于移相器的腔体谐振抑制结构，所述腔体谐振抑制结构具有一个半封闭腔体1，该半封闭腔体1采用拉挤成型工艺制作，其内部成型有至少一个拉挤型腔，该半封闭腔体1的一端内部安装有馈电座2,馈电座2与半封闭腔体1多点接触，提供外部焊接载体;于该半封闭腔体1的端部处、与馈电座2上表面相对的外腔壁上朝外端部开设有一缺口部11，本实施例中缺口部11与该外腔壁形成“凹”字形结构，在该缺口部11处安装有一盖板3,所述盖板3与馈电座2锁紧连接并与半封闭腔体1形成电接触连接，且所述盖板3还具有延伸至半封闭腔体1的外腔壁外侧的延伸部31，且延伸部 31不与半封闭腔体1接触。
[0016]所述盖板3具有可陷入所述缺口部11的凹面32,即盖板3呈高低错位的非平面结构，该凹面32上设有定位孔321，凹面32边缘设有内凹弧322,对应地，所述馈电座2上设有与定位孔321相对的定位柱21，且该凹面32与所述馈电座2通过螺栓22锁紧连接，凹面32边缘的内凹弧322位卡入螺栓22的螺帽与馈电座2上表面之间使盖板3被锁紧固定。
[0017]所述盖板3向缺口部11后方延伸至半封闭腔体1外腔壁外侧的延伸部31的长度为半封闭腔体1的拉挤型腔工作频率的八分之一到二分之一波长。
[0018]所述盖板3与半封闭腔体1外腔壁外侧之间设有一层绝缘隔膜4,所述绝缘隔膜4的形状与缺口部11外围形状相当，即呈“凹”字形，起到确保盖板3与半封闭腔体1不接触的效果，若无绝缘隔膜4则依靠螺栓处的垫片等进行垫高使二者不接触。[〇〇19]所述盖板3与半封闭腔体1外腔壁外侧之间的距离保持在0.1mm?1mm，为较佳的间距范围。
[0020]所述缺口部11系由半封闭腔体1的外腔壁表面一体冲压形成，保证腔体内部连接结构有效呈现，便于外部操作。
[0021]综上所述，本实用新型腔体谐振抑制结构可以用于移相器及其他腔体结构的射频器件中，通过在半封闭腔体端部设置缺口部并用盖板覆盖、盖板的外端部分与半封闭腔体通过移相器的馈电座、螺栓等实现电连接，而盖板的延伸部分与半封闭腔体不接触的结构， 来实现谐振抑制功能，从而令移相器等器件的性能更稳定、更精确;而且本实用新型采用的半封闭腔体生产工艺更简单，与其他部件的组装更为简便，生产效率更高。
[0022]以上所述只是本实用新型的一种实施例，本实用新型还可用于其他具有半封闭式腔体构件的电子产品中，起到腔体谐振抑制功能。
【主权项】
1.一种腔体谐振抑制结构，主要应用于半封闭式腔体中，其特征在于:所述腔体谐振抑 制结构具有一个非接触式盖板，所述盖板覆盖在具有一缺口部的半封闭式腔体的缺口部上 方，与所述半封闭式腔体部分实现电接触，且所述盖板还具有延伸至半封闭式腔体的外腔 壁外侧的延伸部，且延伸部不与半封闭式腔体电接触。2.根据权利要求1所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于:所述盖板为依据半封闭腔体 缺口部结构形状而成的金属片，该金属片与半封闭腔体通过螺栓锁紧或焊接电连接，金属 片边缘设有与螺栓或焊接相吻合的内凹弧。3.根据权利要求1所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于:所述盖板向缺口部后方延伸 至半封闭腔体外腔壁外侧的延伸部的长度为半封闭腔体工作频率的八分之一到二分之一 波长。4.根据权利要求1所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于:所述盖板延伸方向包括横向 和纵向方向，且横向方向可沿半封闭腔体侧壁折弯延伸。5.根据权利要求1所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于:所述盖板与半封闭腔体外腔 壁外侧之间设有一层绝缘隔膜，所述绝缘隔膜的形状与金属片外围形状相当，即呈“凹”字 形，并略大于所述盖板与半封闭腔体的非接触平面外边缘处。6.根据权利要求1或4所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于:所述盖板的延伸部与半 封闭式腔体外腔壁外侧之间的距离为0.1mm?1_。7.根据权利要求1所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于:所述缺口部系由半封闭腔体 的外腔壁表面一体冲压形成。
【文档编号】H01P7/06GK205609724SQ201521112400
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年12月25日
【发明人】李名定, 王利停, 陈冰, 崔冠峰
【申请人】广东晖速通信技术股份有限公司