背光开路保护电路的制作方法

文档序号:7491107阅读:168来源:国知局
专利名称:背光开路保护电路的制作方法
技术领域
本发明涉及一种背光开路保护电路,尤其是用于液晶显示
器的背光开路保护电路
背景技术
液晶显示器具轻、薄、耗电小等优点,因此被广泛应用于
笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等现代化信息设备。由
于液晶显示器中的液晶分子本身并不发光,因此液晶显示器需
借助一背光模组发光来实现图像显示。通常背光模组包括多个
背光灯管和 一 调节该多个背光灯管工作电流的"永宽调变集成电
路当 一 背光灯管工作出现意外,造成该脉宽调变集成电路的输出负载开路时,该脉宽调变集成电路需要 一 背光开路保护电
路使其停止工作。
请参考图1,是一种现有技术背光开路保护电路100的电路 结构示意图。该背光开路保护电路100包括四个开路检测电路 110、 一输入电路130、 一脉宽调变集成电路150和 一 控制开关 170。
每 一 开路4全测电路110包括一 测输出端112 ,该4企测输出端 112连接至一背光灯管lll的低压端。该输入电路130包括四个二 极管131、四个偏置电阻132、四个滤波电容135、 一第一晶体管
1331、 一第二曰 曰曰体管1332、 ^第三晶体管1 333和第四晶体管
1334。该第曰 曰曰体管1331的源极接地, 该第_日 日曰体管1331的漏
极电连接至该第二曰 曰曰体管1332的源极, 该第一 曰 ^日曰体管1332的漏
极电连接至该第二曰 曰曰体管1333的源极, 该第二 曰 一日日体管1 3 3 3的漏
极电连接至该第四曰 曰曰体管1334的源相^, 该第四晶体管13 34的漏
极是该输入电路130的输出端。该第一晶体管1331、该第二晶体管1332、第三晶体管1333和第四晶体管1334的4册极分别通过并 联的 一 个偏置电阻1 32和 一 个滤波电容1 35接地,该四个二极管 1 3 1的负极分别电连接至该第 一 晶体管1 33 1 、 该第二晶体管 1332、第三晶体管1333和第四晶体管1334的栅极,该四个二极 管131的正极分别作为该输入电路130的 一输入端,并分别连接 至该四个4企测输出端112 。
该脉宽调变集成电路1 50包括 一 控制端1 5 1 ,当该控制端1 5 1 被拉为低电压时,该脉宽调变集成电路150停止工作。
该控制开关1 70包括 一 第五晶体管1 7 1和 一 限流电阻1 72 ,该 第五晶体管1 7 1的源极接地,该第五晶体管1 71的漏极电连接至 该脉宽调变集成电^各150的控制端15 1 ,该第五晶体管171的4册才及 和该第四晶体管1334的漏极皆通过该限流电阻172电连接至一 5V电源(脉宽调变集成电路150的 一 引脚)。
该背光开路保护电路1 00正常工作时,该四个开路检测电路 110的四个4企测输出端112输出四个高电压信号。该四个高电压信 号通过该四个二极管131使得该第 一 晶体管1331、该第二晶体管 1332、该第三晶体管1333和该第四晶体管1334都开启,则该第 四晶体管1334的漏极被下拉为低电压,因此该第五晶体管171关 闭,从而该脉宽调变集成电路150的控制端151保持高电压,维 持该脉宽调变集成电路1 50正常工作。
当任意 一 开路检测电路110检测到与其相连的背光灯管111 处于开^各或对地短^各状态时,其对应的开^各 一全测电^各11 0的#r测 输出端112输出 一低电压信号,使得对应连接的晶体管关闭,则 输入电路130的输出不影响该第五晶体管171的栅极状态。由于 该第五晶体管1 7 1的栅极和该第四晶体管1 3 34的漏极均通过该 限流电阻1 72电连接至一 5 V电源,因此该第五晶体管1 7 1开启, 其将该控制端1 5 1的电位拉为低电平,该脉宽调变集成电^各1 50 停止工作,实现背光开路保护功能。
然而,该背光开^各保护电路1 00中,该输入电^各1 30包括的 晶体管数目和二极管1 3 1数目分别与待测背光灯管111的数目相等,并且需要配合该控制开关170的第五晶体管171实现背光开 路保护功能,其结构较为复杂,成本比较高,并且如果采用的
背光灯管111增多时,该输入电路1 30需要相应增加晶体管的数
量,进 一 步增加成本。

发明内容
为了解决现有技术中背光开路保护电路的电路结构复杂和 成本较高的问题,有必要提供 一 种电路结构简单和成本较低的 背光开路保护电路。
一种背光开路保护电路,其包括 一 第 一 开路检测电路、一 脉宽调变集成电路、 一 第二开路检测电路和 一 控制电路。该第
一开路;险测电路包括 一 第 一 检测输出端。该脉宽调变集成电路 包括 一 控制端。该控制电路包括 一 晶体管,该晶体管的栅极和 漏极分别连接至该第一 4企测输出端和该控制端,且其漏极连接 至 一 电源,其源极接地。该第二开路;险测电路包括 一 第二检测 输出端,其连接至该控制端,并配合该晶体管的漏极电压共同 控制该控制端的电压。
一种背光开路保护电路,其包括 一 脉宽调变集成电路、一 第 一 开路检测电路、 一 控制电路和 一 第二开路检测电路。该脉 宽调变集成电路包括 一 控制端。该第 一 开路检测电路检测背光 灯管的工作状态并输出相应的电压信号至该控制端。该控制电
路包括 一 开关元件。该第二开路检测电路检测背光灯管的工作 状态并控制该开关元件的开启与关断。
与现有技术相比,本发明背光开路保护电路的控制电路可 以通过 一 个晶体管实现二组背光灯管的开路保护,所用电路元 件比较少,因此其结构筒单,成本也比较低。


图l是一种现有技术背光开路保护电路的电路结构示意图。 图2是本发明背光开路保护电路 一 较佳实施方式的电路结构示意图。
具体实施例方式
请参阅图2,是本发明背光开路保护电路一较佳实施方式的
电路结构示意图。该背光开路保护电路200包括 一 第 一 开路检测 电路210、 一第二开路检测电路220、 一脉宽调变集成电路250和 一控制电路270。
该第 一 开^各;险测电^各210用于4企测 一 第 一 背光灯管组(未标 示)的开路状况。该第 一 背光灯管组包括两根串联的背光灯管 211,该两根背光灯管2 11的高压端分别连接至 一 交流电压源2 1 8 的两端,以提供该背光灯管211工作所需的电压,因此,该第一 开路检测电路210仅需检测该第 一 背光灯管组的其中之 一 背光 灯管2 11的开路状况,就可以对该第 一 背光灯管组中串联的所有 背光灯管进行开路保护。
该第二开路检测电路220用于检测 一 第二背光灯管组(未标 示)的开路状况。该第二背光灯管组包括两根串联的背光灯管 221,该两根背光灯管22 1的高压端分别连接至 一 交流电压源228 的两端,以提供该背光灯管221工作所需的电压,因此,该第二 开路检测电路220仅需检测该第二背光灯管组的其中之 一 背光 灯管221的开路状况,就可以对该第二背光灯管组中串联的所有 背光灯管进行开路保护。
该第 一 开路检测电路2 10包括 一 第 一 检测电阻2 1 3 、 一第一 二极管215、 一第二二极管217和 一 第 一检测输出端212。该第一 二极管215的负极连接至该第一背光灯管组中的一背光灯管211 的低压端,其正极接地。该第二二极管217的正才及连接至该背光 灯管211的低压端,其负极通过该第 一检测电阻213接地。该第 一检测输出端2 1 2自该第二 二极管2 1 7的负极引出。
该第二开路检测电路220包括 一 第二 一企测电阻223 、 一第三 二极管225、 一第四二极管227和一第二斗企测输出端222。该第三 二极管225的负极连接至该第二背光灯管组中的 一 背光灯管22 1的低压端,其正极接地。该第四二极管227的正极连接至该背光
灯管22 1的低压端,其负极通过该第二 4企测电阻223接地。该第 二才全测输出端222自该第四二极管227的负极引出。
该脉宽调变集成电^各250包括 一 控制端25 1 ,当该控制端25 1 为高电压时,该脉宽调变集成电路250正常工作,该控制端25 1 输入高电压的规格要求为1.17V 1.32V。当该控制端251为低电 压时,该脉宽调变集成电路250会停止工作。该控制端25 1通过 一保护电阻280连接至该第 一 检测输出端2 12 。
该控制电路270包括一限流电阻272、 一参考电阻274、 一晶 体管276和 一 滤波电容278。该晶体管276的栅极通过该限流电阻 272连接至该第二检测输出端222,漏极通过该参考电阻274连接 至一 5伏(V)直流电源,并通过该保护电阻280连接至该控制端 251,该晶体管276的源极接地。该滤波电容278连接于该晶体管 276的漏极和源才及之间。
该晶体管276是一 P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶 体管 (P-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, P-MOSFET),其于J氐电压时开启,并于高电压时关断, 该晶体管276的型号可以是2N6851 、 IRF9530和AP2305等。该脉 宽调变集成电路250是采用型号为OZ9939G的集成电路。该背光 灯管211 、 221是冷阴极焚光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)。该限流电阻272的电阻值为3.3KQ 。该保护电阻280的电 阻<直为1KQ 。
当该背光开路保护电路200正常工作时,该背光灯管2 11产 生的电流流经其4氐压端、该第二 二极管2 1 7和该第 一 片企测电阻 213。同时,背光灯管221产生的电流流经其低压端、该第四二 极管227和该第二检测电阻223 ,该第二检测电阻223的电压通过 该第二检测输出端222输出至该晶体管276的栅极,故该晶体管 276关断。该5V直流电源经该参考电阻274、该第一检测电阻213 接地,此时该第一 4企测电阻2 1 3两端的电压为实际输入至该控制 端25 1的电压。参考该控制端25 1正常工作的规格要求,该参考电阻274的电阻值11274与该第 一检测电阻213的电阻值11213满足如
下关系
1.17<5xR213/(R274+R213)<1.32
当该第 一检测电阻213的电阻值R^3取0.68KQ(千欧姆),依 据上述关系,可计算该参考电阻274的电阻值11274为1.89 KQ 2.22 Kfi 。选取该参考电阻274的电阻值为2.0 KQ 。如此,该控制端25 1 保持正常工作电压,该脉宽调变电路250正常工作。
当该第 一 开路检测电路2 IO检测到与其相连的 一 背光灯管 2 11为开路或对地短路时,该第 一 开路检测电路2 1 0的第 一 检测 输出端2 1 2输出 一 低电压信号将该控制端25 1的电压拉低,该脉 宽调变集成电路250停止工作,实现背光开路保护功能。
当该第二开路检测电路220检测到与其相连的 一 背光灯管 22 1为开路或对地短路时,该第 一 开路纟企测电路220的第 一 检测 输出端222输出 一 低电压信号至该晶体管276的栅极,使得该晶 体管276开启,该控制端251通过该保护电阻280和该晶体管276 接地,从而将该控制端25 1的电压拉低,该脉宽调变集成电^各250 停止工作,实现背光开路保护功能。
与现有技术相比较,本发明的背光开路保护电路200的控制 电路270中仅需要 一 晶体管276实现二组背光灯管的开路保护功 能,其所使用的晶体管数量大为减少,并通过对该参考电阻274 的设定,可较好的实现开路保护的控制,从而该背光开路保护 电路200所用元件比较少,其结构较为简单,成本也比较低。
本发明并不限于上述实施方式所述,例如该第 一 一企测输出 端212和该第二4企测输出端222也可以相互替换;该第一 测电 阻2 1 3的电阻值也可以是0.43 KQ 。
权利要求
1. 一种背光开路保护电路,其包括一第一开路检测电路、一脉宽调变集成电路、一第二开路检测电路和一控制电路,该第一开路检测电路包括一第一检测输出端,该第二开路检测电路包括一第二检测输出端,该脉宽调变集成电路包括一控制端,其特征在于该控制电路包括一晶体管,该晶体管的栅极和漏极分别连接至该第一检测输出端和该控制端,且其漏极连接至一电源,其源极接地,该第二检测输出端连接至该控制端,并配合该晶体管的漏极电压共同控制该控制端的电压。
2. 如权利要求1所述的背光开路保护电路,其特征在于该第一 开路检测电路用于检测至少两根串联的背光灯管的工作状态。
3. 如权利要求2所述的背光开路保护电路,其特征在于该第一 检测输出端自该串联的至少两根背光灯管的其中之一 背光灯管的低 压端引出。
4. 如权利要求3所述的背光开路保护电路,其特征在于该晶体 管的漏极通过一参考电阻连接至该电源。
5. 如权利要求4所述的背光开路保护电路,其特征在于该第二 4企测输出端通过一第二4企测电阻接地。
6. 如权利要求5所述的背光开路保护电路,其特征在于该参考 电阻的电阻值的范围是1.89KQ 2.22KQ ,该第二检测电阻的电阻值 是0.68Kfi。
7. 如权利要求1所述的背光开路保护电路,其特征在于该晶体 管是P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。
8. —种背光开路保护电路,其包括一脉宽调变集成电路、 一第 一开路4企测电路、 一控制电路和一第二开鴻"企测电路,该脉宽调变 集成电路包括一控制端,该第 一开路纟全测电路和该第二才企测电^各分 别检测背光灯管的工作状态并输出相应的电压信号,其特征在于 该控制电路包括一开关元件,该第 一开路一全测电路输出的电压信号 输出至该控制端,该第二开路检测电路输出的电压信号控制该开关元件的开启与关断。
9. 如权利要求8所述的背光开路保护电路,其特征在于该第一 开路检测电路包括至少两根串联的背光灯管,该第 一检测输出端自 其中之一背光灯管的低压端引出,并通过一第一检测电阻接地。
10. 如权利要求8所述的背光开路保护电路,其特征在于该开 关元件是P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。
全文摘要
本发明涉及一种背光开路保护电路。该背光开路保护电路包括一第一开路检测电路、一脉宽调变集成电路、一第二开路检测电路和一控制电路。该第一开路检测电路包括一第一检测输出端。该脉宽调变集成电路包括一控制端。该控制电路包括一晶体管,该晶体管的栅极和漏极分别连接至该第一检测输出端和该控制端,且其漏极连接至一电源,其源极接地。该第二开路检测电路包括一第二检测输出端,其连接至该控制端,并配合该晶体管的漏极电压共同控制该控制端的电压。本发明的背光开路保护电路结构简单,成本较低。
文档编号H02H7/20GK101459333SQ20071012499
公开日2009年6月17日 申请日期2007年12月12日 优先权日2007年12月12日
发明者昆 乐, 通 周 申请人:群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
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