专利名称：具有电源保护功能的电路系统的制作方法
技术领域：
本发明是与具有电源保护功能的电路系统有关，尤指一种包含有以电位能形式储
存能量的储能单元所构成的电源保护电路的电路系统，本发明的电路系统，通过使用储能 单元(其可由磁性电容构成)，以电位能的形式来提供电路系统所需的电源保护功能。
背景技术：
随着电子电路技术的日益成熟，电路设计亦趋向多功能集成以及更小的电路面积 发展。而为了维持信号完整性(signal integrity, SI)以达到电路运作正常的目的，通常 会在输入电源以及内部电路之间加挂电容，以通过电容元件来构成电源保护电路。举例来 说，可使用两个具有不同电容值的电容来相互配合运作，以达到电源保护电路降低电源扰 动以及滤除高频噪声的功效。而其中具有较大电容值的电容通常用以确保输入电源的稳定 性，而具有较小电容值的电容则用以滤除高频干扰。 而这些被广泛应用于电路系统中以稳定输入电源信号与滤除噪声的电容，一般即 称之为角牟耦电容(decoupling c即acitor)或旁路电容(bypassc即acitor)。
然而，由于集成电路制程的限制，再加上传统电容所具有的庞大体积，因此在现今 的半导体制程技术中并无法将使用电容元件构成的电源保护电路直接建构在芯片内部。
图1所示为已知电路板100的架构示意图，电路板100上载有一集成电路110以 及至少一传统电容120。 一般已知做法系将两个传统电容120以外加方式，藉助其它被动料 件在外部加以焊接固定于电路板100上，再将集成电路110焊接固定于电路板100上。最 后再固定连接传统电容120及集成电路110的连接线路，才能通过传统电容120达到保护 集成电路110目的。 然而，这样的作法不仅组配繁琐，费工费时，并提高制造成本及其工时，甚至，在还
未完成焊接及固定连接线路之前，更时常由于一些外在的人为因素，(例如生产线人员触 碰、机器触碰或其它碰撞等)，而使得集成电路110受到损害，因此影响到集成电路110的使 用功能。举例说明如下。 图2所示为已知技术的具有电源保护功能的电路系统200的示意图。如图2所示， 电路系统200包含有电源保护电路210以及集成电路220，其中集成电路220与电源保护 电路210耦接至输入电压Vcc以及接地端GND，此外，电源保护电路210具有多个电容元件 102以及104。在多数电路设计中，电源保护电路200所采用的电容值可依设计需求来加以 选取。举例来说，可选用电容值为luF的电容元件202以及选用电容值为0. luF的电容元 件204来构成最简单的电源保护电路。 如图2所示，具有较大电容值的电容元件202用以作为低频噪声以及电流突波的 旁路达到稳定输入电源的目的，而具有较小电容值的电容元件204则用以作为高频噪声的 旁路。在许多电路设计中，亦可能使用多个电容来构成电源保护电路210以提升电源保护 的效能。 在一般情况下，电容元件202可采用电化学电容来加以实施，例如采用电解电容，
3而电容元件204则可采用非化学电容来加以实施，例如采用陶瓷电容。传统电容元件(如 电解电容与陶瓷电容)由于本身体积庞大，故难以将由传统电容元件构成的电源保护电路 210集成于集成电路220之中，而仅能将电源保护电路210设置于集成电路220与输入电源 (如VCC端)间。 除此之外，超级电容亦为一种储能元件。超级电容由于其部分物理储能、部分化学 储能的架构，故具有比传统电容更大的储能容量，但其容易漏电再加上其放电速度过快的 问题，故难以达到有效蓄电的功能。另一方面，由于超级电容耐压度不高，内阻较大，因而不 可以用于交流电路，且一旦使用不当往往造成超级电容产生电解质泄漏等现象。也就是说， 由于超级电容先天的限制，若欲将其应用于芯片内作为电源保护元件有其困难。
因此，亟需提出新型的具有电源保护功能的电路系统以解决前述的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种具有电源保护功能的电路系统，该电路系统的电源保 护电路包含有至少一以电位能形式储能的储能元件，在减少电路系统面积的同时一并解决 已知技术中所面临的问题。 本发明的目的是在于提供一种具有电源保护功能的电路系统，通过将以电位能形 式储能的储能单元架构于集成电路之中，在尚未组成完整的电路系统之前即可提供早期的 保护功能。通过使用储能单元构成的电源保护电路以有效降低整体电路系统的电路复杂度 以及其开发成本。 本发明的另一目的，是提供一种由以电位能形式储存能量的储能单元构成的电源 保护电路，其中储能单元可由具有能量储存密度高、重量轻、储能容量大、使用寿命长等优 点的磁性电容所构成。 根据本发明的实施例，其揭露一种具有电源保护功能的电路系统。该具有电源保 护功能的电路系统系包含有 处理电路以及电源保护电路。该处理电路具有电源供应端，用以接收输入电源；该
电源保护电路，耦接至该电源供应端，且该电源保护电路包含有至少一储能单元，用以稳定
该输入电源以保护该处理电路；其中该储能单元以电位能的形式储存能量。 较佳地，该储能单元包含有由多个磁性电容以串联、并联或串并联方式组成的磁
性电容组。 较佳地，该储能单元包含有磁性电容，其中该磁性电容包含有第一磁性电极、第二 磁性电极以及设于其间的介电层，其中该第一磁性电极与第二磁性电极内具有磁偶极以抑 制该磁性电容的漏电流。 较佳地，该第一磁性电极包含有第一磁性层，具有排列成第一方向的磁偶极；第 二磁性层，具有排列成第二方向的磁偶极；以及隔离层，包含有非磁性材料，设于该第一磁 性层与该第二磁性层之间；其中该第一方向与该第二方向互为反向，以抑制该磁性电容的 漏电流。 较佳地，该第一磁性电极与第二磁性电极包含有稀土元素等，该介电层是由氧化 钛(Ti03)、氧化钡钛(BaTi03)或半导体层所构成。
较佳地，该半导体层为氧化硅。
通过本发明所提供的实施例，先前技术所遭遇的问题可顺利解决或避免且可获得 技术上的优点或好处。前述是先概略地描述本发明的技术特征与优点以使后续的发明说明 更加易于了解，而本发明额外的技术特征与相关细节描述将于后揭露，并隶属于本发明申 请专利范围所主张的范畴。本领域技术人员应可了解本发明所揭露的概念与特定实施例可 轻易地作为实现本发明相同目的的其它架构或流程的修改或设计基础，此外，本领域技术 人员亦可了解这些设计变化均未背离本发明精神与上述申请专利范围所主张的范畴，故皆 属本发明的涵盖范围。
图1所示为已知电路板100的架构示意图。
图2所示为已知技术的具有电源保护功能的电路系统的示意图。
图3所示为本发明的一实施例中具有电源保护功能的电路系统的示意图。
图4所示为本发明的另一实施例中具有电源保护功能的电路系统的示意图。
图5所示为本发明的磁性电容与其它已知能量储存媒介的储能特性示意图。
图6为本发明电源保护电路中磁性电容的结构示意图。
图7为图6所示的第一磁性电极的结构示意图。
[主要元件标号说明]
100电路板110、220集成电路120传统电容200、300、400电路系统210、310电源保护电路320处理电路322电源供应端330心片340储能单元345磁性电容460第一磁性电极
0042]462磁性层463第三磁偶极464隔离层465第一磁耦极466第二磁性层467第四磁偶极470介电层■第二磁性电极485第二磁耦极491、492界面
具体实施例方式
在本专利说明书及上述的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的元件。
本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书
及上述的申请专利范围并不以名称的差异以作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的
差异以作为区分的准则。在通篇说明书及上述的请求项当中所提及的「包含」为开放式的
用语，故应解释成「包含但不限定于」。此外，「耦接」 一词在此是包含任何直接及间接的电
气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表该第一装置可直接电气连
接于该第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。 请参阅图3，图3所示为本发明的一实施例中具有电源保护功能的电路系统300的
示意图。如图3所示，电路系统300包含有电源保护电路310以及处理电路320，在本实施
例中，处理电路320为集成电路，且处理电路320以及电源保护电路310被集成于同一芯片
330之中，通过电源保护电路310以提供电路系统300电源保护的功能。 然而以上仅为说明之用，而不为本发明的限制条件之一，也就是说，在本发明设计
变化中，处理电路320并不限定为集成电路，亦可为非集成电路的一般电子电路，而这些相
关设计变化亦属于本发明的保护范畴之中。由于处理电路320的运作以及其详细电路架构
并不为本发明的发明重点，故在此不加以赘述。 请继续参阅图3，处理电路320具有电源供应端322，亦即，处理电路320通过电源 供应端322来接收输入电源Vcc。另外，如图3所示，电源保护电路310内包含有至少一储 能单元340 (其可为磁性电容单元)，储能单元340为以电位能形式来储能的储能元件。通 过使用储能单元340作为解耦电容(旁路电容)，使得电路系统300中的电源保护电路310 拥有了面积轻巧的优点，因此电源保护电路310以及处理电路320(在本实施例中为集成电 路)集成至同一芯片330之中(如图所示)。 换句话说，通过使用储能单元340 (如磁性电容单元)作为电源保护电路310所需 的元件，本发明提供一种可内建于芯片330中的电源保护电路310，而关于磁性电容的详细 说明将于后续发明说明中详细揭露之。然而，在本实施例中显示一个储能单元340 (其以电 位能的形式来储存能量)仅作为范例说明之用，而不为本发明的限制条件之一。
除此之外，在本发明其它实施例中，一个储能单元340中所包含的磁性电容的数 量是可依照设计需求而定。此外，在本发明的一实施例中，储能单元340是以多个磁性电容 构成，而随着不同的设计需求，磁性电容之间可采用各种耦接方式(并联、串联或串并联组 合方式组成)以组成储能单元340，这些相关设计变化皆属于本发明的设计范畴之中。
举例来说，储能单元340可包含有多个磁性电容，通过使用具有不同电容值的磁 性电容来分别滤除不同频率的噪声，以及提供稳定输入电源信号的功能。例如，在本发明的 一实施例中，储能单元340可通过使用两个大小分别为luF以及0. luF的磁性电容，以彼此 并联的方式取代已知电化学电容以及陶瓷电容。在本发明的另一实施例中，亦可同时使用 储能单元340(其以电位能的形式储存能量)以及其它传统电容元件(如电化学电容以及 陶瓷电容)来构成电源保护电路310，以达到保护处理电路320的目的。
值得注意的是，本发明中的电源保护电路320并不限于使用前述提及的电路架 构，而可通过使用各种适当的电路元件加上电位能形式的储能单元340来达到稳定所输入 的电源信号，以提升保护处理电路320的效果。而这些设计变化皆遵守本发明的发明精神，而属于本发明的设计范畴之中。 另一方面，在本发明的其它实施例中，电源保护电路320亦可位于芯片330之外， 而相关揭露将详述如下。请参阅图4，图4所示为本发明的另一实施例中具有电源保护功能 的电路系统400的示意图。如图4所示，芯片330包含有处理电路320，而电源保护电路310 包含有至少一储能单元340，储能单元340是以电位能的形式储存能量，通过耦接于输入电 源信号Vcc以及芯片330之间以提供稳定输入电源信号Vcc并滤除经由电源供应端322所 可能传递的高频噪声，因而达到保护处理电路320的目的。通过使用包含有磁性电容的储 能单元340来构成电源保护电路310，本发明的具有电源保护功能的电路系统400便可使用 较少的面积来达到保护处理电路320及/或芯片330的功能。 接下来将详细说明电源保护电路310以及储能单元340中磁性电容345的架构以 及原理，请注意到，本篇说明书的后续揭露中，电源保护电路310中包含有至少一个储能单 元340，而储能单元340可由磁性电容构成，在后续说明中，每个储能单元340包含有多个磁 性电容345，不过电源保护电路310以及储能单元340的架构仅为说明之用而不为本发明 的限制条件之一，也就是说，储能单元340以及磁性电容345的数目并不为本发明的限制之 一，而电源保护电路310还可依据设计需求而使用其它元件结合以电位能形式来储能的储 能单元340，以构成电源保护电路310的电路架构，而这些设计变化皆隶属于本发明的保护 范畴之中。 另一方面，当根据本发明的一实施例而使用多个磁性电容345来构成储能单元 340时，是利用半导体制程于一硅基板上制作多个小尺寸的磁性电容345，并通过适当的金 属化制程，以根据设计需求于多个磁性电容345之间形成电连接，以便构成电路系统300， 400所需的电源保护电路310。然而，储能单元340中磁性电容345间的耦接方式以及排列 方式并不为本发明的限制条件之一，也就是说，根据不同的电压或电容值需求，可使用适当 的串联或并联形式，以满足各种不同电子装置的电源保护需求。这些相关设计变化亦符合 本发明的精神，且隶属于本发明的保护范畴之中。 除此之外，任何使用电位能形式储能的储能单元，皆可用作本发明中电源保护电 路所需的元件。 请参阅图5所示为本发明的磁性电容345与其它已知的能量储存媒介的储能特性 示意图。如图5所示，磁性电容345是以电位能的方式来储存能量，相较于主要以化学能 储存的其它能量储存媒介(例如超级电容520)或传统电容120，磁性电容345除了具备极 佳的能量储存密度以外，更具有极高的功率密度(如图所示)。此外，由于其充分保有电容 的特性，相较于其它已知化学性储能装置，通过使用磁性电容345来构成储能单元340，本 发明的磁性电容单元345由于采用磁性电容340加以构成，因此具有寿命长(高充放电次 数)、无记忆效应、可进行高功率输出及快速充放电等特点。简而言之，由于磁性电容340具 有稳定(因其以电位能的方式储能)并且具有体积小的优点，相较于传统电容或超级电容 来说，磁性电容340是在选用电源保护电路中的电源保护元件时一个极佳的选择。
磁性电容345为一种以硅半导体为原料，在一定的磁场作用下通过物理储能方式 实现高密度、大容量储存电能的储能元件。且磁性电容345具有输出电流大、体积小、重量 轻、超长使用寿命、充放电能力佳以及没有充电记忆效应等特性，因此拿来作为电源保护电 路310所需的保护元件以取代已知大小两个电容(传统电容120)，除了可以减少电源保护电路310的体积、重量和制造成本，而且可以实现集成电路320早期保护以及提高系统使用寿命及效果等优点。 换句话说，本发明的电路系统的一技术特征在于使用一个或多个磁性电容345来构成储能单元340，通过具有储能单元340的电源保护电路310来提供集成电路(亦即处理电路320)其所需的电性保护。相较于一般电容，磁性电容345通过于上、下电极处形成的磁场来调整其内自旋电子构成的磁耦极，如此一来，可达到抑制储能单元340中，磁性电容345的漏电流，并且提供极佳的能量储存密度，以实现一极佳的电源保护电路310以及储能单元340。 进一步说明磁性电容单元345的操作原理如下。物质在一定磁场产生电阻值变化的现象，即称为「磁阻效应」，一般而言，许多磁性金属和合金材料都有这种磁电阻现象。在大多数的情况下，物质的电阻率在磁场中仅会轻微的减小，然而，在某些物理条件下，电阻率会产生巨幅的减小，比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值高出10倍以上，而能产生很庞大的磁阻效应。进一步结合Maxwell-Wagner电路模型，磁性颗粒复合介质中也可能产生很庞大的磁电容效应。 请参照第1式，第1式描述了传统电容的电容值C与其相关系数的关系式。 C —-
J............................ (1) 如第1式所述，对传统电容而言，其电容值C是由电容的面积A、介电层的介电常数e。、及厚度d决定。 对于本发明的磁性电容340而言，主要利用整齐排列的磁偶极于磁性电容340之上、下磁性电极来形成磁场，使内部储存的电子朝同一自旋方向转动来进行整齐的排列，因而达到可于磁性电容345中容纳更多的电荷而大幅增进能量的储存密度。相较于传统电容，磁性电容单元240相当于通过磁场作用来改变介电层的介电常数，达到电容值的大幅提升的目的。 除此之外，由于磁性电容345的体积比起传统电容小上一百万倍以上，因此，可通过使用储能单元340来将电源保护电路310内建于芯片330之中，以此降低于芯片外部额外使用被动元件的需求，进而降低生产成本。 除此之外，如图3所示，若将电源保护电路310内建于芯片330中，在芯片330尚未组成电路系统之前，即可提供早期的保护功能。举例来说，在使用芯片330以建构具有多芯片的电路系统时，芯片330在封装的过程中，由于内建有电源保护电路310，芯片330以及芯片330即受到电源保护电路310的保护，以免遭受到电流突波或其它电性干扰而导致电路受损。 请同时参阅图3、图4以及图6，图6所示为本发明磁性电容345的结构示意图。如图6所示，磁性电容345包含有第一磁性电极460、第二磁性电极480以及位于其间的介电层470 。其中第一磁性电极460与第二磁性电极480是由具磁性的导电材料所构成，通过对第一、第二磁性电极420施加适当的外加电场以进行磁化，使得第一磁性电极460与第二磁性电极480内分别产生第一磁偶极(magenetic dipole) 165与第二磁耦极485，以于磁性电容345内部构成一磁场而对带电粒子的移动造成影响，从而抑制磁性电容单元240的漏电流。至于介电层470，则是用来分隔第一磁性电极460与第二磁性电极480，以于第一磁性
8电极460与第二磁性电极480处累积电荷而储存电位能。 另一方面，在本发明的实施例中，第一磁性电极460与介电层470之间的接口 491 ，以及第二磁性电极480与介电层470间的界面492均为不平坦的表面而具有许多微小的皱折，这是为了以通过增加第一磁偶极465与第二磁耦极485的面积A的方式以及增加其表面的粗糙程度而改变磁性电容的介电常数，进而增进磁性电容单元中所具有的电容值。请注意到，由于储能单元340是由磁性电容345所构成，因此，通过调整前述揭露的电容特性以改变磁性电容345的磁场，即可产生具有不同电容值的磁性电容345以构成电源保护电路310中的储能单元340来保护处理电路320(图3以及图4)。在本说明书的揭露之中，采用分别具有磁性电容345的储能单元340仅为说明之用，而不为本发明的限制条件之一 ；在本发明的其它实施例中，磁性电容340内的架构亦可使用多个磁性电容通过串、并联的方式来加以实现。 请继续参阅图6，在本实施例中，第一磁偶极465与第二磁耦极485的方向仅为说明之用，而不为本发明的限制条件之一。亦即，对于本领域技术人员而言，应可了解到第一磁偶极465与第二磁耦极485实际上是由多个整齐排列的微小磁偶极所迭加而成，此外，在本发明的其它实施例中，亦可使用具有其它不同方向的第一磁偶极465与第二磁耦极485来产生不同的磁场。也就是说，第一磁偶极465与第二磁耦极485最后形成的方向并不为本发明的限制条件之一，亦即，依循着不同的设计需求，第一磁偶极465与第二磁耦极485可指向同一方向或不同方向(如图6的实施例所示)，而这些相关设计变化亦符合本发明的精神，且隶属于本发明的保护范畴之中。 详细来说，对于磁性电容345而言，第一磁性电极460与第二磁性电极480可由稀土元素或其它磁性导电材质构成，而介电层470可由氧化钛(Ti03)、氧化钡钛(BaTi03)或半导体层(如氧化硅(silicon oxide))构成，然而这仅为说明之用而不为本发明的限制条件之一。在本发明的其它实施例中，亦可依据不同的设计需求而采用不同的材质来构成第一磁性电极460、第二磁性电极480与介电层470，而这些相关设计变化亦符合本发明的精神，且隶属于本发明的保护范畴之中。 请一并参阅图7以及图6，图7为图6所示的磁性电容345中第一磁性电极460的结构示意图。本实施例，磁性电极可单纯地以导电材质来构成单层结构，然而，磁性电极亦可以多层结构来加以实现，以第一磁性电极460为例，在本实施例中，第一磁性电极460为多层结构，包含有第一磁性层462、隔离层464以及第二磁性层466，其中隔离层464是由非磁性材料所构成，而第一磁性层462与第二磁性层466则包含有具磁性的导电材料，并在磁化时，通过不同的外加电场使得第一磁性层462与第二磁性层464中的第三磁偶极463与第四磁偶极467分别具有不同的方向，比方说，第三磁偶极463与第四磁偶极467的方向为彼此反向。通过调整第一磁性电极460中第三磁偶极463与第四磁偶极467，可抑制磁性电容345的漏电流。 然而，第三磁偶极463与第四磁偶极467的方向仅为说明之用而不为本发明的限制条件之一。此外，在本发明的其它实施例中，亦可依据不同的设计需求来调整磁性电极460的结构。也就是说磁性电极460的结构，并不限于前述的三层结构，而可使用多个磁性层与非磁性层不断交错堆栈，再通过各磁性层内磁偶极方向的调整来构成具有不同数值的磁性电容240，以通过磁性电容240构成电源保护电路210，而提供电路系统200,300电源保护的功效。前述这些相关设计变化皆遵守本发明的精神，并落于本发明的保护范畴之中。
此外，基于前述的揭露，本领域技术人员可轻易推知图6所示的磁性电容345中的第二磁性电极480亦可采用图7所示的结构来加以实施，由于磁性电极的内部结构已详细揭露如上，故在此便不再赘述。 请注意到，虽然在前述的揭露中，本发明的具有电源保护功能的电路系统300、400
中分别具有处理电路320以及具有储能单元340的电源保护电路310，然而这并不为本发明
的限制条件之一，亦即在电路系统300以及400中亦可能包含有其它电路架构或元件。 在阅读前述的揭露之后，本领域技术人员亦可轻易地推得其它的相关设计变化，
例如其它雷同于本发明的精神以具有储能单元340的电源保护电路310，以提供具有电源
保护功能的电路系统300、400的架构，皆属于本发明的保护范畴之中。 此外，本发明的范畴并不受限于上述实施例所揭露的程序、装置、制程、组合、对
象、方法或步骤，而本领域技术人员应可了解，本发明所揭露的程序、装置、制程、组合、对
象、方法或步骤，无论其是现有的或是正在开发的，如果是可以达到和本发明所述的实施例
大致上同样的功能或结果均可为本发明实施例所采用，因此，本发明的权利要求范围是包
含了上述所揭露的程序、装置、制程、组合、对象、方法或步骤。 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
一种具有电源保护功能的电路系统，其包含有处理电路，具有电源供应端，用以接收输入电源；以及电源保护电路，耦接至该电源供应端，该电源保护电路包含有至少一储能单元，用以稳定该输入电源以保护该处理电路；其中该储能单元以电位能的形式储存能量。
2. 根据权利要求1所述的电路系统，其中该电源保护电路与该处理电路被集成于同一芯片之中。
3. 根据权利要求1所述的电路系统，其中该电源保护电路的该储能单元具有多个磁性电容。
4. 根据权利要求3所述的电路系统，其中该多个磁性电容包含有以串联方式或并联方式或串并联方式电连接的磁性电容。
5. 根据权利要求1所述的电路系统，其中该储能单元包含有至少一磁性电容，该磁性电容包含有第一磁性电极，其是由具有磁性的导电材料构成，用以形成第一磁偶极；第二磁性电极，其是由具有磁性的导电材料构成，用以形成具有第二磁偶极；以及介电层，设置于该第一磁性电极与该第二磁性电极之间。
6. 根据权利要求5所述的电路系统，其中该第一磁偶极的方向是相异于该第二磁偶极的方向。
7. 根据权利要求5所述的电路系统，其中该第一磁性电极包含有第一磁性层，其是由具磁性的导电材料构成，用以形成具有第三磁偶极；第二磁性层，其是由具磁性的导电材料构成，用以形成第四磁偶极；以及隔离层，其是由非磁性物质所构成并设置于该第一磁性层与该第二磁性层之间，其中该第一磁偶极是由该第三磁偶极与该第四磁偶极所构成。
8. 根据权利要求7所述的电路系统，其中该第三磁偶极的方向是相异于该第四磁偶极的方向。
9. 根据权利要求5所述的电路系统，其中该第一、第二磁性电极中至少其一与该介电层的接口为不平坦的表面。
10. 根据权利要求5所述的电路系统，其中该第一磁性电极与第二磁性电极包含有稀土元素，该介电层是由氧化钛Ti03、氧化钡钛BaTi03或半导体层所构成。
全文摘要
本发明提供一种具有电源保护功能的电路系统，该电路系统包含有处理电路以及电源保护电路。该处理电路具有用以接收输入电源的电源供应端；该电源保护电路耦接至该电源供应端，且该电源保护电路包含有至少一储能单元，用以稳定该输入电源以保护该处理电路；其中该储能单元以电位能的形式储存能量。
文档编号H02J1/02GK101714784SQ200810161979
公开日2010年5月26日 申请日期2008年10月6日 优先权日2008年10月6日
发明者许跃腾 申请人:光宝科技股份有限公司