一种直流电源与备用电源的无缝切换单元的制作方法

文档序号:7391119阅读:1045来源:国知局
专利名称:一种直流电源与备用电源的无缝切换单元的制作方法
技术领域
本实用新型涉及备用电源切换领域,更具体地说,是涉及一种直流电源 与备用电源的无缝切换单元。
背景技术
在生产生活中,^艮多用电设备不允许发生突然停电.的情况,此类设备通 常都配有备用电源,在停电情况发生时,切换至备用电源供电,以保证"i殳备 持续工作。
目前,此种备用电源的切换单元一般采取以下方式l.后备式当切换 单元检测到停电后,切换到备用电源,切换需要一定的时间,有可能引起设 备重启;2.在线式备用电源始终与设备连接,但其输出电压略低于外部供 电电源,因此当外部电源供电正常时备用电源不能向设备输出电力,当出现 停电或外部供电电压不足时,备用电源就会对设备供电。

实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,克服现有技术.中存在的不足,提供 一种直流电源与备用电源的无缝切换单元。
实用新型一种直流电源与备用电源的无缝切换单元,通过下述技术方案 予以实现,备用电源单元通过切换控制单元控制端与切换开关P沟道增强型 MOSFET栅极连接来控制其输出;在失去外部直流供电时,切换控制单《控制 切换开关P沟道增强型M0SFET接通备用电源继续为设备供电。
本实用新型所述备用电源单元为备用电源输出正端连接切换开关P沟道 增强型M0SFET漏极,备用电源输出负端连接供电输出负端;切换开关P沟道 增强型M0SFET源极连接供电输出正端,切换开关P沟道增强型M0SFET栅极 连接第五电阻一端;第五电阻另一端接切换控制信号;第三稳压管正端接切 换控制信号,负端接供电输出正端。本实用新型所述备用电源切换控制单元为第 一 电阻分别连接直流输入正
端和第一 N沟道增强型MOSFET栅极;第二电阻分别连接第一 N沟道增强型 MOSFET栅极和供电输出负端;第一稳压管负端接第一 N沟道增强型MOSFET 栅极,第一稳压管正端接供电输出负端;第一 N沟道增强型MOSFET源极接供 电输出负端;第四电阻分别连接第一 N沟道增强型MOSFET漏极和第二 P沟道 增强型MOSFET栅极;第二 P沟道增强型MOSFET漏极接切换控制信号,第二 P沟道增强型MOSFET源极接供电输出正端;第三电阻分别连接第二 P沟道增 强型MOSFET栅极和供电输出正端;第二稳压管正端接第二 P沟道增强型 MOSFET栅极,第二3t、压管负端接供电输出正端;第六电阻分别连接切换控制 信号和供电输出负端。
本实用新型切换单元在失去外部直流输入时,将供电线路无间隙切换至 备用电源;本实用新型占用空间小、效率高、电路简单可靠、成本低,具有 优越的适应性,适用于不同供电电压直流设备的备用电源切换。
本实用新型具有如下有益效果
1. 本实用新型切换无间隙,保证设备连续工作。
2. 本实用新型控制部分采用增强型MOSFET为电压'驱动,功耗极低,工
作时基本不增加原系统功耗。
3. 本实用新型在切换动作完毕后,备用电源通过切换开关P沟道增强 型MOSFET (QS1)对设备供电,能量损失极小。
4. 本实用新型适应性好,只需根据设备使用电压及功率,选择切换开 关P沟道增强型MOSFET (QS1)即可。
5. 本实用新型采用器件均为切换控制器件,无大功率、高压等特殊要 求,成本极低。


图l是本实用新型备用电源单元电路图; 图2是本实用新型备用电源切换单元电路图; 图3是本实用新型示例完整电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步描述。. 图1为备用电源单元,备用电源输出正端(+)连接切换开关P沟道增强型
M0SFET(QS1)漏极,备用电源输出负端(-)连接供电输出负端(供电输出-);切 换开关P沟道增强型M0SFET(QS1)源极连接供电输出正端(供电输出+),栅极 连接第五电阻R5的1端;第五电阻R5的2端接切换控制信号CTL;第三稳 庄管正端接切换控制信号CTL,负端接供电输出正端(供电输出+)。
图2为备用电源切换控制单元,第一电阻Rl的2端接直流输入正端(直 流输入+),第一电阻Rl的1端接第一 N沟道增强型M0SFET (Ql)栅极;第二 电阻R2的2端接第一 N沟道增强型M0SFET(Q1)栅极,第二电阻R2的1端接 供电输出负端(供电输出-);第一稳压管Dl负端接第一 N沟道增强型 M0SFET(Q1)栅极,正端接供电输出负端(供电输出-);第一 N沟道增强型 MOSFET(Ql)源极接供电输出负端(供电输出-),漏极接第四电阻R4的2端; 第四电阻R4的1端接第二 P沟道增强型M0SFET(Q2)栅极;第二 P沟道增强 型M0SFET(Q2)漏极接切换控制信号CTL,源极接供电输出正端(供电输出+); 第三电阻R3的1端接第二P沟道增强型M0SFET(Q2)栅极,第三电阻R3的2 端接供电输出正端(供电输出+);第二稳压管D2正端^妄第二 P沟道增强型 M0SFET(Q2)栅极,负端接供电输出正端(供电输出+);第六电阻R6的2端接 切换控制信号CTL,第六电阻R6的1端接供电输出负端(供电输出-)。
图3为示例完整电路图,由直流供电系统,备用电源单元和备用电源切 换控制单元镇成。当直流供电系统正常工作时,第一电阻R1和第二电阻R2 对直流输入电压进ff分压并通过第一稳压管Dl限压后,驱动第一 N沟道增强 型MOSFET (Ql)导通,第三电阻R3和第四电阻R4对供电输出电压分压并经过 第二稳压管DS限压后,驱动第二 P沟道增强型M0SFET(Q2)导通,此时切换 控制端CTL电压为供电输出电压,因此备用电源单元中.的切换开关P沟道增 强型M0SFET(QS1)关闭,由于备用电源输出电压与直流输出电压接近,所以 备用电源不会通过切换开关P沟道增强型M0SFET(QS1)的寄生二极管对设备 供电,此时设备用电全部由直流电源提供。
当外部直流供电突然停止或者供电电压降低IV以上时,备用电源通过切 换开关P沟道增强型M0SFET(QS1)的寄生二极管对设备供电,此时供电电压 为备用电源电压减去切换开关P沟道增强型M0SFET (QS1)上的压降(约IV), 由于直流供电停止,第一 N沟道增强型M0SFET(Q1)失去驱动电压随即关闭, 第二 P沟道增强型MOSFET(Q"栅极被第三电阻R3上拉至此时的供电输出电压后关闭,随后切换控制端CTL也被第六电阻下拉为低电平;切换开关P沟 道增强型M0SFET (QS1)受切换控制端CTL低电平驱动后开启,此时备用电源 通过切换开关P沟道增强型M0SFET(QS1)对设备供电,供电电压与备用电源 输出电压相等。此切换过程速度很快,供电输出电压只出现瞬间的波动,设 备使用的供电电压越高,对设备的影响越小。
上面所述的实施例仅仅是对本实用新型优选实施方式进行描述,并非对 本实用新型的构思和范围进行限定,在不脱离本实用新型设计思想的前提下,
进,均应属于本实用新型的保护范围。
权利要求1. 一种直流电源与备用电源的无缝切换单元,其特征是,备用电源单元通过切换控制单元控制端与切换开关P沟道增强型MOSFET栅极连接来控制其输出。
2. 根据权利要求1所述的一种直流电源与备用电源的无缝切换单元,其 特征是;所述备用电源单元为备用电源输出正端连接切换开关P沟道增强型 MOSFET漏极,备用电源输出负端连接供电输出负端;切换开关P沟道增强型 MOSFET源极连接供电输出正端,切换开关P沟道增强型MOSFET栅极连接第 五电阻一端;第五电阻另一端接切换控制信号;第三稳压管正端接切换控制 信号,负端接供电输出正端。
3. 根据权利要求1所述的一种直流电源与备用电源的无缝切换单元,其 特征是,所述备用电源切换控制单元为第一电阻分别连接直流输入正端和第 一 N沟道增强型MOSFET 4册极;第二电阻分别连接第一 N沟道增强型MOSFET 栅极和供电输出负端;第一稳压管负端接第一N沟道增强型MOSFET栅极,第 一稳压管正端接供电输出负端;第一 N沟道增强型MOSFET源极接供电输出负 端;第四电阻分別连接第一 N沟道增强型MOSFET漏极和第二 P沟道增强型 MOSFET栅极;第二 P沟道增强型MOSFET漏极接切换控制信号,第二 P沟道 增强型MOSFET源极接供电输出正端;第三电阻分别连接第二 P沟道增强型 MOSFET栅极和供电输出正端;第二稳压管正端接第二 P沟道增强型MOSFET 栅极,第二稳压管负端接供电输出正端;第六电阻分别连接切换控制信号和 供电输出负端。
专利摘要本实用新型一种直流电源与备用电源的无缝切换单元,通过下述技术方案予以实现,备用电源单元通过切换控制单元控制端与切换开关P沟道增强型MOSFET栅极连接来控制其输出,在失去外部直流供电时,切换控制单元控制切换开关P沟道增强型MOSFET接通备用电源继续为设备供电。本实用新型切换单元在失去外部直流输入时,将供电线路无间隙切换至备用电源;本实用新型占用空间小、效率高、电路简单可靠、成本极低,具有优越的适应性,适用于不同供电电压直流设备的备用电源切换。
文档编号H02J9/06GK201234161SQ20082007546
公开日2009年5月6日 申请日期2008年7月25日 优先权日2008年7月25日
发明者张明艳, 雷 李 申请人:天津力神电池股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1