专利名称：一种基带信号处理芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及静电防护领域，特别是涉及一种用于静电防护的基带信号处理芯片。
背景技术：
目前，手机已经普遍应用于生活、工作等领域。手机的安全也越来越受重视，如手机的ESD(Electro-Matic discharge，静电释放)防护越来越受重视，在高电平的ESD冲击时，时常造成手机内部电路或芯片受到损坏。现有技术主要是在基带信号处理芯片的基本输入输出接口处增加橡皮塞保护接口，使得基带信号处理芯片内的处理单元免受ESD直接冲击。或者在基本输入输出接口的电路中并联TVS管CTransient Voltage Suppresser，瞬态电压抑制器)来保护基带信号处理芯片内的处理单元。但是，上述两种做法都有一定缺陷由于产品外观和结构限制的原因，结构增加橡皮塞的方法无法在每款产品中实际应用。另外，考虑到TVS成本比较高，采用TVS保护信号线的方法不适合在中低端手机产品中大规模应用。因此，需要提供一种基带信号处理芯片，以解决现有技术中在进行手机的ESD防护时存在的对产品的结构要求较高或成本较高的缺陷。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种基带信号处理芯片，能够以简单的结构和较低的成本实现ESD防护功能。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种基带信号处理芯片，该基带信号处理芯片设置有基本输入输出接口以及与基本输入输出接口连接的处理单元，该基带信号处理芯片还包括静电保护电阻，该静电保护电阻的一端与基本输入输出接口连接，另一端与处理单元连接，以串联于基本输入输出接口与处理单元之间。其中，基带信号处理芯片还包括恒定电压源和上拉电阻，该上拉电阻的一端与恒定电压源连接，上拉电阻的另一端与处理单元连接。其中，静电保护电阻的电阻值设定为小于上拉电阻的电阻值的20%。其中，基带信号处理芯片还包括下拉电阻，该下拉电阻的一端接地，下拉电阻的另一端与处理单元连接。其中，静电保护电阻的电阻值设定为小于下拉电阻的电阻值的20%。其中，处理单元为中断处理单元。其中，处理单元为GPIO总线处理单元。为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种手机，该手机包括上述基带信号处理芯片。本发明的有益效果是区别于现有技术的情况，本发明的基带信号处理芯片通过设置一静电保护电阻，该静电保护电阻的一端与基带信号处理芯片的基本输入输出接口连接，另一端与基带信号处理芯片的处理单元连接，对ESD的能量进行衰减，实现对处理单元的保护。因此，本发明能够以简单的结构以及较低的成本实现ESD防护功能。
图1是本发明实施例的基带信号处理芯片的结构示意图；图2是本发明实施例的ESD防护原理图；图3是本发明实施例的ESD放电的曲线图；图4是本发明实施例的基本输入输出接口连接上拉电阻时的原理图；图5是本发明实施例的基本输入输出接口连接下拉电阻时的原理图。
具体实施例方式请参阅图1，本发明实施例的基带信号处理芯片的结构100包括基本输入输出接口 101、静电保护电阻102以及处理单元103。其中，基本输入输出接口 101包括输出接口和输入接口，是处理芯片与其他设备之间数据传输的重要通道，最容易受ESD (Electro-Matic discharge，静电释放)的冲击。如图1可知，静电保护电阻102串联连接在输入输出接口 101和处理单元103之间，即静电保护电阻102的一端与基本输入输出接口 101连接，另一端与处理单元103连接。静电保护电阻102利用其阻抗作用可减弱从基本输入输出接口 101传来的ESD能量对需要受保护的处理单元103的冲击，进而起到提高ESD性能的作用。静电保护电阻102的电阻值需要限制在一定的范围内，在限定的范围内电阻值越大，ESD防护的效果就越好。在本发明中，静电保护电阻102的取值设定为小于基带信号处理芯片中的上拉电阻或下拉电阻的电阻值的20%。处理单元103是手机内部需要受ESD防护的单元，其连接着静电保护电阻102，因静电保护电阻102减弱了从基本输入输出接口 101传来的ESD的能量，所以处理单元103 受到的ESD冲击大大的减弱了。其中，处理单元103是中断处理单元或GPIO总线处理单元。图2是本发明实施例的ESD防护原理图。如图2所示，高压产生电路201的一端连接电阻202，另一端接地，高压产生电路201能够产生很高的电压。电阻202的一端连接高压产生电路201，另一端连接充电开关203。充电开关203是双向开关，有三个连接端口， 一个是用于选择性连接电阻202的端口，另一个是用于选择性连接电阻205的端口，而第三端则固定连接电容204。当充电开关203连接电阻202时，电容进行充电，当充电开关203 连接电阻205而放电开关206同时连接基本输入输出接口 207时，电容放电。电容204的一端连接充电开关203，另一端接地。电阻205的一端连接充电开关203，另一端连接放电开关206。放电开关206的一端连接电阻205，另一端则连接基带信号处理芯片中的基本输入输出接口 207，如前所述，当充电开关203连接电阻205，同时放电开关206连接基本输入输出接口 207时，电容204放电，此时基本输入输出接口 207就会受到ESD的冲击。因此， 在一静电保护电阻208串联连接在基本输入输出接口 207和处理单元209之间时，可衰减从基本输入输出电路207传来的ESD能量，进而达到保护处理单元209的作用。
其中，高压产生电路201，电阻202、205，充电开关203，放电开关206，电容204组成当前ESD标准IEC61000-4-2规定的静电放电模型结构。其放电电流的情况结合图3进行说明，图3是ESD放电电流曲线图，如图3所示，在0. 7ns Ins时电流急速增大，ESD放电的能量大都集中在0. 7ns Ins的放电时间段。基于图3的放电曲线图得到下表的基本输入输出接口 207处的放电电流参数
权利要求
1.一种基带信号处理芯片，所述基带信号处理芯片设置有基本输入输出接口以及与所述基本输入输出接口连接的处理单元，其特征在于，所述基带信号处理芯片进一步包括静电保护电阻，所述静电保护电阻的一端与所述基本输入输出接口连接，另一端与所述处理单元连接，以串联于所述基本输入输出接口与所述处理单元之间。
2.根据权利要求1所述的基带信号处理芯片，其特征在于，所述基带信号处理芯片进一步包括恒定电压源和上拉电阻，所述上拉电阻的一端与所述恒定电压源连接，所述上拉电阻的另一端与所述处理单元连接。
3.根据权利要求2所述的基带信号处理芯片，其特征在于，所述静电保护电阻的电阻值设定为小于所述上拉电阻的电阻值的20%。
4.根据权利要求1所述的基带信号处理芯片，其特征在于，所述基带信号处理芯片进一步包括下拉电阻，所述下拉电阻的一端接地，所述下拉电阻的另一端与所述处理单元连接。
5.根据权利要求4所述的基带信号处理芯片，其特征在于，所述静电保护电阻的电阻值设定为小于所述下拉电阻的电阻值的20%。
6.根据权利要求1所述的基带信号处理芯片，其特征在于，所述处理单元为中断处理单元。
7.根据权利要求1所述的基带信号处理芯片，其特征在于，所述处理单元为GPIO总线处理单元。
8.—种手机，其特征在于，所述手机包括权利要求1至9任一项所述的基带信号处理芯片。
全文摘要
本发明公开了一种基带信号处理芯片，该基带信号处理芯片设置有基本输入输出接口以及与基本输入输出接口连接的处理单元，该基带信号处理芯片还包括静电保护电阻，该静电保护电阻的一端与基本输入输出接口连接，另一端与处理单元连接。通过上述方式，本发明的基带信号处理芯片通过设置一静电保护电阻，该静电保护电阻的一端与基本输入输出接口连接，另一端与处理单元连接。该静电保护电阻能够对静电释放的能量进行衰减，实现对处理单元的保护。因此，本发明能够以简单的结构以及较低的成本实现静电防护功能。
文档编号H02H9/04GK102545192SQ201110410928
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月9日 优先权日2011年12月9日
发明者王亚辉 申请人:惠州Tcl移动通信有限公司