专利名称：电子开关保护电路的制作方法
技术领域：
电子开关保护电路技术领域实用新型涉及一种用于无触点电子喇叭电子开关的保护装置；具体涉及一种用于汽车的电子开关保护电路。
背景技术：
喇叭电子开关的作用是为了控制电磁线圈的通断来驱动膜片使喇叭发生，喇叭工作时在电子开关及电磁线圈回路中会流过4一5A工作电流，因此电磁线圈在关断时会产生一个较高的峰值电压(通常大于500V)。目前在喇叭电路中多采用线圈MOSFET作为电子开关使用，为保证导通电阻值要求通常选择此种电子开关的耐压值在200V左右，喇叭在工作时线圈MOSFET处于击穿状态，击穿会导致MOSFET热损耗增加，降低其工作的可靠性。发明内容实用新型的目的是提供一种线圈MOSFET的过压保护、吸收电路，用来保证喇叭工作时线圈MOSFET不处于击穿状态。上述的目的通过以下的技术方案实现一种电子开关保护电路，其组成包括电容、功率电阻，所述的电容与所述的功率电阻并联或串联在线圈两端或并联在线圈MOSFET的D极、S极之间。所述的电子开关保护电路，在所述的线圈MOSFET的D极、S极之间并联瞬态抑制二极管TVS ;在所述的线圈MOSFET两端并联压敏电阻；所述的电容是无极性电解电容或MLCC 电容或有极性电解电容。所述的电子开关保护电路，所述的无极性电解电容或所述的MLCC电容与所述的功率电阻串联电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈，所述的线圈并联无极性电解电容和功率电阻，所述的无极性电解电容串联所述的功率电阻，所述的线圈与所述的无极性电解电容连接电子开关。 所述的电子开关保护电路，所述的无极性电解电容容值为4. 7-10微法，耐压值在90-110V，插件或贴片封装；所述的MLCC电容容值为10微法，耐压值在90-110V，所述的功率电阻为O. 2—1欧姆、3W、贴片封装。所述的电子开关保护电路，所述的有极性电解电容与所述的功率电阻并联电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈，所述的线圈连接电子开关、所述的有极性电解电容和所述的功率电阻，所述的有极性电解电容串联所述的功率电阻。所述的电子开关保护电路，所述的有极性电解电容容值为10微法，耐压值在 90-110V，插件或贴片封装。所述的电子开关保护电路，所述的瞬态抑制二极管TVS并联在所述的线圈MOSFET 的D、S极之间的电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈M0SFET， 所述的线圈MOSFET连接电子开关和瞬态抑制二极管TVS。所述的电子开关保护电路，所述的瞬态抑制二极管TVS为管箝位电压在70-90V， 插件或贴片封装。所述的电子开关保护电路，所述的压敏电阻并联在所述的线圈MOSFET的D、S极之间的电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管连接所述的线圈MOSFET和所述的压敏电阻，所述的线圈MOSFET并联或串联所述的压敏电阻，所述的线圈MOSFET和所述的压敏电阻连接电子开关。所述的电子开关保护电路，所述的压敏电阻箝位电压为70-90V，插件或贴片封装。有益效果I.本实用新型采用无极性电解电容的容值4. 7 —10微法，耐压值在100V左右，插件或贴片封装结构，功率电阻采用O. 2-1欧姆/3W贴片封装的功率电阻优化了电路板设计，提高了可靠性，采用此种方式通常会将线圈MOSFET的D极电压控制在100V以内。2.本实用新型采用MLCC电容通常选择10微法，耐压值在100V左右，可靠性明显提高；功率电阻能够将线圈MOSFET的D极电压控制在100V以内；可有效避免喇叭频繁工作时对线圈MOSFET的损伤。可使对线圈MOSFET性能指标要求降低从而降低了喇叭设计成本。3.本实用新型采用有极性电解电容容值采用10微法，耐压值在100V左右，封装形式可以采用插件或贴片结构，能够将线圈MOSFET的D极电压控制在80V以内。4.本实用新型选用的瞬态抑制二极管TVS管箝位电压在80V左右，封装形式可以采用插件或贴片结构，不需要使用功率电阻可以有效地降低成本。5.本实用新型选用的压敏电阻箝位电压在80V左右，封装形式可以采用插件或贴片结构，此种方案不需要使用功率电阻可以有效地降低成本。6.本实用新型可显著降低喇叭工作时对外界的电磁干扰。可显著降低喇叭长时间工作时发热量，提高了电子喇叭工作的可靠性。
附图I是本产品无极性电解电容+功率电阻并联在线圈两端的电路结构示意图。附图2是本产品MLCC电容+功率电阻并联在线圈两端的电路结构示意图。附图3是本产品有极性电解电容+功率电阻并联在线圈MOSFET的D极、S极之间电路结构意图。附图4是本产品TVS并联在线圈MOSFET的D极、S极之间的电路结构示意图。附图5是本产品压敏电阻并联在线圈两端的电路结构示意图。附图6是本产品压敏电阻串联线圈的电路结构示意图。
具体实施方式
实施例I :一种电子开关保护电路，其组成包括电容、功率电阻1，所述的电容与所述的功率电阻I并联或串联在线圈2两端或并联在线圈M0SFET3的D极、S极之间。实施例2 实施例I所述的电子开关保护电路，在所述的线圈MOSFET的D极、S极之间并联瞬态抑制二极管TVS4 ;在所述的线圈MOSFET两端并联压敏电阻5 ;所述的电容是无极性电解电容6或MLCC电容7或有极性电解电容8。实施例3 上述的电子开关保护电路，所述的无极性电解电容或所述的MLCC电容与所述的功率电阻串联电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈，所述的线圈并联无极性电解电容和功率电阻，所述的无极性电解电容串联所述的功率电阻，所述的线圈与所述的无极性电解电容连接电子开关T。所述的电子开关保护电路，所述的无极性电解电容容值为4. 7- 10微法，耐压值在90-110V，插件或贴片封装；所述的MLCC电容容值为10微法，耐压值在90-110V，所述的功率电阻为O. 2—1欧姆、3W、贴片封装。实施例4 上述的电子开关保护电路，所述的有极性电解电容与所述的功率电阻并联电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈，所述的线圈连接电子开关T、 所述的有极性电解电容和所述的功率电阻，所述的有极性电解电容串联所述的功率电阻。所述的电子开关保护电路，所述的有极性电解电容容值为10微法，耐压值在 90-110V，插件或贴片封装。实施例5 上述的电子开关保护电路，所述的瞬态抑制二极管TVS并联在所述的线圈MOSFET 的D、S极之间的电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈M0SFET， 所述的线圈MOSFET连接电子开关T和瞬态抑制二极管TVS。所述的电子开关保护电路，所述的瞬态抑制二极管TVS为管箝位电压在70-90V， 插件或贴片封装。实施例6 上述的电子开关保护电路，所述的压敏电阻并联在所述的线圈MOSFET的D、S极之间的电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管连接所述的线圈MOSFET和所述的压敏电阻，所述的线圈MOSFET并联或串联所述的压敏电阻，所述的线圈MOSFET和所述的压敏电阻连接电子开关T。所述的电子开关保护电路，所述的压敏电阻箝位电压为70-90V，插件或贴片封装。实施例7 以上实施例所述的电子开关保护电路，无极性电解电容+功率电阻并联在线圈两端，无极性电解电容容值采用4. 7 —10微法，耐压值在100V左右，封装形式采用插件或贴片结构。功率电阻采用O. 2— I欧姆/3W贴片封装的功率电阻，目的是优化电路板设计提高其可靠性，采用此种方式通常会将线圈MOSFET的D极极电压控制在100V以内。实施例8:以上实施例所述的电子开关保护电路，MLCC电容+功率电阻并联在线圈两端， MLCC电容选择10微法，耐压值在100V左右，此种方案相对成本较高但可靠性会明显提高。 采用此种方式通常会将线圈MOSFET的D极极电压控制在100V以内。实施例9 以上实施例所述的电子开关保护电路，有极性电解电容+功率电阻并联在线圈 MOSFET的D极、S极之间，电容容值采用10微法，耐压值在100V左右，封装形式采用插件或贴片结构，采用此种方式将线圈MOSFET的D极极电压控制在80V以内。实施例10 以上实施例所述的电子开关保护电路，管箝位电压TVS并联在线圈MOSFET的D 极、S极之间，选用的管箝位电压管箝位电压TVS在80V左右，封装形式可以采用插件或贴片结构，此种方案不需要使用功率电阻可以有效地降低成本。实施例11 以上实施例所述的电子开关保护电路，压敏电阻9并联在线圈两端，选用的压敏电阻箝位电压在80V左右，封装形式可以采用插件或贴片结构，此种方案不需要使用功率电阻可以有效地降低成本。
权利要求1.一种电子开关保护电路，其组成包括电容、功率电阻，其特征是所述的电容与所述的功率电阻并联或串联在线圈两端或并联在线圈MOSFET的D极、S极之间。
2.根据权利要求I所述的电子开关保护电路，其特征是在所述的线圈MOSFET的D极、 S极之间并联瞬态抑制二极管TVS ;在所述的线圈MOSFET两端并联压敏电阻；所述的电容是无极性电解电容或MLCC电容或有极性电解电容。
3.根据权利要求2所述的电子开关保护电路，其特征是所述的无极性电解电容或所述的MLCC电容与所述的功率电阻串联电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈，所述的线圈并联无极性电解电容和功率电阻，所述的无极性电解电容串联所述的功率电阻，所述的线圈与所述的无极性电解电容连接电子开关。
4.根据权利要求2所述的电子开关保护电路，其特征是所述的无极性电解电容容值为4. 7—10微法，耐压值在90-110V，插件或贴片封装；所述的MLCC电容容值为10微法，耐压值在90-110V，所述的功率电阻为O. 2—1欧姆、3W、贴片封装。
5.根据权利要求2所述的电子开关保护电路，其特征是所述的有极性电解电容与所述的功率电阻并联电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管串联线圈，所述的线圈连接电子开关、所述的有极性电解电容和所述的功率电阻，所述的有极性电解电容串联所述的功率电阻。
6.根据权利要求2或5所述的电子开关保护电路，其特征是所述的有极性电解电容容值为10微法，耐压值在90-110V，插件或贴片封装。
7.根据权利要求2或4或5所述的电子开关保护电路，其特征是所述的瞬态抑制二极管TVS并联在所述的线圈MOSFET的D、S极之间的电路包括电源，所述的电源串联二极管Dl，所述的二极管串联线圈M0SFET，所述的线圈MOSFET连接电子开关和瞬态抑制二极管 TVS0
8.根据权利要求2或4或5所述的电子开关保护电路，其特征是所述的瞬态抑制二极管TVS为管箝位电压在70-90V，插件或贴片封装。
9.根据权利要求2或4或5所述的电子开关保护电路，其特征是所述的压敏电阻并联在所述的线圈MOSFET的D、S极之间的电路包括电源，所述的电源串联二极管D1，所述的二极管连接所述的线圈MOSFET和所述的压敏电阻，所述的线圈MOSFET并联或串联所述的压敏电阻，所述的线圈MOSFET和所述的压敏电阻连接电子开关。
10.根据权利要求9所述的电子开关保护电路，其特征是所述的压敏电阻箝位电压为 70-90V，插件或贴片封装。
专利摘要电子开关保护电路。喇叭电子开关的作用是为了控制电磁线圈的通断来驱动膜片使喇叭发生，喇叭工作时在电子开关及电磁线圈回路中会流过4—5A工作电流，因此电磁线圈在关断时会产生一个较高的峰值电压(通常大于500V)。一种电子开关保护电路，其组成包括电容、功率电阻(1)，所述的电容与所述的功率电阻并联或串联在线圈(2)两端或并联在线圈MOSFET(3)的D极、S极之间。本实用新型用于电子开关。
文档编号H02H9/00GK202353196SQ201120499759
公开日2012年7月25日 申请日期2011年12月5日 优先权日2011年12月5日
发明者赵宏伟 申请人:哈尔滨固泰电子有限责任公司