专利名称：功率因素校正电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电源技术领域，尤其涉及一种功率因素校正电路。
背景技术：
现有技术的功率因素校正电路，如图I所示，包括AC/DC转换电路I'、升压电感L1、ニ极管 D' >PFC (Power Factor Correction,功率因数校正)芯片 2'、第一电阻 Rl'、第二电阻R2'及一用于稳定电路输出端电压的电解电容CE'。其中，升压电感L'包括第ー电感线圈LI'和第二电感线圈L2'。AC/DC转换电路I'输出端的正极经升压电感L'的第一电感线圈LI'与ニ极管D'的阳极连接，而ニ极管D'的阴极经第一电阻Rl'与PFC芯片2,的FB引脚(反馈引脚)连接，AC/DC转换电路I'输出端的负极经升压电感L'的 第二电感线圈L2'及第ニ电阻R2'与PFC芯片的Z⑶引脚(过零检测引脚)连接，电解电容CE'连接于ニ极管D'的阴极与地之间。PFC芯片2'的COMP引脚经由ー第一电容(未标号)接地，也依序经由ー电阻(未标号)和一第二电容(未标号)接地。PFC芯片2'的CS引脚经由ー第三电容(未标号)接地。PFC芯片2'的GATE引脚连接ー MOS管(未标号)。当故障情况下PFC芯片2'的FB引脚与ZCD引脚短路时，连接于该电路输出端的电解电容CE'将会受到损坏，甚至发生电解电容CE'炸裂的现象。因此，现有技术的功率因素校正电路存在可靠性较低的技术问题。
实用新型内容本实用新型的主要目的是提供一种功率因素校正电路，旨在避免故障情况下PFC芯片的FB引脚与ZCD引脚短路时损坏该电路中的电解电容。为了达到上述目的，本实用新型提出一种功率因素校正电路，包括AC/DC转换电路、升压电感、ニ极管、PFC芯片、第一电阻、第二电阻及电解电容，所述升压电感包括第一电感线圈和第二电感线圈，所述AC/DC转换电路输出端的正极经所述第一电感线圈与所述ニ极管的阳极连接，所述ニ极管的阴极经所述第一电阻与所述PFC芯片的FB引脚连接，所述AC/DC转换电路输出端的负极经所述第二电感线圈及所述第二电阻与所述PFC芯片的ZCD引脚连接，所述电解电容连接于所述ニ极管的阴极与地之间，该功率因素校正电路还包括电解电容保护电路，所述电解电容保护电路连接于PFC芯片的FB引脚及COMP引脚之间。优选地，所述电解电容保护电路包括分压电路和MOS管，所述分压电路连接于PFC芯片的FB引脚和地之间，MOS管的栅极连接分压电路，漏极与PFC芯片的COMP引脚连接，源极接地。优选地，所述分压电路包括第三电阻和第四电阻，上述MOS管的栅极经由第三电阻连接到PFC芯片的FB引脚，也经由第四电阻接地。优选地，所述MOS管为N沟道MOS管。优选地，所述分压电路进一歩包括一串联在第三电阻与第四电阻之间的第五电阻，MOS管的栅极依序经由第五电阻与第三电阻连接PFC芯片的FB引脚。[0009]优选地，所述分压电路进一歩包括一与第三电阻并联的第六电阻。优选地，所述PFC的型号为FAN7930。相较于现有技术，本实用新型提出的功率因素校正电路进一歩包括了电解电容保护电路，可避免故障情况下PFC芯片的FB引脚与ZCD引脚短路时损坏的电解电容，保证了电路中电解电容的安全使用。因此，本实用新型的功率因素校正电路的可靠性较高。
图I是现有技术中功率因素校正电路的电路图；图2是本实用新型功率因素校正电路第一实施例的电路图；图3是本实用新型功率因素校正电路第二实施例的电路图；图4是本实用新型功率因素校正电路第三实施例的电路图。本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，參照附图做进ー步说明。
具体实施方式
本实用新型的主要解决方案是通过在现有功率因素校正电路中的PFC芯片的FB引脚及COMP引脚之间连接一电解电容保护电路，以避免故障情况下PFC芯片FB引脚与Z⑶弓I脚短路时损坏该电路中的电解电容。參照图2，图2是本实用新型功率因素校正电路第一实施例的电路图。所述功率因素校正电路包括AC/DC转换电路I、升压电感L、ニ极管D、PFC芯片2、第一电阻R1、第二电阻R2、电解电容CE及电解电容保护电路3。其中，升压电感L用于对AC/DC转换电路I的输出电压进行升压，电解电容CE用于对该电路的输出电压进行滤波。PFC芯片2的型号可以为FAN7930。PFC芯片2的COMP引脚经由ー第一电容(未标号)接地，也依序经由ー电阻(未标号)和一第二电容(未标号)接地。PFC芯片2的CS引脚经由ー第三电容(未标号)接地。PFC芯片2的GATE引脚连接ー MOS管(未标号)。升压电感L包括第一电感线圈LI和第二电感线圈L2，电解电容保护电路3连接于PFC芯片2的FB引脚及COMP引脚(补偿引脚)之间，该电解电容保护电路3用于避免故障情况下PFC芯片2的FB引脚与ZCD引脚短路时损坏电路中的电解电容CE。电解电容保护电路3包括分压电路(未标号)及N沟道MOS管Q。上述分压电路连接于PFC芯片2的FB引脚与地之间。上述分压电路包括第三电阻R3和第四电阻R4。具体的，AC/DC转换电路I输出端的正极经升压电感L的第一电感线圈LI与ニ极管D的阳极连接，ニ极管D的阴极经第一电阻Rl与PFC芯片2的FB引脚连接，AC/DC转换电路I输出端的负极经升压电感L的第二电感线圈L2及第ニ电阻R2与PFC芯片2的ZCD引脚连接，电解电容CE连接于ニ极管D的阴极与地之间。ニ极管D的阴极和地之间连接有负载(图未示)。电解电容保护电路3中MOS管Q的栅极经由第三电阻R3连接到PFC芯片2的FB引脚，也经由第四电阻R4接地，MOS管Q的漏极与PFC芯片2的COMP引脚连接，MOS管Q的源极与地连接。若第三电阻R3和第四电阻R4之间的节点电压为V2，PFC芯片2的FB引脚处的电压为VI，则第三电阻R3和第四电阻R4之间的节点电压V2的计算公式为V2 = R4/(R3+R4)*V1。当第三电阻R3和第四电阻R4之间的节点电压V2 >Vgs(th)时，N沟道MOS管Q才会导通。通过选择第三电阻R3及第四电阻R4合适的阻值，可以使得电路正常工作吋，第三电阻R3和第四电阻R4的节点电压V2 < Vgs (th)，整个功率因素校正电路处于正常的工作状态^PFC芯片2的FB引脚与Z⑶引脚短路时，由于PFC芯片2的Z⑶引脚的电压为PWM波，其正电压较高，使得第三电阻R3和第四电阻R4之间的节点电压为V2 > Vgs (th)，N沟道MOS管Q导通，而N沟道MOS管Q的导通将使PFC芯片2的COMP引脚的电压被拉低，使得PFC芯片停止工作，从而使得电解电容CE上的电压降低至其额定电压以下，从而避免了电解电容CE的损坏。考虑到本实用新型功率因素校正电路在实际的应用中，有可能找不到阻值非常合适的第三电阻R3和第四电阻R4，因此本实用新型功率因素校正电路亦可以采用图3或图4所示的电路。參照图3，图3是本实用新型功率因素校正电路第二实施例的电路图，第二实施例 的功率因素校正电路与第一实施例的功率因素校正电路的区别之处在于第二实施例的电解电容保护电路3的分压电路进ー步包括一串联在第三电阻R3与第四电阻R4之间的第五电阻R5。即本实施例中的电解电容保护电路3包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5及N沟道MOS管Q，N沟道MOS管Q的栅极依序经由第五电阻R5与第三电阻R3连接PFC芯片2的FB引脚，也经由第四电阻R4接地，N沟道MOS管Q的漏极与PFC芯片2的COMP引脚连接，N沟道MOS管Q的源极与地连接。若第五电阻R5和第四电阻R4之间的节点电压为V2' ,PFC芯片2的FB引脚处的电压为VI，则V2'的计算公式为V2' = RV(R3+R5+R4)*V1。本实施例的工作原理同于第一实施例的工作原理，此处不再累赘。參照图4，图4是本实用新型功率因素校正电路第三实施例的电路图，第三实施例的功率因素校正电路与第一实施例的功率因素校正电路的区别之处在于第三实施例的电解电容保护电路3的分压电路进ー步包括一与第三电阻R3并联的第六电阻R6。若第三电阻R3和第四电阻R4之间的节点电压为V2"，PFC芯片2的FB引脚处的电压为VI，则V2"的计算公式为V2" = RV(R3*R6バR3+R6)+R4)*V1。本实施例的工作原理同于第一实施例的工作原理，此处不再累赘。相较于现有技术，本实用新型提出的功率因素校正电路进一歩包括了电解电容保护电路，可避免故障情况下PFC芯片的FB引脚与ZCD引脚短路时损坏的电解电容，保证了电路中电解电容的安全使用。因此，本实用新型的功率因素校正电路的可靠性较高。以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
权利要求1.一种功率因素校正电路，包括AC/DC转换电路、升压电感、ニ极管、PFC芯片、第一电阻、第二电阻及电解电容，所述升压电感包括第一电感线圈和第二电感线圈，所述AC/DC转换电路输出端的正极经第一电感线圈与ニ极管的阳极连接，所述ニ极管的阴极经第一电阻与PFC芯片的FB引脚连接，所述AC/DC转换电路输出端的负极经第二电感线圈及第ニ电阻与PFC芯片的ZCD引脚连接，所述电解电容连接于ニ极管的阴极与地之间，其特征在于该功率因素校正电路还包括电解电容保护电路，所述电解电容保护电路连接于PFC芯片的FB引脚及COMP引脚之间。
2.根据权利要求I所述的功率因素校正电路，其特征在于，所述电解电容保护电路包括分压电路和MOS管，所述分压电路连接于PFC芯片的FB引脚和地之间，MOS管的栅极连接分压电路，漏极与PFC芯片的COMP引脚连接，源极接地。
3.根据权利要求2所述的功率因素校正电路，其特征在于，所述分压电路包括第三电阻和第四电阻，上述MOS管的栅极经由第三电阻连接到PFC芯片的FB引脚，也经由第四电阻接地。
4.根据权利要求3所述的功率因素校正电路，其特征在于，所述MOS管为N沟道MOS管。
5.根据权利要求4所述的功率因素校正电路，其特征在于，所述分压电路进一歩包括一串联在第三电阻与第四电阻之间的第五电阻，MOS管的栅极依序经由第五电阻与第三电阻连接PFC芯片的FB引脚。
6.根据权利要求4所述的功率因素校正电路，其特征在于，所述分压电路进一歩包括一与第三电阻并联的第六电阻。
7.根据权利要求I所述的功率因素校正电路，其特征在于，所述PFC的型号为FAN7930。
专利摘要本实用新型公开一种功率因素校正电路，包括AC/DC转换电路、升压电感、二极管、PFC芯片、第一电阻、第二电阻、电解电容和电解电容保护电路，所述升压电感包括第一电感线圈和第二电感线圈，所述AC/DC转换电路输出端的正极经第一电感线圈、二极管、第一电阻与PFC芯片的FB引脚连接，所述AC/DC转换电路输出端的负极经第二电感线圈及第二电阻与所述PFC芯片的ZCD引脚连接，所述电解电容连接于二极管与地之间。所述电解电容保护电路连接于PFC芯片的FB引脚及COMP引脚之间。本实用新型避免了故障情况下PFC芯片的FB引脚与ZCD引脚短路时损坏电路中的电解电容，保证了电路中电解电容的安全使用。
文档编号H02M1/42GK202424505SQ20112055919
公开日2012年9月5日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日
发明者何北凯, 李锦乐, 杨勇, 江国平 申请人:Tcl王牌电器(惠州)有限公司