一种高速开关电路的电荷泵电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种高速开关电路的电荷泵电路，该电路包括：PNP型第一双极型晶体管（P1）、第二双极型晶体管（P2）、第三双极型晶体管（P3）、第四双极型晶体管（P4），NPN型第五双极型晶体管（N5）、第六双极型晶体管（N6）、第七双极型晶体管（N7）、第八双极型晶体管（N8），第一电阻（R1），第二电阻（R2），第三电阻（R3），第四电阻（R4），恒流源（JI），第一电压源（JV1），第二电压源（JV2），P型MOS管（MP1）和N型MOS管（MN1）。本发明的有益效果是：这种电路结构，减小了电荷传导时间，提高了速度；可以使输入电压有更大的输出变化范围。
【专利说明】—种高速开关电路的电荷泵电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种闻速开关电路的电荷栗电路，尤其是一种适用于闻速开关电路中的闻速、闻输出电压范围的闻速开关电路的电荷栗电路。
【背景技术】
[0002]电荷泵，也称为开关电容式电压变换器，它能使输入电压升高或降低，也可以用于产生负电压。它是开关电路中常用到的电路。在一些高速开关电路中，要求电荷泵的速度一般较高，而且相应速度要求较快。现有技术的电荷泵是通过其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速电容器的充电和放电，从而使输入电压以一定因数(0.5，2或3)倍增或降低，从而得到所需要的输出电压。这种结构的高速开关电路的电荷泵电路相应速度较慢，满足不了现代高速开关电路对高速高速开关电路的电荷泵电路的要求，对电压升高和降低的比例满足不了现在电路的要求。
【发明内容】
[0003]本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题，提供一种快速动作的电荷泵。
[0004]本发明采用的技术方案是这样的:一种高速开关电路的电荷泵电路，该电路包括:PNP型的第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第四双极型晶体管，NPN型的第五双极型晶体管、第六双极型晶体管、第七双极型晶体管、第八双极型晶体管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，恒流源，第一电压源，第二电压源，P型MOS管和N型MOS 管。
[0005]其中，所述第一双极型晶体管和第三双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管，所述第二双极型晶体管和第四双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管，所述第五双极型晶体管和第七双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管，所述第六双极型晶体管和第八双极型晶体管为参数相同的双极性晶体管，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻为参数相同的电阻，所述第一电压源和第二电压源为参数相同的电压源。
[0006]所述第一双极型晶体管的源极通过第一电阻连接双极型正电压，集电极与第二双极型晶体管的基极连接，基极与第二双极型晶体管的源极和第三双极型晶体管的基极连接。所述第二双极型晶体管的集电极接地。所述第三双极型晶体管的源极通过第二电阻连接双极型正电压，集电极与第四双极性晶体管的源极和N型MOS管的漏极连接。所述第四双极型晶体管的集电极连接输出端，基极通过第一电压源与双极型正电压连接；所述第一电压源的正极端连接双极型正电压，负极端连接第四双极型晶体管的基极。所述N型MOS管的源极接地，栅极接第一输入端。
[0007]所述第五双极型晶体管的集电极连接双极型正电压，基极连接第六双极型晶体管的集电极，源极分别与第六双极型晶体管的基极和第八双极型晶体管的基极连接。所述第六双极型晶体管的源极通过第三电阻接地。所述第七双极型晶体管的集电极连接输出端，源极分别与第八双极型晶体管的集电极和P型MOS管的漏极连接，基极通过第二电压源接地；所述第二电压源的正极端连接第七双极型晶体管的基极，负极端接地。所述第八双极型晶体管的源极通过第四电阻接地。所述P型MOS管的源极连接MOS正电压，栅极连接第二输入端。所述恒流源的一端连接第一双极型晶体管的集电极和第二双极型晶体管的基极，另一端连接第五双极型晶体管的基极和第六双极型晶体管的集电极。
[0008]综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是:这种电路结构，减小了电荷传导时间，提高了速度；可以使输入电压有更大的输出变化范围。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本发明闻速开关电路的电荷栗电路的电路原理图。
[0010]【具体实施方式】
下面结合附图，对本发明作详细的说明。
[0011]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0012]如图1所不，是本发明闻速开关电路的电荷栗电路的电路原理图。
[0013]一种高速开关电路的电荷泵电路，该电路包括:四只PNP型双极型晶体管、四只NPN型双极型晶体管、两个电压源、一个恒流源、四只电阻、N型MOS管和P型MOS管。其中四只PNP型双极型晶体管分别为:PNP型第一双极型晶体管P1、第二双极型晶体管P2、第三双极型晶体管P3、第四双极型晶体管P4;四只NPN型双极型晶体管分别为:第五双极型晶体管N5、第六双极型晶体管N6、第七双极型晶体管N7、第八双极型晶体管NS ;四只电阻分别为:第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4;两只电压源分别为:第一电压源JVl，第二电压源JV2。
[0014]上述各个电子元器件之间的连接关系为:
第一双极型晶体管Pl的源极通过第一电阻Rl连接双极型正电压Vcc，集电极与第二双极型晶体管P2的基极连接，基极与第二双极型晶体管P2的源极和第三双极型晶体管P3的基极连接；所述第二双极型晶体管P2的集电极接地；所述第三双极型晶体管P3的源极通过第二电阻R2连接双极型正电压Vcc，集电极与第四双极性晶体管P4的源极和N型MOS管MNl的漏极连接；所述第四双极型晶体管P4的集电极连接输出端01，基极通过第一电压源JVl与双极型正电压Vcc连接；所述第一电压源JVl的正极端连接双极型正电压Vcc，负极端连接第四双极型晶体管P4的基极；所述N型MOS管MNl的源极接地，栅极接第一输入端Il ;所述第五双极型晶体管N5的集电极连接双极型正电压Vcc，基极连接第六双极型晶体管N6的集电极，源极分别与第六双极型晶体管N6的基极和第八双极型晶体管NS的基极连接；所述第六双极型晶体管N6的源极通过第三电阻R3接地；所述第七双极型晶体管N7的集电极连接输出端01，源极分别与第八双极型晶体管NS的集电极和P型MOS管MPl的漏极连接，基极通过第二电压源JV2接地；所述第二电压源JV2的正极端连接第七双极型晶体管N7的基极，负极端接地；所述第八双极型晶体管NS的源极通过第四电阻R4接地；P型MOS管MPl的源极连接MOS正电压Vdd，栅极连接第二输入端12 ;恒流源JI的一端连接第一双极型晶体管Pl的集电极和第二双极型晶体管P2的基极，另一端连接第五双极型晶体管N5的基极和第六双极型晶体管P6的集电极。[0015]在上述的电路中，所述第一双极型晶体管Pl和第三双极型晶体管P3为参数相同的双极性晶体管。
[0016]在上述的电路中，所述第二双极型晶体管P2和第四双极型晶体管P4为参数相同的双极性晶体管。
[0017]在上述的电路中，所述第五双极型晶体管N5和第七双极型晶体管N7为参数相同的双极性晶体管。
[0018]在上述的电路中，所述第六双极型晶体管N6和第八双极型晶体管NS为参数相同的双极性晶体管。
[0019]在上述的电路中，所述第一电阻Rl、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4为参数相同的电阻。
[0020]在上述的电路中，第一电压源JVl和第二电压源J2为参数相同的电压源。
[0021]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种高速开关电路的电荷泵电路，其特征在于，该电路包括:PNP型的第一双极型晶体管(P1)、第二双极型晶体管(P2)、第三双极型晶体管(P3)、第四双极型晶体管(P4)，NPN型的第五双极型晶体管(N5)、第六双极型晶体管(N6)、第七双极型晶体管(N7)、第八双极型晶体管(NS)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)，恒流源(?11)，第一电压源(11)，第二电压源(12)，P型MOS管(MPl)和N型MOS管(MNl);所述第一双极型晶体管(Pl)和第三双极型晶体管(P3)为参数相同的双极性晶体管，所述第二双极型晶体管(P2)和第四双极型晶体管(P4)为参数相同的双极性晶体管，所述第五双极型晶体管(N5)和第七双极型晶体管(N7)为参数相同的双极性晶体管，所述第六双极型晶体管(N6)和第八双极型晶体管(NS)为参数相同的双极性晶体管，所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)和第四电阻(R4)为参数相同的电阻，所述第一电压源(JVl)和第二电压源(J2)为参数相同的电压源； 所述第一双极型晶体管(Pl)的源极通过第一电阻(Rl)连接双极型正电压(Vcc)，集电极与第二双极型晶体管(P2)的基极连接，基极与第二双极型晶体管(P2)的源极和第三双极型晶体管(P3)的基极连接； 所述第二双极型晶体管(P2)的集电极接地； 所述第三双极型晶体管(P3)的源极通过第二电阻(R2)连接双极型正电压(Vcc)，集电极与第四双极性晶体管(P4)的源极和N型MOS管(丽I)的漏极连接； 所述第四双极型晶体管(P4)的集电极连接输出端(01)，基极通过第一电压源(JVl)与双极型正电压(Vcc)连接；所述第一电压源(JVl)的正极端连接双极型正电压(Vcc)，负极端连接第四双极型晶体管(P4)的基极； 所述N型MOS管(丽I)的源极接地，栅极接第一输入端(II); 所述第五双极型晶体管(N5)的集电极连接双极型正电压(Vcc)，基极连接第六双极型晶体管(N6)的集电极，源极分别与第六双极型晶体管(N6)的基极和第八双极型晶体管(N8)的基极连接； 所述第六双极型晶体管(N6)的源极通过第三电阻(R3)接地； 所述第七双极型晶体管(N7)的集电极连接输出端(01)，源极分别与第八双极型晶体管(NS)的集电极和P型MOS管(MPl)的漏极连接，基极通过第二电压源(JV2)接地；所述第二电压源(JV2)的正极端连接第七双极型晶体管(N7)的基极，负极端接地； 所述第八双极型晶体管(NS)的源极通过第四电阻(R4)接地； P型MOS管(MPl)的源极连接MOS正电压(Vdd)，栅极连接第二输入端(12)； 恒流源(JI)的一端连接第一双极型晶体管(Pl)的集电极和第二双极型晶体管(P2)的基极，另一端连接第五双极型晶体管(N5)的基极和第六双极型晶体管(P6)的集电极。
【文档编号】H02M3/07GK103683910SQ201210338126
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月13日 优先权日:2012年9月13日
【发明者】吴勇, 余力, 王晓娟 申请人:郑州单点科技软件有限公司