电力电子装置及其混合功率模块、混合功率模块的形成方法

专利名称：电力电子装置及其混合功率模块、混合功率模块的形成方法
技术领域：
本发明涉及功率半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种电力电子装置及其混合 功率模块，以及一种混合功率模块的形成方法。
背景技术：
在汽车、家电、产业设备、机车牵引、电力系统等各个领域，降低逆变器及变频器的 电力损失都是必要课题，而这其中的功率半导体器件起着重要的作用。传统的硅基功率半 导体器件的性能在很多方面都已经接近材料的理论极限，导致其在实际应用中很难满足电 力电子系统对功率开关器件在阻断电压、通态电流、工作频率以及高温、高效等方面的新需 求。
以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和 电子漂移率高、热导率高等优异的物理特性，使得SiC电力电子器件在高压、高温、高效率、 高频率等应用领域具有极大的优势。SiC电力电子器件可以大幅度降低逆变器及变频器等 电力转换装置的损失，极大提高现有能源的转换效率，在传统工业领域和太阳能等新能源 领域都能发挥重要作用。碳化硅肖特基二极管的一种主要的应用是在电力电子装置中，作 为IGBT等开关器件的续流二极管。
由于碳化硅肖特基势垒二极管属于多数载流子器件，具有开启电压小，反向恢复 电流小，反向恢复时间短，开关速度快等特点，因此，将碳化硅肖特基势垒二极管代替快恢 复二极管，作为IGBT等开关器件的续流二极管，不仅能有效的降低续流二极管的反向恢复 能量损耗，还能降低IGBT等开关器件的尖峰电流和开通能量损耗。
又由于功率模块具有体积小、外壳与电极绝缘、可靠性高、安装方便等优点，因此， 在实际应用中，通常将碳化硅肖特基势垒二极管作为续流二极管与IGBT开关器件封装在 同一模块中，如图1所示，形成混合功率模块，从而有效降低功率模块的能量损耗，提高能 源的转换效率。
但是，现有技术中碳化硅肖特基势垒二极管在反向恢复过程中存在明显的振荡现 象，同时导致IGBT开关器件的开通过程中也存在相同的振荡现象。这种振荡现象的存在将 使得具有该混合功率模块的电力电子装置出现显著的高频振荡，从而无法正常工作。发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了 一种电力电子装置及其混合功率模 块，以及一种混合功率模块的形成方法，以解决现有技术中碳化硅肖特基势垒二极管在反 向恢复过程中存在的振荡现象，并消除IGBT开关器件的开通过程中存在的振荡现象，使得 具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正 常工作。
为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案
一种混合功率模块，包括IGBT开关器件；阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连，阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管；与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻。
优选的，所述栅极偏置电路包括与所述IGBT开关器件栅极相连的所述第一电阻和第一二极管的并联结构；与所述第一电阻和第一二极管的并联结构另一端相连的第二电阻。
优选的，所述栅极偏置电路包括与所述IGBT开关器件栅极相连的第二电阻；与所述第二电阻的另一端相连的所述第一电阻和第一二极管的并联结构。
优选的，所述第一电阻的阻值大于1000 Ω。
优选的，所述第一二极管为整流二极管。
一种包括上述混合功率模块的电力电子装置。
一种混合功率模块的形成方法，包括制备氮化铝衬板；在所述氮化铝衬板上形成图形化的金属层；在氮化铝衬板上形成IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管、第一电阻和第一二极管的并联结构、第二电阻；将氮化铝衬板固定在基板上；实现IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管与金属层电连接。
优选的，所述基板为镀镍的铝碳化硅基板或镀镍的铜基板。
优选的，还包括
采用超声波清洗和化学清洗的方法，对所述基板和氮化铝衬板进行清洗。
优选的，在所述氮化铝衬板上形成IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管、第一电阻和第一二极管的并联结构、第二电阻包括采用丝网印刷技术，将焊料均匀涂在氮化铝衬板的焊接面上；采用高温回流焊接技术，将IGBT开关器件芯片、碳化硅肖特基势垒二极管芯片、第一电阻贴片元件、第一二极管贴片元件和第二电阻贴片元件焊接在所述氮化铝衬板的焊接面上。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点
本发明实施例所提供的技术方案，通过在IGBT开关器件的栅极增加偏置电路， 且所述偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，从而使得IGBT开关器件栅极的正向电流不受所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，能够正常导通，而反向电流由于所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，有效减小，进而使得所述偏置电路为所述 IGBT开关器件的栅极，提供稳定的栅极电流和栅极电压，使得碳化硅肖特基势垒二极管的阳极电压保持稳定，即IGBT开关器件的发射极电压保持稳定，切断碳化硅肖特基势垒二极管出现振荡的通路，有效的抑制或消除碳化硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中的振荡现象。


为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图I为现有技术中混合功率1旲块的电路结构不意图2为现有技术中碳化硅肖特基势垒二极管的电流振荡现象示意图3为本发明实施例一中所提供的混合功率模块的电路结构示意图4为本发明实施例一中所提供的混合功率模块的一种电路结构示意图5为本发明实施例一中所提供的混合功率模块的另一种电路结构示意图6为本发明实施例一中所提供的电力电子装置的电路结构示意图7为本发明实施例二中所提供的混合功率模块的形成方法的流程示意图8-11为本发明实施例二中所提供的混合功率模块的形成方法的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术部分所述，现有技术中具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象，影响其正常工作。
发明人研究发现，这主要是因为现有技术中的混合功率模块，只是采用一个阻值合理的偏置电阻，对IGBT开关器件栅极输入端的栅极电压和电流进行调节。而在关断过程中，由于碳化硅肖特基势垒二极管的反向漏电流过大，不能瞬间在碳化硅肖特基势垒二极管的两端建立电压，导致碳化硅肖特基势垒二极管在关断过程中存在一定的反向恢复电流。该反向恢复电流流至IGBT开关器件，叠加在所述IGBT开关器件原有电流的基础上， 依次流过该IGBT开关器件的发射极、集电极，使得该IGBT开关器件集电极处的电流出现过冲，同时，为了保证该IGBT开关器件栅极-发射极之间的电压差，将诱使该IGBT开关器件的栅极叠加一个正向电流。
又由于碳化硅肖特基势垒二极管为多数载流子器件，在反向恢复电流达到峰值电流后，将出现电流的迅速降低，从而使得该IGBT开关器件集电极处的电流迅速减小，同时， 为了保证该IGBT开关器件栅极-发射极之间的电压差，将诱使该IGBT开关器件的栅极叠加一个反向电流，从而改变该IGBT开关器件的发射极电压，即碳化硅肖特基势垒二极管的阳极电压，进而使得供电电源的寄生电感与IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管形成的回路出现振荡现象，导致碳化硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中存在明显的振荡现象，如图2所示，进而导致具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象，影响其正常工作。
发明人进一步研究发现，对于抑制或消除碳化硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中存在的振荡现象，从而解决现有技术中具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时， 存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作，有以下三种方案
方案一通过减小碳化硅肖特基势垒二极管的反向漏电流，使得碳化硅肖特基势垒二极管的电流达到零值的瞬间，在碳化硅肖特基势垒二极管的两端迅速建立反向电压， 从而使碳化硅肖特基势垒二极管发挥单极器件的特性，不会出现反向恢复电流，从根本上解决硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中的振荡现象，从而解决现有技术中具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作；
方案二 通过调整碳化硅肖特基势垒二极管的结构，是碳化硅肖特基势垒二极管的反向电流在达到峰值后不会出现瞬间降低，而是平稳下降，从而不会造成碳化硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中的振荡现象，从而解决现有技术中具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作；
方案三通过优化IGBT开关器件的栅极偏置电路，使IGBT开关器件的栅极偏置电 路为IGBT开关器件提供稳定的栅极电流和栅极电压，从而使碳化硅肖特基势垒二极管的 阳极电压达到稳定，消除碳化硅肖特基势垒二极管出现振荡的因素，进而抑制或消除碳化 硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中存在的振荡现象，从而解决现有技术中具有该混合功 率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作。
发明人更进一步研究发现，上述方案中的方案一和方案二需要改变碳化硅肖特基 势垒二极管的结构，难度较大，而且存在一定的不确定性。
基于上述研究的基础上，本发明实施例提供了一种电力电子装置及其混合功率模 块，该混合功率模块包括=IGBT开关器件；阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连，阳极与 所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管；与所述IGBT开关器件栅极 相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，以及与 所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻。
本发明实施例所提供的技术方案，通过在IGBT开关器件的栅极增加偏置电路， 且所述偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，从而使得IGBT开关器件栅极的 正向电流不受所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，能够正常导通，而反向电流由 于所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，有效减小，进而使得所述偏置电路为所述 IGBT开关器件的栅极，提供稳定的栅极电流和栅极电压，使得碳化硅肖特基势垒二极管的 阳极电压保持稳定，即IGBT开关器件的发射极电压保持稳定，切断碳化硅肖特基势垒二极 管出现振荡的通路，有效的抑制或消除碳化硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中的振荡现 象。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明 的具体实施方式
做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不 同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类 似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
实施例一
如图3所示，本发明实施例提供了一种混合功率模块，包括
IGBT 开关器件 Tl ；
阴极与所述IGBT开关器件Tl的集电极相连，阳极与所述IGBT开关器件Tl的发 射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管Df，所述碳化硅肖特基势垒二极管用于续流；
与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括相互并 联的第一电阻和第一二极管，以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电 阻，所述偏置电路用于调节所述IGBT开关器件Tl的栅极电压和电流。
在本发明实施例中，所述第一二极管优选为整流二极管，在本发明的其它实施例 中，所述第一二极管也可以为功率半导体器件，本发明对此并不做限定，只要所述第一二极 管具有正向导通，反向截止的特性即可。
如图4所示，在本发明的一个实施例中，所述偏置电路包括
与所述IGBT开关器件Tl栅极相连的所述第一电阻Rp和第一二极管Dk的并联结构；
与所述第一电阻Rp和第一二极管Dk的并联结构另一端相连的第二电阻Rg。
如图5所示，在本发明的另一个实施例中，所述偏置电路包括
与所述IGBT开关器件Tl栅极相连的第二电阻Rg ；
与所述第二电阻的另一端相连的所述第一电阻Rp和第一二极管Dk的并联结构。
其中，所述第一电阻Rp为高值电阻，所述第二电阻&为低值电阻，在本发明的一个实施例中，所述第一电阻Rp的阻值范围优选为大于1000Ω ;在本发明的另一个实施例中， 所述第二电阻Rg的阻值范围优选为I Ω-20 Ω，本发明对此并不做限定，视具体情况而定。
本发明实施例所提供的电力电子装置及其混合功率模块中，通过在IGBT开关器件的栅极增加偏置电路，且所述偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，从而使得IGBT开关器件栅极的正向电流不受所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，能够正常导通，而反向电流由于所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，有效减小，进而使得所述偏置电路为所述IGBT开关器件的栅极，提供稳定的栅极电流和栅极电压，使得碳化硅肖特基势垒二极管的阳极电压保持稳定，即IGBT开关器件的发射极电压保持稳定，切断碳化硅肖特基势垒二极管出现振荡的通路，有效的抑制或消除碳化硅肖特基势垒二极管反向恢复过程中的振荡现象。
本发明实施例还提供了一种包括上述混合功率模块的电力电子装置，如图6所示，其中，所述IGBT开关器件TI的集电极与碳化硅肖特基势垒二极管的阴极的公共端为所述混合功率模块的输入端，与外部供电端相连；所述IGBT开关器件TI的发射极与碳化硅肖特基势垒二极管的阳极的公共端为所述混合功率模块的输出端，也与外部供电端Vdc 相连；所述偏置电路远离所述IGBT开关器件TI栅极的一端，与外部栅极驱动电路Ve相连；Lload为负载电感。
在IGBT开关器件TI开通过程中，所述IGBT开关器件TI的栅极处于正向电流导通状态，第一二极管的Dk处于导通状态，栅极正向电流通过下支路的第一二极管DK，再经过串联第二电阻Rg流入IGBT开关器件的栅极，由于第一二极管Dk处于正向导通状态，其正向电阻很小，可以忽略不计，因此，栅极正向电流导通的IGBT开关器件的输入电阻大小由第二电阻Rg的大小决定，与现有技术中混合功率模块的输入电阻相同；由于作为续流二极管的碳化硅肖特基势垒二极管Df的反向漏电流过大，将引起IGBT开关器件Tl栅极出现反向漏电流，对于IGBT开关器件Tl的栅极反向漏电流，第二二极管Df处于反向偏置状态，反向电阻很大，这时栅极反向漏电流经由第二电阻Rg，再经过上支路第一电阻Rp流出。本发明中采用的第一电阻Rp阻值较大(>1000欧姆)，因此能大大减小IGBT开关器件Tl的栅极反向漏电流大小，从而对负载电感Lltjad与碳化硅肖特基势垒二极管Df电路中出现振荡现象的诱发能力减弱，进而有效抑制碳化硅二极管的反向恢复过程中的振荡现象，使得该电力电子装置能够正常工作。
实施例二
本发明实施例提供了一种混合功率模块的形成方法，如图7所示，包括
步骤101 :制备氮化铝衬板。
针对碳化硅肖特基势垒二极管与IGBT开关器件组成的混合功率模块的实际情况，为了抑制碳化硅肖特基势垒二极管关断过程中的振荡现象，设计并制作与之对应的氮化铝(AlN)衬板，所述氮化铝衬板具有高的热导率、与碳化硅相近的热膨胀系数等特性。
步骤102 :在所述氮化铝衬板上形成图形化的金属层。
在氮化铝衬板上采用直接覆铜工艺，实现加工图形，从而在所述氮化铝衬板上形 成图形化的金属层，如图8所示。
需要说明的是，在所述氮化铝衬板上形成图形化的金属层之前，还包括采用超声 波清洗和化学清洗的方法，对所述氮化铝衬板进行清洗，清除所述氮化铝衬板表面的颗粒 物质、离子杂质和油脂污染等。
步骤103 :在氮化铝衬板上形成IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管、第一电 阻和第一二极管的并联结构、第二电阻，如图9所示。
在本发明的一个实施例中，步骤103包括
步骤1031 :选择SnAg作为焊料，采用丝网印刷技术，将焊料均匀涂在氮化铝衬板 的焊接面上；
步骤1032 :采用高温回流焊接技术，将IGBT开关器件芯片、碳化硅肖特基势垒二 极管芯片、第一电阻贴片元件、第一二极管贴片元件和第二电阻贴片元件焊接在所述氮化 铝衬板的焊接面上。
需要说明的是，所述IGBT开关器件芯片和碳化硅肖特基势垒二极管芯片均为裸 芯片，可直接焊接在所述氮化铝衬板的焊接面上；所述第一电阻贴片元件、第一二极管贴片 元件和第二电阻贴片元件均为表面贴片元件(SMD)，可通过焊接的方式，固定在所述氮化铝 衬板的焊接面上或管壳上。
步骤104 :将氮化铝衬板固定在基板上。
选择镀镍的碳化硅基板或镀镍的铜基板，作为所述混合功率模块的基板，并选择 SnAg作为焊料，采用丝网印刷技术，将焊料均匀涂在基板上，然后采用回流焊接技术，实现 基板与氮化铝衬板的焊接，将氮化铝衬板固定在基板上。
需要说明的是，在将氮化铝衬板固定在基板上之前，还包括采用超声波清洗和化 学清洗的方法，对所述基板进行清洗，清除所述基板表面的颗粒物质、离子杂质和油脂污染坐 寸ο
步骤105:实现IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管与金属层电连接，如图10 所示。
选择铝作为电学引线，采用引线键合的方式，分别将碳化硅肖特基势垒二极管芯 片与IGBT开关器件芯片的电极引出，引线的一端与所述碳化硅肖特基势垒二极管芯片与 IGBT开关器件芯片相连，另一端与氮化铝衬板的金属层相连接，实现碳化硅肖特基势垒二 极管与IGBT开关器件的电极与氮化铝衬板上对应的金属层电连接。
此外，本发明实施例提供的混合功率模块的形成方法，还包括
步骤106 :制作功率接线端子。
选用材料为260黄铜的功率接线端子，使功率接线端子具有较高的电导率和机械 特性，采用SnPbAg作为焊料，将功率接线端子焊接在氮化铝衬板的引出接口电极上，并将 功率接线端子弯折成型。
步骤107 :对所述混合功率模块进行封装，如图11所示。
步骤107具体包括先填充缓冲层和密封剂，再安装管壳、管盖。其中，缓冲层选用双组分硅胶，使其能在250°C条件下长期保持弹性，并具有优良的绝缘特性和化学稳定性； 密封剂采用高温环氧树脂，具有良好的耐高温特性以及机械支撑和绝缘特性；管壳和管壳 盖采用DAP塑料支撑，具有良好的机械强度和绝缘能力。
本发明实施例所提供的混合功率模块的形成方法，通过在IGBT开关器件的栅极 增加偏置电路，且所述偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，从而使得IGBT开 关器件栅极的正向电流不受所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，能够正常导通， 而反向电流由于所述第一电阻和第一二极管并联结构的影响，有效减小，进而使得所述偏 置电路为所述IGBT开关器件的栅极，提供稳定的栅极电流和栅极电压，使得碳化硅肖特基 势垒二极管的阳极电压保持稳定，即IGBT开关器件的发射极电压保持稳定，切断碳化硅肖 特基势垒二极管出现振荡的通路，有效的抑制或消除碳化硅肖特基势垒二极管反向恢复过 程中的振荡现象。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分 的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明 将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的 最宽的范围。
权利要求
1.一种混合功率模块，其特征在于，包括IGBT开关器件；阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连，阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管；与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻。
2.根据权利要求1所述的混合功率模块，其特征在于，所述栅极偏置电路包括与所述IGBT开关器件栅极相连的所述第一电阻和第一二极管的并联结构；与所述第一电阻和第一二极管的并联结构另一端相连的第二电阻。
3.根据权利要求1所述的混合功率模块，其特征在于，所述栅极偏置电路包括与所述IGBT开关器件栅极相连的第二电阻；与所述第二电阻的另一端相连的所述第一电阻和第一二极管的并联结构。
4.根据权利要求1任一项所述的混合功率模块，其特征在于，所述第一电阻的阻值大于 1000Ω。
5.根据权利要求4所述的混合功率模块，其特征在于，所述第一二极管为整流二极管。
6.—种包括权利要求1-5任一项所述混合功率模块的电力电子装置。
7.一种混合功率模块的形成方法，其特征在于，包括制备氣化招衬板；在所述氮化铝衬板上形成图形化的金属层；在氮化铝衬板上形成IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管、第一电阻和第一二极管的并联结构、第二电阻；将氮化铝衬板固定在基板上；实现IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管与金属层电连接。
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述基板为镀镍的铝碳化硅基板或镀镍的铜基板。
9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，还包括采用超声波清洗和化学清洗的方法，对所述基板和氮化铝衬板进行清洗。
10.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述氮化铝衬板上形成IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管、第一电阻和第一二极管的并联结构、第二电阻包括采用丝网印刷技术，将焊料均匀涂在氮化铝衬板的焊接面上；采用高温回流焊接技术，将IGBT开关器件芯片、碳化硅肖特基势垒二极管芯片、第一电阻贴片元件、第一二极管贴片元件和第二电阻贴片元件焊接在所述氮化铝衬板的焊接面上。
全文摘要
本发明实施例公开了一种电力电子装置及其混合功率模块，和该混合功率模块的形成方法。其中，所述混合功率模块包括IGBT开关器件；阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连，阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管；与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括相互并联的第一电阻和第一二极管，以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻，以解决现有技术中碳化硅肖特基势垒二极管在反向恢复过程中存在的振荡现象，并消除IGBT开关器件的开通过程中存在的振荡现象，使得具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作。
文档编号H02M1/00GK103051159SQ20131000615
公开日2013年4月17日 申请日期2013年1月8日 优先权日2013年1月8日
发明者李诚瞻, 刘可安, 冯江华, 史晶晶, 彭勇殿 申请人:株洲南车时代电气股份有限公司