专利名称：矿用变频器的插接式母排结构的制作方法
技术领域：
本实用新型属于变频器技术领域，具体说是一种矿用变频器的插接式母排结构。
背景技术：
步入21世纪后，国产变频开始逐步崛起，从早期的改装国外产品，到现在有自主知识产权经历了一个漫长的过程，虽然有了长足的进步，但是对于IGBT连接方式仍然存在很多的不足，其一，很多矿用变频器IGBT与电容组连接时采用的是搭接，这种连接方式为点接触无法通过较大电流，同时会增加杂散电感的产生,从而影像变频器本身的性能。其二，将IGBT与电容组装成一体后连接至IGBT模块的极点，虽然看似解决了杂散电感的产生，但因IGBT极点相对脆弱易损坏，当IGBT模块极点与电容组极点不在同一平面安装时将会导致连接IGBT与IGBT极点安装连接时的应力无法消除装配误差更是无法解决，同时由于在IGBT正负极端加装吸收电容更是增加了此种结构的装配困难。如果以上问题无法解决，将会提高核心器件IGBT模块的损坏几率，同时直接影响变频器的正常使用以及资源的正常开采，造成无法估计的损失。因此，亟需对现有的矿用变频器IGBT结构进行改进。
发明内容本实用新型的目的是提供一种矿用变频器的插接式母排结构，以解决现有IGBT结构易导致杂散电感的产生、无法通过较大电流、安装复杂、使用寿命短、不利于维护等问题。本实用新型的目的是这样实现的:它包括若干IGBT模块以及压紧装置，其特征是:所述压紧装置依次由上压板，上绝缘板，IGBT上极板，IGBT下极板，下绝缘板，下压板组合而成；IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点；IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上；IGBT上极板上设有上绝缘板，上绝缘板上设有上压板；IGBT下极板下设有下绝缘板，下绝缘板下设有下压板；IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。所述IGBT上极板为负极板，IGBT下级板为正极板。所述上压板、下压板通过螺钉分别固定在上绝缘板、下绝缘板上，压紧装置通过贯穿的螺栓旋紧。所述螺栓末端设有开口销。本实用新型的优点及有益效果如下:将电容组与IGBT模块的正负极连排分成两个独立部分，且由原来的正负极板错位搭接点连接改为层叠连接并通过压板将插入的层叠部分压紧最大限度的增加了正负极板的接触面积同时也增加了载流量；安装方便快捷，初装时只需通过螺栓将上下绝缘板、上下压板安装好；拆装简便，在拆装时只需将压板上的固定螺栓略微松动即可将电容组拆除，而无需把上下绝缘板、上下压板完全拆开，避免了重复劳动，提高了生产与维护效率；IGBT结构通过已加工的极板与绝缘板组合而成，结构简单紧凑，生产成本低，使用更方便。
下面将结合附图对本实用新型作进一步详细说明。图1是本实用新型的分解结构示意简图；图2是图1局部放大图结构示意简图；图3是将电容组插接在压紧装置上的外观结构示意简图；图4是图3的局部放大结构示意简图；图5是本实用新型安装好后的外观结构示意简图；图6是图5-A部分的局部放大结构示意简图；图7是图5-B部分的局部放大结构示意简图。附图主要部分的符号说明:1上压板、2上绝缘板、3IGBT负极板、4IGBT正极板、5下绝缘板、6IGBT模块、7下压板、8电容组、9限位凸台、10开口销。下面将结合附图并通过实例对实用新型作进一步详细说明，但下述的实例仅仅是本实用新型其中的例子而已，并不代表本实用新型所限定的权利保护范围，本实用新型的权利保护范围以权利要求为准。
具体实施方式
根据图1至图7对本实用新型进行详细描述。本实用新型的一种矿用变频器的插接式母排结构，其它包括若干IGBT模块以及压紧装置，压紧装置依次由上压板1，上绝缘板2，IGBT负极板3，IGBT正极板4，下绝缘板5，下压板7组合而成；IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点；IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块6下端的相应极点上；IGBT负极板3上设有上绝缘板5，上绝缘板2上设有上压板I ;IGBT正极板4下设有下绝缘板5，下绝缘板5下设有下压板7。上压板、下压板通过螺钉分别固定在上绝缘板、下绝缘板上，压紧装置通过贯穿的螺栓旋紧，螺栓末端设有开口销10。上绝缘板、下绝缘板与IGBT极板相对一侧呈双凹形结构，另一侧为平面，IGBT上极板与IGBT下极板中部设有缺口，IGBT上极板与IGBT下极板置于两绝缘板压合后形成的凹腔内。IGBT上极板与IGBT下极板之间形成“鸭嘴形”插槽结构。电容组8上端设有与插接式母排相对应的极板。安装时，首先将螺栓略微松动，然后将电容组极板插入IGBT极板的插槽结构内。其中电容组负极板上设有限位凸台9，以限制插入深度。插入后在将螺栓旋紧。拆解电容组时，为提高装配维修效率，只需要将上压板上的固定螺栓略微松动，IGBT正负连接IGBT张开缝隙后即可将电容组拔出，由此达到避免重复拆解劳动的目的。
权利要求1.一种矿用变频器的插接式母排结构，它包括若干IGBT模块以及压紧装置，其特征是:所述压紧装置依次由上压板，上绝缘板，IGBT上极板，IGBT下极板，下绝缘板，下压板组合而成；IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点；IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上；IGBT上极板上设有上绝缘板，上绝缘板上设有上压板；IGBT下极板下设有下绝缘板，下绝缘板下设有下压板；IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。
2.根据权利要求1所述的矿用变频器的插接式母排结构，其特征是:所述IGBT上极板为负极板，IGBT下级板为正极板。
3.根据权利要求1所述的矿用变频器的插接式母排结构，其特征是:所述上压板、下压板通过螺钉分别固定在上绝缘板、下绝缘板上，压紧装置通过贯穿的螺栓旋紧。
4.根据权利要求3所述的矿用变频器的插接式母排结构，其特征是:所述螺栓末端设有开口销。
专利摘要本实用新型提供了一种矿用变频器的插接式母排结构，它包括若干IGBT模块以及压紧装置，其技术要点是所述压紧装置依次由上压板，上绝缘板，IGBT上极板，IGBT下极板，下绝缘板，下压板组合而成；IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点；IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上；IGBT上极板上设有上绝缘板，上绝缘板上设有上压板；IGBT下极板下设有下绝缘板，下绝缘板下设有下压板；IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。解决了现有IGBT结构易导致杂散电感的产生、无法通过较大电流、安装复杂、使用寿命短、不利于维护等问题。
文档编号H02M1/00GK203056836SQ201320051739
公开日2013年7月10日 申请日期2013年1月30日 优先权日2013年1月30日
发明者徐 明, 范久斌, 毕鑫, 高岩伟 申请人:沈阳辽通电气有限公司