专利名称：一种降低thd、提高功率因数的电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种降低THD、提高功率因数的电路，主要用于AC-DC电源、荧光灯驱动、LED驱动等领域及其他反激模式工作的系统中实现降低THD、提高功率因数的功倉泛。
背景技术：
功率因数PF为系统中有功功率与视在功率的比值。
权利要求1.一种降低THD、提高功率因数的电路，包括导通时间Ton产生电路，其特征在于:在导通时间Ton产生电路中包括将占空比D信号反馈到控制回路中的电路。
2.根据权利要求1所述的降低THD、提高功率因数的电路，其特征在于:包括电流检测电阻Rsns、反馈电路、运放AMP1、补偿电容Ccomp、logic电路模块、驱动电路模块、功率管Mhv和由整流桥、变压器Tl、电容Cin和Cout以及负载组成的外围电路，电流检测电阻Rsns连接反馈电路，反馈电路连接运放AMPl，运放AMPl连接导通时间Ton产生电路，导通时间Ton产生电路连接logic电路模块，logic电路模块连接驱动电路模块，驱动电路模块连接功率管，功率管连接外围电路和电流检测电阻Rsns。
3.如权利要求1或2所述的降低THD、提高功率因数的电路，其特征在于:所述导通时间Ton产生电路包括: 用于实现对内部基准电压VrefA进行斩波的开关Ml和M2 ； 用于对开关控制信号DRV进行逻辑反相的反相器invl ； 用于对基准电压VrefA斩波后的信号VrefAsw进行滤波的电阻Rl和电容Cl ； 用于将滤波后的随占空比D变化的基准电压DVrefA信号转换成电流信号的V-1转换电路； 用于充放电以产生导通时间Ton的电容Ccap ； 用于对开关控制信号DRV进行逻辑反相的反相器inv2 ； 用于对Ccap进行放电的开关M3 ;以及 用于产生导通时间结束信号TonEnd的比较器CMP2。
4.如权利要求3所述的降低THD、提高功率因数的电路，其特征在于: 所述开关管Ml、M2和M3可采用PMOS管、NMOS管、PNP管或NPN管。
5.如权利要求3所述的降低THD、提高功率因数的电路，其特征在于: 用于对基准电压VrefA斩波后的信号VrefAsw进行滤波的滤波电路可以采用有源滤波电路实现。
6.如权利要求3所述的降低THD、提高功率因数的电路，其特征在于: 所述用于对基准电压VrefA斩波后的信号VrefAsw进行滤波的滤波电路可以采用多级电阻、电容串并联构成。
专利摘要本实用新型公开了一种降低THD、提高功率因数的电路，主要用于AC-DC电源、荧光灯驱动、LED驱动等领域及其他反激模式工作的系统，包括导通时间Ton产生电路，在导通时间Ton产生电路中包括将占空比D信号反馈到控制回路中的电路，能够实现输入电流Iin的平均值和电网电压Vin成正比关系，降低THD、提高功率因数，同时兼容反激模式工作系统的控制回路，易于应用和实现。
文档编号H02M1/42GK203151369SQ201320156158
公开日2013年8月21日 申请日期2013年3月29日 优先权日2013年3月29日
发明者赵新江, 杜斐 申请人:上海登芯微电子科技有限公司