降压抗干扰电路及电路板的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种降压抗干扰电路及电路板，所述降压抗干扰电路包括继电器电路，所述继电器电路包括继电器开关K111、二极管D111、三极管Q111、以及限流电阻R111和R112，所述继电器开关K111的一继电器线圈端分别与三极管Q111的集电极c以及二极管D111的阴极连接，二极管D111的阳极连接至继电器开关K111的另一继电器线圈端并与第一负压输入端子-VCCA连接，三极管Q111的发射极e接地并通过限流电阻R111连接至其基极b，所述三极管Q111的基极b通过限流电阻R112连接至微控制单元MCU的第一输入端，微控制单元MCU的第二输入端接地，其电压输入端与第二负压输入端子-VCCB连接。采用本实用新型，感性负载开关产生的干扰不会干扰到MCU。
【专利说明】降压抗干扰电路及电路板
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电压降压【技术领域】，具体而言，涉及一种降压抗干扰电路及电路板。
【背景技术】
[0002]在家用电器产品中，对于其MCU (Micro Control Unit，微控制单元)的供电需要将外部电源先行降压，然后再连接至所述MCU，现有技术中，MCU的降压电路采用的是正压输入，MCU与感性负载的电源共地，然而感性负载开关产生的干扰会通过地线干扰到MCU。
实用新型内容
[0003]为了解决现有的降压电路会干扰到MCU的电源输入的问题，本实用新型的目的在于提供一种降压抗干扰电路及电路板。
[0004]本实用新型采用以下技术方案实现:
[0005]一种降压抗干扰电路，其包括继电器电路，其中:
[0006]所述继电器电路包括继电器开关Kill、二极管Dil1、三极管Q111、以及限流电阻Rlll和R112，所述继电器开关Klll的一继电器线圈端分别与三极管Qlll的集电极c以及二极管Dlll的阴极连接，二极管Dlll的阳极连接至继电器开关Klll的另一继电器线圈端并与第一负压输入端子-VCCA连接，三极管Qlll的发射极e接地并通过限流电阻Rlll连接至其基极b，所述三极管Qlll的基极b通过限流电阻R112连接至微控制单元MCU的第一输入端，微控制单元MCU的第二输入端接地，其电压输入端与第二负压输入端子-VCCB连接。
[0007]优选地，所述降压抗干扰电路还包括降压电路，其中:
[0008]所述降压电路包括与电源并联连接的电容EC101、电阻R101、稳压管ZD101、三极管Q101、电容EC102、以及电容C101，所述电容EClOl的一端连接至稳压管ZDlOl的阴极，所述电容EClOl的另一端连接至所述第一负压输入端子-VCCA并分别与电阻RlOl的一端以及三极管QlOl的集电极c连接，所述电阻RlOl的另一端连接至稳压管ZDlOl的阳极并与三极管QlOl的基极b连接，三极管QlOl的发射极e连接至第二负压输入端子-VCCB并分通过并联的电容EC102和电容ClOl接地。
[0009]一种电路板，其包括MCU以及降压抗干扰电路，其中:
[0010]所述继电器电路包括继电器开关Kill、二极管Dil1、三极管Q111、以及限流电阻Rlll和R112，所述继电器开关Klll的一继电器线圈端分别与三极管Qlll的集电极c以及二极管Dlll的阴极连接，二极管Dlll的阳极连接至继电器开关Klll的另一继电器线圈端并与第一负压输入端子-VCCA连接，三极管Qlll的发射极e接地并通过限流电阻Rlll连接至其基极b，所述三极管Qlll的基极b通过限流电阻Rl 12连接至微控制单元MCU的第一输入端，微控制单元MCU的第二输入端接地，其电压输入端与第二负压输入端子-VCCB连接。[0011 ] 优选地，所述降压抗干扰电路还包括降压电路，所述降压电路包括与电源并联连接的电容EC101、电阻R101、稳压管ZD101、三极管Q101、电容EC102、以及电容C101，所述电容EClOl的一端连接至稳压管ZDlOl的阴极，所述电容EClOl的另一端连接至所述第一负压输入端子-VCCA并分别与电阻RlOl的一端以及三极管QlOl的集电极c连接，所述电阻RlOl的另一端连接至稳压管ZDlOl的阳极并与三极管QlOl的基极b连接，三极管QlOl的发射极e连接至第二负压输入端子-VCCB并分通过并联的电容EC102和电容ClOl接地。
[0012]本实用新型，其MCU的电源电压为负压，MCU通过控制感性负载时，使感性负载电源与MCU电源隔离，因此感性负载开关产生的干扰不会干扰到MCU。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型实施例提供的降压抗干扰电路的继电器电路图； [0014]图2是本实用新型实施例提供的降压抗干扰电路的降压电路图。
[0015]本实用新型目的的实现、功能特点及优异效果，下面将结合具体实施例以及附图做进一步的说明。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图和具体实施例对本实用新型所述技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
[0017]如图1所示，本实用新型实施例提供的一种降压抗干扰电路，其包括继电器电路，其中:
[0018]所述继电器电路包括继电器开关Kill、二极管Dil1、三极管Q111、以及限流电阻Rlll和R112，所述继电器开关Klll的一继电器线圈端分别与三极管Qlll的集电极c以及二极管Dlll的阴极连接，二极管Dlll的阳极连接至继电器开关Klll的另一继电器线圈端并与第一负压输入端子-VCCA连接，三极管Qlll的发射极e接地并通过限流电阻Rlll连接至其基极b，所述三极管Qlll的基极b通过限流电阻R112连接至微控制单元MCU的第一输入端，微控制单兀MCU的第二输入端VDD接地,其电压输入端VSS与第二负压输入端子-VCCB连接。
[0019]优选实施方式中，如图2所示，所述降压抗干扰电路还包括降压电路，其中:
[0020]所述降压电路包括与电源并联连接的电容EC101、电阻R101、稳压管ZD101、三极管Q101、电容EC102、以及电容C101，所述电容EClOl的一端连接至稳压管ZDlOl的阴极，所述电容EClOl的另一端连接至所述第一负压输入端子-VCCA并分别与电阻RlOl的一端以及三极管QlOl的集电极c连接，所述电阻RlOl的另一端连接至稳压管ZDlOl的阳极并与三极管QlOl的基极b连接，三极管QlOl的发射极e连接至第二负压输入端子-VCCB并通过并联的电容EC102和电容ClOl接地。
[0021]例如，以下举一具体实施例以说明本实用新型的原理。
[0022]参考图2，-VCCB的电压为稳压管ZDlOl的电压减去三极管QlOl基极b_发射极e的导通电压，ZDlOl 需用 5.6V 的稳压管，-VCCB ^ - (5.6V-0.7V) =-4.9V。
[0023]GND经稳压管ZDlOl (5.6V)、电阻RlOl到-VCCA，电阻RlOl上的电压为-VCCA+5.6V=-6.4V，三极管QlOl的导通条件为电阻RlOl的电压减去三极管基极b_发射极e的开关电压0.7V左右，也为VEC的电压差，因此-VCCB的电压为-VCCA加上三极管QlOIVEC 的电压差，即在本实施例中，-VCCB 的电压为-VCCA-(-VCCA+5.6-0.7)=-5.6+0.7=-
4.9V
[0024]参考所述图1示出的继电器电路，三极管Qlll导通，继电器线圈Klll工作，由于三极管Qlll的隔离，继电器线圈Klll产生的干扰不会对GND干扰，只会对-VCCA干扰，而-VCCB经如图1所示的三极管Qlll与-VCCA隔离，以致也不会对-VCCB产生干扰；当三极管Qlll截止时，继电器线圈Klll切断电源，但继电器线圈Klll存储的能量会经Dlll释放到继电器线圈Klll的寄生电容，寄生电容又将能量转到继电器线圈K111，形成阻尼振荡，产生干扰，但同样的是，这些干扰都不会干扰到MCU的电源-VCCB。
[0025]相应地，本实用新型实施例还提供了一种电路板，其包括MCU以及降压抗干扰电路，参考图1，其中:
[0026]所述继电器电路包括继电器开关Kill、二极管Dil1、三极管Q111、以及限流电阻Rlll和R112，所述继电器开关Klll的一继电器线圈端分别与三极管Qlll的集电极c以及二极管Dlll的阴极连接，二极管Dlll的阳极连接至继电器开关Klll的另一继电器线圈端并与第一负压输入端子-VCCA连接，三极管Qlll的发射极e接地并通过限流电阻Rlll连接至其基极b，所述三极管Qlll的基极b通过限流电阻Rl 12连接至微控制单元MCU的第一输入端，微控制单兀MCU的第二输入端VDD接地,其电压输入端VSS与第二负压输入端子-VCCB连接。
[0027]优选实施方式中，参考图2，所述降压抗干扰电路还包括降压电路，所述降压电路包括与电源并联连接的电容EC101、电阻R101、稳压管ZD101、三极管Q101、电容EC102、以及电容C101，所述电容EClOl的一端连接至稳压管ZDlOl的阴极，所述电容EClOl的另一端连接至所述第一负压输入端子-VCCA并分别与电阻RlOl的一端以及三极管QlOl的集电极c连接，所述电阻RlOl的另一端连接至稳压管ZDlOl的阳极并与三极管QlOl的基极b连接，三极管QlOl的发射极e连接至第二负压输入端子-VCCB并分通过并联的电容EC102和电容ClOl接地。
[0028]以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的【技术领域】，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种降压抗干扰电路，其特征在于，包括继电器电路，其中: 所述继电器电路包括继电器开关Kill、二极管Dil1、三极管Q111、以及限流电阻Rlll和R112，所述继电器开关Klll的一继电器线圈端分别与三极管Qlll的集电极c以及二极管Dlll的阴极连接，二极管Dlll的阳极连接至继电器开关Klll的另一继电器线圈端并与第一负压输入端子-VCCA连接，三极管Qlll的发射极e接地并通过限流电阻Rlll连接至其基极b，所述三极管Qlll的基极b通过限流电阻Rl 12连接至微控制单元MCU的第一输入端，微控制单元MCU的第二输入端接地，其电压输入端与第二负压输入端子-VCCB连接。
2.如权利要求1所述的降压抗干扰电路，其特征在于，还包括降压电路，其中: 所述降压电路包括与电源并联连接的电容EC101、电阻R101、稳压管ZD101、三极管Q101、电容EC102、以及电容C101，所述电容EClOl的一端连接至稳压管ZDlOl的阴极，所述电容EClOl的另一端连接至所述第一负压输入端子-VCCA并分别与电阻RlOl的一端以及三极管QlOl的集电极c连接，所述电阻RlOl的另一端连接至稳压管ZDlOl的阳极并与三极管QlOl的基极b连接，三极管QlOl的发射极e连接至第二负压输入端子-VCCB并分通过并联的电容EC102和电容ClOl接地。
3.一种电路板，其特征在于，包括MCU以及降压抗干扰电路，其中: 所述继电器电路包括继电器开关Kill、二极管Dil1、三极管Q111、以及限流电阻Rlll和R112，所述继电器开关Klll的一继电器线圈端分别与三极管Qlll的集电极c以及二极管Dlll的阴极连接，二极管Dlll的阳极连接至继电器开关Klll的另一继电器线圈端并与第一负压输入端子-VCCA连接，三极管Qlll的发射极e接地并通过限流电阻Rlll连接至其基极b，所述三极管Qlll的基极b通过限流电阻Rl 12连接至微控制单元MCU的第一输入端，微控制单元MCU的第二输入端接地，其电压输入端与第二负压输入端子-VCCB连接。
4.如权利要求3所述的电路板，其特征在于，所述降压抗干扰电路还包括降压电路，所述降压电路包括与电源并联连接的电容EClOl、电阻RlOl、稳压管ZDlOl、三极管QlOl、电容EC102、以及电容C101，所述电容EClOl的一端连接至稳压管ZDlOl的阴极，所述电容EClOl的另一端连接至所述第一负压输入端子-VCCA并分别与电阻RlOl的一端以及三极管QlOl的集电极c连接，所述电阻RlOl的另一端连接至稳压管ZDlOl的阳极并与三极管QlOl的基极b连接，三极管QlOl的发射极e连接至第二负压输入端子-VCCB并分通过并联的电容EC102和电容ClOl接地。
【文档编号】H02M3/155GK203504408SQ201320615044
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】李信合, 杨立萍, 黄庶锋, 黄开平, 麻百忠, 雷俊, 董远, 张永亮, 乔维君, 袁宏斌, 杨乐, 房振, 黄兵 申请人:美的集团股份有限公司, 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司