一种vi·chip模块并联应用电路及提高功率方法
【专利摘要】本涉发明及直流电源并联输出领域技术，公开一种新型VI?CHIP模块并联应用电路及连接方法，本电路包括：第一PRM转换器、第二PRM转换器、第一VTM转换器、第二VTM转换器、第一电感、第二电感，所述第一PRM转换器和第二PRM转换器的+IN、-IN分别短接后接直流输入+端口和直流输入-端口；第一PRM转换器和第二PRM转换器的PC、PR端分别相连，第一PRMDC-DC转换器的OS端与SG端加一电阻；第一PRMDC-DC转换器的CD端与SG端加一电阻；本发明能够使VI·Chip模块的应用范围大大的增加。提升输出功率的要求，提高输出功率一倍至多倍；具有电路简单，应用前景广阔。
【专利说明】—种Vl CHIP模块并联应用电路及提高功率方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及直流电源并联输出领域技术，特别是涉及两组PRM和VTM做出更大功率而且均流并联技术的一种VI*CHIP并联应用电路及提高功率方法。
【背景技术】
[0002]随着电源技术的发展，VICOR公司提出了一种分比式功率架构的电源架构方案，此种电源架构方案有很多的优势:
1、体积小，VI.Chip是目前大功率密度器件中体积最小的，尺寸约为1/16砖；
2、灵活性好，VI.Chip使电源设计更加灵活，可选择的方案更多；
3、效率闻，VI.Chip最闻效率可达97% ；
4、快速动态响应快，VI.Chip开关频率最高达3.5MHz，使用很少的低ESR/ESL陶瓷电容滤波，从而减小动态负载引起的过冲电压值。
[0003]虽然VI.Chip有如此多的优势，但也有其缺点。单只模块的输出功率最大只有240W就是V1-Chip的一个缺点。单只模块功率小的缺点大大限制了 V1- Chip的进一步开发应用。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种VI*CHIP模块并联应用电路及提高功率方法，使VI*CHIP模块的输出功率大大的提升，为以后的电源设计提供了更多、更好的解决方案。提升VI*CHIP模块的输出功率要求
为了实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案:
一种VI*CHIP模块并联应用电路，包括第一电阻(I)、第二电阻(2)、第三电阻(3)、第四电阻(4)、第五电阻(5)、第六电阻(6)、第七电阻(7)、第一 PRM DC-DC转换器(8)、第二PRM DC-DC转换器(9)、第一VTM DC-DC转换器(10)、第二VTM DC-DC转换器(11)、第一电感(12)、第二电感(13)、直流输入+端口、直流输入-端口、直流输出+端口、直流输出-端口。
[0005]第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的+IN、-1N分别短接后接直流输入+端口和直流输入-端口 ；第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器
(9)的PC、PR端分别相连，且DC-DC转换器(8、9)的PR端分别其SG端加一 20K Ω的电阻；第一 PRM DC-DC转换器(8)的OS端与SG端加一电阻；第一 PRM DC-DC转换器(8)的CD端与SG端加一电阻；第二 PRM DC-DC转换器(8)的OS端与SG端加一电阻；第二 PRM DC-DC转换器(8)的SC端与SG端相连。
[0006]第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的+Out分别通过第五电阻(5)、第七电阻(7)、与第一VTM DC-DC转换器(10)和第二VTM DC-DC转换器(11)的+IN相连，且第五电阻(5)、第七电阻(7)分别并联第一电感(12)和第二电感(13);第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的-Out分别与第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的-1N;第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的+ IN、-1N分别短接；第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的VC端分别与第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的VC端相连；第一VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的+Outl、+0ut2相连后与直流输出+端口相连；第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的-0utl、_0ut2相连后与直流输出-端口相连。
[0007]由于采用如上所述的技术方案，本发明具有如下优越性:
一种VI*CHIP模块并联应用电路及提高功率方法，刚好弥补了 V1-Chip模块单只功率小的缺陷，使VI.Chip模块的应用范围大大的增加。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是VI*CHIP模块并联应用电路示意图。
[0009]图1中I是第一电阻、2是第二电阻、3是第三电阻、4是第四电阻、5是第五电阻、6是第六电阻、7是第七电阻、8是第一 PRM DC-DC转换器、9是第二 PRM DC-DC转换器、10是第一 VTM DC-DC转换器、11是第二 VTM DC-DC转换器、12是第一电感、13是第二电感。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本专利进一步解释说明。但本专利的保护范围不限于具体的实施方式。
[0011]如图1所示，一种VI*CHIP模块并联应用电路，包括第一电阻(I)、第二电阻(2)、第三电阻(3)、第四电阻(4)、第五电阻(5)、第六电阻(6)、第七电阻(7)、第一 PRM DC-DC转换器(8)、第二 PRM DC-DC转换器(9)、第一 VTM DC-DC转换器(10)、第二 VTM DC-DC转换器
[11]、第一电感(12)、第二电感(13)、直流输入+端口、直流输入-端口、直流输出+端口、直流输出-端口。
[0012]第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的+IN、-1N分别短接后接直流输入+端口和直流输入-端口 ；第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器
(9)的PC、PR端分别相连，且DC-DC转换器(8、9)的PR端分别其SG端加一 20K Ω的电阻；第一 PRM DC-DC转换器(8)的OS端与SG端加一电阻；第一 PRM DC-DC转换器(8)的CD端与SG端加一电阻；第二 PRM DC-DC转换器(8)的OS端与SG端加一电阻；第二 PRM DC-DC转换器(8)的SC端与SG端相连。
[0013]第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的+Out分别通过第五电阻(5)、第七电阻(7)、与第一VTM DC-DC转换器(10)和第二VTM DC-DC转换器(11)的+IN相连，且第五电阻(5)、第七电阻(7)分别并联第一电感(12)和第二电感(13);第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的-Out分别与第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的-1N;第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的+ IN、-1N分别短接；第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的VC端分别与第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的VC端相连；第一VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的+Outl、+0ut2相连后与直流输出+端口相连；第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的-0utl、_0ut2相连后与直流输出-端口相连。
[0014]V1-CHIP的并联主要是通过以下七个步骤来实现的:
1、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的正输入连接一起；
2、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的负输入连接一起；
3、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的PR端连接一起；4、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的PC端连接一起；5、第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的正输入连接一起；
6、第一VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的负输入连接一起；
7、把第二PRM DC-DC转换器(9)的SC端接到它的SG端，使第二PRM DC-DC转换器(9)作为从模块。
[0015]另外，第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的PR端分别其SG端加一 20ΚΩ的电阻也是关键。
[0016]以上这种连接方法即可实现提升VI*CHIP模块的输出功率要求，此方法是把V1-CHIP模块的输出功率提高一倍的方法，当然也有把VI*CHIP模块的输出功率提高多倍的方法。具体的方法是:在并联情况下应当保证每个PR端对SG保持1K Ω的等效阻抗，SP一个时PR端连接1K Ω电阻，两个PRM时每个PR端连接一只20ΚΩ电阻，三个PRM时每个PR端连接一只30ΚΩ电阻，依次类推。
【权利要求】
1.一种VI*CHIP并联应用电路，其特征是:包括:第一 PRM DC-DC转换器(8)、第二PRM DC-DC 转换器(9)、第一 VTM DC-DC 转换器(10)、第二 VTM DC-DC 转换器(11)、第一电感(12)、第二电感(13)，所述第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的+IN、-1N分别短接后接直流输入+端口和直流输入-端口 ；第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的PC、PR端分别相连，且DC-DC转换器(8、9)的PR端分别其SG端加一 20ΚΩ的电阻；第一 PRM DC-DC转换器(8)的OS端与SG端加一电阻；第一 PRM DC-DC转换器(8)的⑶端与SG端加一电阻；第二 PRM DC-DC转换器(8)的OS端与SG端加一电阻；第二 PRM DC-DC转换器(8)的SC端与SG端相连； 第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的+Out分别通过第五电阻(5)、第七电阻(7)、与第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的+IN相连，且第五电阻(5)、第七电阻(7)分别并联第一电感(12)和第二电感(13);第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的-Out分别与第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的-1N;第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的+ IN、-1N分别短接；第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的VC端分别与第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的VC端相连；第一VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的+Outl、+0ut2相连后与直流输出+端口相连；第一 VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的-0utl、_0ut2相连后与直流输出-端口相连。
2.—种VI*CHIP并联应用电路提高功率方法，其特征是:包括提高输出功率一倍的电路连接方法及多倍的电路连接方法， 一、提高输出功率一倍的电路连接方法，其具体步骤如下: 1)、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的正输入连接一起； 2)、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的负输入连接一起； 3)、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的PR端连接一起； 4)、第一PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的PC端连接一起； 5)、第一VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的正输入连接一起； 6)、第一VTM DC-DC转换器(10)和第二 VTM DC-DC转换器(11)的负输入连接一起； 7)、把第二PRM DC-DC转换器(9)的SC端接到它的SG端，使第二 PRM DC-DC转换器(9)作为从模块； 另外，第一 PRM DC-DC转换器(8)和第二 PRM DC-DC转换器(9)的PR端分别其SG端加一 20ΚΩ的电阻也是关键； 实现提升VI*CHIP模块的输出功率要求，完成把VI*CHIP模块的输出功率提高一倍的方法； 二、提高输出功率多倍的电路连接方法，其具体步骤如下: 在并联情况下应当保证每个PR端对SG保持1K Ω的等效阻抗，即一个时PR端连接1K Ω电阻，两个PRM时每个PR端连接一只20ΚΩ电阻，三个PRM时每个PR端连接一只30ΚΩ电阻，依次类推。
【文档编号】H02M3/10GK104319994SQ201410517288
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】宋志刚, 赵改周, 张锦鹏, 牛永超 申请人:洛阳隆盛科技有限责任公司